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登録内容 (EID=118404)

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種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
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学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Ueta Yoshihiro (日) (読) うえた よしひろ
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学籍番号 (推奨):
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2. (英) Sato Hisao (日) (読) さとう ひさお
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学籍番号 (推奨):
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3.酒井 士郎
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学籍番号 (推奨):
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4.福井 萬壽夫
役割 (任意): (英)   (日) 計画,考察   [継承]
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学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) X-ray photoelectron spectroscopy study of GaN and GaP surfaces annealed in PH3 and NH3 and metalorganic chemical vapor deposition growth of GaN / GaP heterostructures  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) PH3 ,NH3中のGaN,GaPのアニーリング効果について調査し,GaN上のGaP,GaP上のGaNのMOCVD法による成長を行った.それにより次の結果が得られた.約 800℃の低温でのNH3中のアニーリングにより,GaP内にN原子が入り込み,ウルツ鉱型GaN結晶が形成される.しかしGaN結晶の品質は低く,GaP は劣化する.一方,PH3中でのアニーリングでは,GaN中にP原子を導入するためには高温アニーリングが必要である.GaP上に堅いGaNをヘテロ成長させると,基板の品質を劣化させ,逆に,堅いGaNの上に成長させた柔らかいGaPは,基板の品質に大いに影響されること.等がわかった.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): Elsevier (->組織[Elsevier Science]) [継承]
誌名 (必須): Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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ISSN (任意):
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(必須): 145 [継承]
(必須): 1-4 [継承]
(必須): 203 208 [継承]
都市 (任意): アムステルダム (Amsterdam/[オランダ王国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 1994年 12月 2日 (平成 6年 12月 2日) [継承]
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標準的な表示

和文冊子 ● Yoshihiro Ueta, Hisao Sato, Shiro Sakai and Masuo Fukui : X-ray photoelectron spectroscopy study of GaN and GaP surfaces annealed in PH3 and NH3 and metalorganic chemical vapor deposition growth of GaN / GaP heterostructures, Journal of Crystal Growth, Vol.145, No.1-4, 203-208, 1994.
欧文冊子 ● Yoshihiro Ueta, Hisao Sato, Shiro Sakai and Masuo Fukui : X-ray photoelectron spectroscopy study of GaN and GaP surfaces annealed in PH3 and NH3 and metalorganic chemical vapor deposition growth of GaN / GaP heterostructures, Journal of Crystal Growth, Vol.145, No.1-4, 203-208, 1994.

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