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登録内容 (EID=11964)

EID=11964EID:11964, Map:0, LastModified:2022年3月2日(水) 19:49:34, Operator:[直井 美貴], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[岡田 達也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨): □研究 [継承]
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.機械科学講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 (〜2023年3月31日) [継承]
○著者 (必須): 1.岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])
○役割 (任意): □(英)   (日) TEM観察，論文執筆   [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Kurai Satoshi (日) (読)
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
○役割 (任意): □(英)   (日) MOCVD成長   [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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5.猪子 富久治
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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6.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
○題名 (必須): □(英) Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意): □(英)   (日) 昇華法で作製したGaN単結晶上にGaN膜をMOCVD法でホモエピ成長させた．FIB法により加工して電子線が透過する部分を壁状に加工し，結晶内の転位をTEMにより観察した．また，この観察結果に基づき，GaN単結晶内の転位密度を推定した．   [継承]
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨): □応用物理学会 [継承]
○誌名 (必須): □Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters) ([応用物理学会])
○ISSN (任意):
[継承]
○巻 (必須): □35 [継承]
○号 (必須): □10 [継承]
○頁 (必須): □1318 1320 [継承]
○都市 (任意):
○年月日 (必須): □西暦 1996年 10月 1日 (平成 8年 10月 1日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
○CRID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Tatsuya Okada, Satoshi Kurai, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, Fukuji Inoko and Shiro Sakai : Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), 35, 10, 1318-1320, 1996.
欧文冊子 ● Tatsuya Okada, Satoshi Kurai, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, Fukuji Inoko and Shiro Sakai : Transmission Electron Microscopy of Sublimation-Grown GaN Single Crystal and GaN Homoepitaxial Film, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), 35, 10, 1318-1320, 1996.

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