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登録内容 (EID=118404)

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○種別 (必須): □学術論文 (審査論文) [継承]
○言語 (必須): □英語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Ueta Yoshihiro (日) (読) うえた よしひろ
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Sato Hisao (日) (読) さとう ひさお
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
3.酒井 士郎
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
[継承]
4.福井 萬壽夫
○役割 (任意): □(英)   (日) 計画，考察   [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英) X-ray photoelectron spectroscopy study of GaN and GaP surfaces annealed in PH3 and NH3 and metalorganic chemical vapor deposition growth of GaN / GaP heterostructures  (日)    [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意): □(英)   (日) PH3 ，NH3中のGaN，GaPのアニーリング効果について調査し，GaN上のGaP，GaP上のGaNのMOCVD法による成長を行った．それにより次の結果が得られた．約 800℃の低温でのNH3中のアニーリングにより，GaP内にN原子が入り込み，ウルツ鉱型GaN結晶が形成される．しかしGaN結晶の品質は低く，GaP は劣化する．一方，PH3中でのアニーリングでは，GaN中にP原子を導入するためには高温アニーリングが必要である．GaP上に堅いGaNをヘテロ成長させると，基板の品質を劣化させ，逆に，堅いGaNの上に成長させた柔らかいGaPは，基板の品質に大いに影響されること．等がわかった．   [継承]
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨): □Elsevier (->組織[Elsevier Science]) [継承]
○誌名 (必須): □Journal of Crystal Growth ([Elsevier])
(resolved by 0022-0248)
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
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○ISSN (任意):
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○巻 (必須): □145 [継承]
○号 (必須): □1-4 [継承]
○頁 (必須): □203 208 [継承]
○都市 (任意): □アムステルダム (Amsterdam/[オランダ王国]) [継承]
○年月日 (必須): □西暦 1994年 12月 2日 (平成 6年 12月 2日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
○NAID (任意):
○WOS (任意):
○Scopus (任意):
○評価値 (任意):
○被引用数 (任意):
○指導教員 (推奨):
○備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Yoshihiro Ueta, Hisao Sato, Shiro Sakai and Masuo Fukui : X-ray photoelectron spectroscopy study of GaN and GaP surfaces annealed in PH3 and NH3 and metalorganic chemical vapor deposition growth of GaN / GaP heterostructures, Journal of Crystal Growth, Vol.145, No.1-4, 203-208, 1994.
欧文冊子 ● Yoshihiro Ueta, Hisao Sato, Shiro Sakai and Masuo Fukui : X-ray photoelectron spectroscopy study of GaN and GaP surfaces annealed in PH3 and NH3 and metalorganic chemical vapor deposition growth of GaN / GaP heterostructures, Journal of Crystal Growth, Vol.145, No.1-4, 203-208, 1994.

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