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登録内容 (EID=120239)

EID=120239EID:120239, Map:0, LastModified:2022年10月27日(木) 15:52:49, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[[副研究部長]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
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共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨):
著者 (必須): 1. (英) Deguchi K. (日) (読)
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2. (英) Kunii Y (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Kuwagaki M. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Ban H. (日) (読)
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5.小中 信典
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題名 (必須): (英) Application of X-ray lithography with single-layer resist process to subquartermicron large scale integrated circuit fabrication  (日)    [継承]
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発行所 (推奨):
誌名 (必須): (英) The 36th International Symposium on Electron, Ion and Photon Beams (日) (読)
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年月日 (必須): 西暦 1992年 5月 末日 (平成 4年 5月 末日) [継承]
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和文冊子 ● K. Deguchi, Y Kunii, M. Kuwagaki, H. Ban and Shinsuke Konaka : Application of X-ray lithography with single-layer resist process to subquartermicron large scale integrated circuit fabrication, The 36th International Symposium on Electron, Ion and Photon Beams, (都市), May 1992.
欧文冊子 ● K. Deguchi, Y Kunii, M. Kuwagaki, H. Ban and Shinsuke Konaka : Application of X-ray lithography with single-layer resist process to subquartermicron large scale integrated circuit fabrication, The 36th International Symposium on Electron, Ion and Photon Beams, (都市), May 1992.

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Number of session users = 9, LA = 0.57, Max(EID) = 433461, Max(EOID) = 1153956.