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登録内容 (EID=11962)

EID=11962EID:11962, Map:0, LastModified:2018年11月28日(水) 18:44:10, Operator:[岡田 達也], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[岡田 達也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.機械科学講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) LaPierre R.R. (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2.岡田 達也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.材料科学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.材料科学講座])
役割 (任意): (英)   (日) TEM観察   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Robinson B.J. (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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4. (英) Thompson D.A. (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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5. (英) Weatherly G.C. (日) (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Lateral composition modulation in InGaAsP strained layers and quantum wells grown on (100) InP by gas source molecular beam epitaxy  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) InP(100)基板上にMBE成長させたIn1-xGaxAsyP1-yひずみ薄膜および量子井戸をフォトルミネッセンスおよびTEMで評価した.特に,スピノーダル的な相分離の解析を行った.InP基板とのひずみが0%(格子整合),+0.5%(引張ひずみ),-0.5%(圧縮ひずみ)の3つの場合について,膜の成分を連続的に変えて観察した.膜内の相分離と,表面のモフォロジーとは密接な関係があることが分かった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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ISSN (任意):
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(必須): 158 [継承]
(必須): 1-2 [継承]
(必須): 6 14 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 1996年 1月 1日 (平成 8年 1月 1日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● R.R. LaPierre, Tatsuya Okada, B.J. Robinson, D.A. Thompson and G.C. Weatherly : Lateral composition modulation in InGaAsP strained layers and quantum wells grown on (100) InP by gas source molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.158, No.1-2, 6-14, 1996.
欧文冊子 ● R.R. LaPierre, Tatsuya Okada, B.J. Robinson, D.A. Thompson and G.C. Weatherly : Lateral composition modulation in InGaAsP strained layers and quantum wells grown on (100) InP by gas source molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.158, No.1-2, 6-14, 1996.

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