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登録内容 (EID=118837)

EID=118837EID:118837, Map:0, LastModified:2006年11月28日(火) 10:48:18, Operator:[高木 真由美], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[敖 金平], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 国際会議 [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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組織 (推奨): 1.応用物理学会 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Kikuta Daigo (日) 菊田 大悟 (読)
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Takaki Ryohei (日) 高木 亮平 (読)
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学籍番号 (推奨):
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3. (英) Matsuda Junya (日) 松田 潤也 (読)
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学籍番号 (推奨):
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4. (英) Okada Masaya (日) 岡田 政也 (読)
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学籍番号 (推奨):
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5. (英) Wei Xin (日) (読)
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学籍番号 (推奨):
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6.敖 金平 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
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7.大野 泰夫
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs  (日)    [継承]
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キーワード (推奨): 1. (英) AlGaN/GaN HFET (日) (読) [継承]
2. (英) Metal-Insulator-Semiconductor (日) (読) [継承]
3. (英) gate leakage (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): 応用物理学会 [継承]
誌名 (必須): (英) 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials (日) (読)
ISSN (任意):
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都市 (必須): 東京 (Tokyo/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2004年 9月 16日 (平成 16年 9月 16日) [継承]
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和文冊子 ● Daigo Kikuta, Ryohei Takaki, Junya Matsuda, Masaya Okada, Xin Wei, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs, 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials, (巻), (号), (頁), Tokyo, Sep. 2004.
欧文冊子 ● Daigo Kikuta, Ryohei Takaki, Junya Matsuda, Masaya Okada, Xin Wei, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs, 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials, (巻), (号), (頁), Tokyo, Sep. 2004.

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