『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=119800)
EID=119800 | EID:119800,
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LastModified:2005年3月8日(火) 09:33:47,
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Owner:[岡田 達也],
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○学科・専攻 (必須): | 1. | 徳島大学.工学研究科.機械工学専攻 (〜2011年3月31日)
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○学位 (必須): | □ | 修士
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○言語 (推奨): |
○氏名 (必須): |
○題名 (必須): | □ | (英) (日) 4H-SiC薄膜におけるエピ欠陥とイオン注入欠陥
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○副題 (任意): |
○要約 (任意): |
○キーワード (推奨): |
○年月日 (必須): | □ | 西暦 2005年 3月 25日 (平成 17年 3月 25日)
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○指導教員 (必須): | 1. | 岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])
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○指導協力教員 (任意): |
○審査教員 (必須): | 1. | 吉田 憲一
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| 2. | 岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])
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| 3. | 高木 均 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.先端技術科学教育部.知的力学システム工学専攻.機械創造システム工学コース.機械科学講座]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座]/[徳島大学.工学部.機械工学科.機械科学講座])
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○備考 (任意): |
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標準的な表示
和文冊子 ● |
[修士] : (氏名) : 4H-SiC薄膜におけるエピ欠陥とイオン注入欠陥, 2005年3月, 岡田 達也 [吉田 憲一, 岡田 達也, 高木 均]. |
欧文冊子 ● |
[修士] : (氏名) : 4H-SiC薄膜におけるエピ欠陥とイオン注入欠陥, 2005年3月, 岡田 達也 [吉田 憲一, 岡田 達也, 高木 均]. |
関連情報
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