『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=120345)

EID=120345EID:120345, Map:0, LastModified:2013年8月26日(月) 15:02:52, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): その他·研究会 [継承]
言語 (必須):
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カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨):
著者 (必須): 1.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) (日) 多田 修 (読) ただ おさむ
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) (日) 久米 道也 (読) くめ みちや
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英)   (日) SiO2スパッタ膜の作製における残留水分の影響   [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 飛行時間法を用いたプローブにより,SiO2のスパッタリングにおいて,SiO2ターゲット表面の状況をその場観察を行うことができた.SiO2表面にはH2O(水)が存在しているとき,高速H原子が観察され,このときはSiO2スパッタ膜の付着速度が小さい.液体窒素トラップで冷却することにより高速H原子の信号強度が減少すると,SiO2スパッタ膜の付着速度が増す.このことから,SiO2ターゲット表面に付着するH2Oが,膜の付着速度に密接に関係することが確認できた.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): 電気学会 [継承]
誌名 (必須): (英) (日) プラズマ研究会 (読) ぷらずまけんきゅうかい
ISSN (任意):
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(必須): EP-88-11 [継承]
(必須): [継承]
(必須): 39 43 [継承]
都市 (必須):
年月日 (必須): 西暦 1988年 2月 13日 (昭和 63年 2月 13日) [継承]
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和文冊子 ● 富永 喜久雄, 多田 修, 久米 道也 : SiO2スパッタ膜の作製における残留水分の影響, プラズマ研究会, Vol.EP-88-11, 39-43, 1988年2月.
欧文冊子 ● Kikuo Tominaga, 多田 修 and 久米 道也 : SiO2スパッタ膜の作製における残留水分の影響, プラズマ研究会, Vol.EP-88-11, 39-43, Feb. 1988.

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Number of session users = 0, LA = 0.71, Max(EID) = 360707, Max(EOID) = 966167.