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登録内容 (EID=11964)

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種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.機械科学講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])
役割 (任意): (英)   (日) TEM観察,論文執筆   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Kurai Satoshi (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
役割 (任意): (英)   (日) MOCVD成長   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5.猪子 富久治
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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6.酒井 士郎
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 昇華法で作製したGaN単結晶上にGaN膜をMOCVD法でホモエピ成長させた.FIB法により加工して電子線が透過する部分を壁状に加工し,結晶内の転位をTEMにより観察した.また,この観察結果に基づき,GaN単結晶内の転位密度を推定した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters) ([応用物理学会])
ISSN (任意):
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(必須): 35 [継承]
(必須): 10 [継承]
(必須): 1318 1320 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1996年 10月 1日 (平成 8年 10月 1日) [継承]
URL (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Tatsuya Okada, Satoshi Kurai, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, Fukuji Inoko and Shiro Sakai : Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.35, No.10, 1318-1320, 1996.
欧文冊子 ● Tatsuya Okada, Satoshi Kurai, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, Fukuji Inoko and Shiro Sakai : Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.35, No.10, 1318-1320, 1996.

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