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登録内容 (EID=120405)

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○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨): □Peer Review [継承]
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨):
○著者 (必須): 1. (英) Okazaki Yukio (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Kobayashi Toshio (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3.小中 信典
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Morimoto Takashi (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
5. (英) Takahashi Mitsutoshi (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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6. (英) Imai K. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
7. (英) Kado Y. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) Characteristics of a New Isolated p-Well Structure Using Thin Epitaxy Over the Buried Layer and Trench Isolation  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨): □IEEE [継承]
○誌名 (必須): □IEEE Transactions on Electron Devices ([IEEE])
(resolved by 0018-9383)
ISSN: 0018-9383 (pISSN: 0018-9383, eISSN: 1557-9646)
Title: IEEE transactions on electron devices
Title(ISO): IEEE Trans Electron Devices
Publisher: IEEE
 (NLM Catalog)   (IEEE)   (Scopus)   (CrossRef)  (Scopus information is found. [need login])

○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □ED-39 [継承]
○号 (必須): □12 [継承]
○頁 (必須): □2758 2764 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 1992年 12月 初日 (平成 4年 12月 初日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意): □10.1109/16.168730    (→Scopusで検索) [継承]
○PMID (任意):
○CRID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意): □2-s2.0-0026979128 [継承]
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○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● Yukio Okazaki, Toshio Kobayashi, Shinsuke Konaka, Takashi Morimoto, Mitsutoshi Takahashi, K. Imai and Y. Kado : Characteristics of a New Isolated p-Well Structure Using Thin Epitaxy Over the Buried Layer and Trench Isolation, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED-39, No.12, 2758-2764, 1992.
欧文冊子 ● Yukio Okazaki, Toshio Kobayashi, Shinsuke Konaka, Takashi Morimoto, Mitsutoshi Takahashi, K. Imai and Y. Kado : Characteristics of a New Isolated p-Well Structure Using Thin Epitaxy Over the Buried Layer and Trench Isolation, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED-39, No.12, 2758-2764, 1992.

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