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登録内容 (EID=120237)

EID=120237EID:120237, Map:0, LastModified:2022年10月27日(木) 15:59:35, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[[副研究部長]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
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著者 (必須): 1. (英) Kyuragi H. (日) (読)
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2.小中 信典
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Kobayashi T. (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Deguchi K. (日) (読)
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題名 (必須): (英) Deep Subhalf-micron BiCMOS technology Using Synchrotron X-ray Lithography and Its Application to 58ps 2V CMOS Gate Array  (日)    [継承]
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発行所 (推奨): IEEE [継承]
誌名 (必須): (英) 1992 Symposium on VLSI Technology (日) (読)
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(必須): 26 27 [継承]
都市 (必須): ホノルル (Honolulu/[アメリカ合衆国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1992年 6月 15日 (平成 4年 6月 15日) [継承]
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和文冊子 ● H. Kyuragi, Shinsuke Konaka, T. Kobayashi and K. Deguchi : Deep Subhalf-micron BiCMOS technology Using Synchrotron X-ray Lithography and Its Application to 58ps 2V CMOS Gate Array, 1992 Symposium on VLSI Technology, 26-27, Honolulu, June 1992.
欧文冊子 ● H. Kyuragi, Shinsuke Konaka, T. Kobayashi and K. Deguchi : Deep Subhalf-micron BiCMOS technology Using Synchrotron X-ray Lithography and Its Application to 58ps 2V CMOS Gate Array, 1992 Symposium on VLSI Technology, 26-27, Honolulu, June 1992.

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