『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=11605)

EID=11605EID:11605, Map:0, LastModified:2007年12月26日(水) 18:04:41, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 工学部•夜間主 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2000年 (平成 12年) [継承]
名称 (必須): (英) Semiconductor Device (日) 半導体工学 (読) はんどうたいこうがく
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コース (必須): 1.2000/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]/[夜間主コース] [継承]
担当教員 (必須): 1.富永 喜久雄
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英)   (日) 半導体材料やデバイスの理解を主たる目的とする.半導体中の電子·正孔のふるまいを理解するための基礎から始め,それに基づいて具体的な半導体デバイスについて講述する.とくにpn接合とトランジスタの理解をはかる.   [継承]
概要 (必須): (英)   (日) まず半導体を理解するために必要となる固体物理の基礎から始める.E-k図,還元ゾーン方式,有効質量,正孔の概念,通常の半導体Ge,Si,GaAsのエネルギーバンド図.つぎに,半導体の性質について,電気的,磁気的,光学的,光電的性質について述べる.(p形,n形,フェルミエネルギー,キャリア移動度,再結合,拡散距離,電気伝導度,ホール効果,光起電力,発光現象)つづいて,PN接合理論と実際のダイオード特性について講述する.これをもとにトランジスタやその他のデバイスの動作について説明する.(ショットキー障壁,オーミック接触,ホモ接合とヘテロ接合,PN接合ダイオード,バイポーラトランジスタ,サイリスタ,熱電半導体,圧電半導体などの素子)   [継承]
キーワード (推奨):
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨):
要件 (任意):
注意 (任意):
目標 (必須):
計画 (必須): 1.(英)   (日) 固体物理の基礎  
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2.(英)   (日) 半導体の基礎的性質  
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3.(英)   (日) 半導体の諸性質  
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4.(英)   (日) 接合ならびに界面の現象  
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5.(英)   (日) ダイオード  
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6.(英)   (日) バイポーラトランジスタ  
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7.(英)   (日) ユニポーラ(FET)トランジスタ  
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8.(英)   (日) パワーエレクトロニクス  
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9.(英)   (日) 半導体ホトニクス  
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10.(英)   (日) 集積回路と半導体材料処理技術  
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評価 (必須): (英)   (日) 平常点と期末試験の合計で評価する.   [継承]
対象学生 (任意):
教科書 (必須): 1.(英)   (日) 松浪弘之著「半導体工学(第2版)」昭晃堂   [継承]
参考資料 (推奨): 1.(英)   (日) 古川静二郎·松村正清共著「電子デバイス[ ]および[ ]」昭晃堂   [継承]
2.(英)   (日) S.M.ジィー「半導体デバイス」 産業図書.   [継承]
URL (任意):
連絡先 (推奨):
科目コード (推奨):
備考 (任意): 1.(英)   (日) 一般的ではあるが,講義内容を週内で消化するようにすること.   [継承]
2.(英)   (日) 平常点と試験の比率は4:6とする.平常点には講議への出席状況,小テスト,レポートの提出状況と内容を含む.   [継承]

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和文冊子 ● 半導体工学 / Semiconductor Device
欧文冊子 ● Semiconductor Device / 半導体工学

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