○種別 (必須): | □ | 先端技術科学教育部 (授業概要)
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○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2006年 (平成 18年)
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○名称 (必須): | □ | (英) Photonic Semiconductor Device Physics (日) 光半導体デバイス特論 (読) ひかりはんどうたいでばいすとくろん
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○形態 (推奨): | 1. | 講義
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○コース (必須): | 1. | 2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]
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○担当教員 (必須): | 1. | 酒井 士郎
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| 2. | 直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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| 3. | 西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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○単位 (必須): | □ | 2
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○目的 (必須): | □ | (英) To understand the device physics and fabrication technique of photonic semiconductor devices.. (日) 半導体を用いた受光·発光素子の動作特性およびその作製方法を理解する.
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○概要 (必須): | □ | (英) Interaction of photons and electrons in semiconductors, physics of superlattice semiconductors and their applications as photonic devices. Crystal growth of semiconductors and heteroepitaxy. (日) 半導体中における電子と光の相互作用,超格子半導体の物性,それらの光デバイスへの応用について述べる.また,半導体デバイス実現の手段としての半導体結晶成長と,ヘテロエビタキシーについての講義を行う.
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○キーワード (推奨): | 1. | 半導体 (semiconductor)
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| 2. | 光デバイス (photonic device/->キーワード[光デバイス])
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○先行科目 (推奨): |
○関連科目 (推奨): | 1. | 無機光機能材料論 ([2006/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース]/[博士後期課程]])
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○要件 (任意): |
○注意 (任意): |
○目標 (必須): | 1. | (英) To understand device physics of photonic devices in terms of interaction of photons and electrons (日) 光デバイスの動作特性を,光と電子の相互作用の観点から理解できる.
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| 2. | (英) To understand device physics of quantum effect devices (日) 量子効果デバイスの動作原理が理解できる.
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| 3. | (英) To understand crystal growth and related technologies for fabrication of photonic devices (日) 光デバイス作製のための結晶成長技術および関連技術について理解できる.
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○計画 (必須): | 1. | (英) Introduction (日) 光半導体デバイスとは
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| 2. | (英) Energy band structure of semiconductors (日) 半導体のバンド構造
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| 3. | (英) Quantum statistics of electrons in semiconductors (日) 半導体における電子統計
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| 4. | (英) Carrier transport in semiconductors (日) 半導体中の電子伝導
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| 5. | (英) Quantum devices and superlattice (日) 量子効果デバイス,超格子
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| 6. | (英) Light absorption in semiconductors (interaction of electrons and photons) (日) 半導体の光吸収(電子と光の相互作用)
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| 7. | (英) Photocinductivity, photovol and photodiode (日) 光伝導と光起電力,フォトダイオード
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| 8. | (英) Physics of light emission of semiconductors (日) 半導体発光の物理
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| 9. | (英) Radiative recombination, non-radiative recombination, stimulated emission and spontaneous emission (日) 輻射再結合と非輻射再結合,誘導放出,自然放出
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| 10. | (英) Light emitting diodes and lasers (日) 半導体発光ダイオード·レーザー
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| 11. | (英) Devices for optical communication (日) 光通信用デバイス
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| 12. | (英) Crystal growth of substrates for photonic semiconductor devices (日) 光半導体デバイス用基板作製技術
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| 13. | (英) MOCVD and MBE (日) 有機金属気相成長法,分子線エピタキシャル成長法
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| 14. | (英) Fabrication of Ohmic contact (日) オーミック電極形成技術
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| 15. | (英) Nano-photonic devices and fabrication technology (日) ナノ光デバイスと加工技術
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| 16. | (英) Examination (日) 試験
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○評価 (必須): | □ | (英) Report 50%, Examination 50%. More than 60% is required to pass this class. (日) レポート50% 試験50% 合格には60%以上が必要.
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○再評価 (必須): |
○対象学生 (任意): |
○教科書 (必須): | 1. | (英) To be introduced in the class. (日) 授業中に紹介する.
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○参考資料 (推奨): |
○URL (任意): |
○連絡先 (推奨): | 1. | 酒井 士郎
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| 2. | 直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
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| 3. | 西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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○科目コード (推奨): |
○備考 (任意): | 1. | (英) This lecture will be given in English. (日) 国際連携大学院担当教員科目のため英語授業となる場合がある
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