EDB [Ugajin M./[小中信典]/Amemiya Y./A Nanometer-Base Silicon Bipolar Transistor Using an Ultra-Shallow Gallium Diffusion Process/The 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'87)] (120290)

EID=120290

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○種別 (必須):

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国際会議

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○言語 (必須):

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英語

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○招待 (推奨):

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○共著種別 (推奨):

○学究種別 (推奨):

○組織 (推奨):

○著者 (必須):

1.

(英) Ugajin M. (日) (読)

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2.

小中信典

○役割 (任意):

○貢献度 (任意):

○学籍番号 (推奨):

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3.

(英) Amemiya Y. (日) (読)

○役割 (任意):

○貢献度 (任意):

○学籍番号 (推奨):

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○題名 (必須):

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(英) A Nanometer-Base Silicon Bipolar Transistor Using an Ultra-Shallow Gallium Diffusion Process (日)

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○副題 (任意):

○要約 (任意):

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○発行所 (推奨):

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応用物理学会

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○誌名 (必須):

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(英) The 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'87) (日) (読)

○ISSN (任意):

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○巻 (必須):

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○号 (必須):

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○頁 (必須):

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339 342

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○都市 (必須):

○年月日 (必須):

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西暦 1987年 8月 20日 (昭和 62年 8月 20日)

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和文冊子 ●	M. Ugajin, Shinsuke Konaka and Y. Amemiya : A Nanometer-Base Silicon Bipolar Transistor Using an Ultra-Shallow Gallium Diffusion Process, The 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'87), 339-342, (都市), Aug. 1987.
欧文冊子 ●	M. Ugajin, Shinsuke Konaka and Y. Amemiya : A Nanometer-Base Silicon Bipolar Transistor Using an Ultra-Shallow Gallium Diffusion Process, The 19th Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'87), 339-342, (都市), Aug. 1987.

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