『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=119800)

EID=119800EID:119800, Map:0, LastModified:2005年3月8日(火) 09:33:47, Operator:[岡田 達也], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[岡田 達也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○学科・専攻 (必須): 1.徳島大学.工学研究科.機械工学専攻 (〜2011年3月31日) [継承]
○学位 (必須): □修士
○学位名称 (必須):
[継承]
○言語 (推奨):
○氏名 (必須):
○題名 (必須): □(英)   (日) 4H-SiC薄膜におけるエピ欠陥とイオン注入欠陥   [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意):
○キーワード (推奨):
○年月日 (必須): □西暦 2005年 3月 25日 (平成 17年 3月 25日) [継承]
○指導教員 (必須): 1.岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座]) [継承]
○指導協力教員 (任意):
○審査教員 (必須): 1.吉田 憲一 [継承]
2.岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座]) [継承]
3.高木 均 [継承]
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● [修士] : (氏名) : 4H-SiC薄膜におけるエピ欠陥とイオン注入欠陥, 2005年3月, 岡田 達也 [吉田 憲一, 岡田 達也, 高木 均].
欧文冊子 ● [修士] : (氏名) : 4H-SiC薄膜におけるエピ欠陥とイオン注入欠陥, 2005年3月, 岡田 達也 [吉田 憲一, 岡田 達也, 高木 均].

関連情報

Number of session users = 8, LA = 2.66, Max(EID) = 460878, Max(EOID) = 1227240.