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登録内容 (EID=120231)

EID=120231EID:120231, Map:0, LastModified:2022年10月27日(木) 15:42:15, Operator:[三木 ちひろ], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[[副研究部長]/[徳島大学.大学院社会産業理工学研究部]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □国際会議 [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨): □Peer Review [継承]
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨):
○著者 (必須): 1. (英) Okazaki Y. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Kobayashi T. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3.小中 信典
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Morimoto T. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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5. (英) Takahashi M. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
6. (英) Imai K. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
7. (英) Kado Y. (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
○題名 (必須): □(英) New Well Structure for Deep Sub-um CMOS/BiCMOS Using thin Epitaxy Over Buried Layer and Trench Isolation  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨): □IEEE [継承]
○誌名 (必須): □ (英) 1990 Symposium on VLSI Technology (日) (読)
○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □ [継承]
○号 (必須): □ [継承]
○頁 (必須): □83 84 [継承]
○都市 (必須): □ホノルル (Honolulu/[アメリカ合衆国]) [継承]
○年月日 (必須): □西暦 1990年 6月 15日 (平成 2年 6月 15日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
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○被引用数 (任意):
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和文冊子 ● Y. Okazaki, T. Kobayashi, Shinsuke Konaka, T. Morimoto, M. Takahashi, K. Imai and Y. Kado : New Well Structure for Deep Sub-um CMOS/BiCMOS Using thin Epitaxy Over Buried Layer and Trench Isolation, 1990 Symposium on VLSI Technology, 83-84, Honolulu, June 1990.
欧文冊子 ● Y. Okazaki, T. Kobayashi, Shinsuke Konaka, T. Morimoto, M. Takahashi, K. Imai and Y. Kado : New Well Structure for Deep Sub-um CMOS/BiCMOS Using thin Epitaxy Over Buried Layer and Trench Isolation, 1990 Symposium on VLSI Technology, 83-84, Honolulu, June 1990.

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