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登録内容 (EID=113922)

EID=113922EID:113922, Map:0, LastModified:2005年3月1日(火) 18:35:40, Operator:[高木 均], Avail:TRUE, Censor:承認済, Owner:[高木 均], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
○種別 (必須): □国内講演発表 [継承]
○言語 (必須): □日本語 [継承]
○招待 (推奨):
○審査 (推奨):
○カテゴリ (推奨):
○共著種別 (推奨):
○学究種別 (推奨):
○組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.知能機械学講座 (〜2023年3月31日) [継承]
○著者 (必須): 1. (英) Honda Tomotaka (日) 本田 友伯 (読) ほんだ ともたか
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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2.高木 均
○役割 (任意): □(英)   (日) 総括，計画，実験，考察，第1,3著者(学生)の指導   [継承]
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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3. (英) Kubo Toyokazu (日) 久保 豊和 (読) くぼ とよかず
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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4.三澤 弘明 ([北海道大学])
○役割 (任意):
○貢献度 (任意):
○学籍番号 (推奨):
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○題名 (必須): □(英)   (日) Ni-Ti形状記憶合金薄膜の応答性に関する研究   [継承]
○副題 (任意):
○要約 (任意): □(英)   (日) 本講演論文では，二方向性をもつNi-Ti形状記憶合金の薄膜を作製し，応答特性の評価を行った．大きな応答振幅を得るためには，加熱条件に注意する必要があり，過度の加熱や微弱な加熱では応答振幅は減少した．本研究で作製した薄膜においては，ランプ出力約6W，デューティ比50%の加熱条件が最適となり，応答周波数300Hzの高速応答を確認した．しかし，同一の加熱条件では応答周波数の上昇に伴い応答性は低下する傾向にあった．このため，低周波域と高周波域で異なる加熱条件(ランプ出力およびデューティ比)にすることで応答振幅の増加が可能になることを指摘した．   [継承]
○キーワード (推奨):
○発行所 (推奨): □日本機械学会 [継承]
○誌名 (必須): □ (英) (日) 日本機械学会中国四国支部第41期総会·講演会講演論文集 (読) にほんきかいがっかいちゅうごくしこくしぶそうかいこうえんかいろんぶんしゅう
○ISSN (任意):
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○巻 (必須):
○号 (必須):
○頁 (必須): □45 46 [継承]
○都市 (必須): □鳥取 (Tottori/[日本国]) [継承]
○年月日 (必須): □西暦 2003年 3月 6日 (平成 15年 3月 6日) [継承]
○URL (任意):
○DOI (任意):
○PMID (任意):
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和文冊子 ● 本田 友伯, 高木 均, 久保 豊和, 三澤 弘明 : Ni-Ti形状記憶合金薄膜の応答性に関する研究, 日本機械学会中国四国支部第41期総会·講演会講演論文集, (巻), (号), 45-46, 2003年3月.
欧文冊子 ● Tomotaka Honda, Hitoshi Takagi, Toyokazu Kubo and Hiroaki Misawa : Ni-Ti形状記憶合金薄膜の応答性に関する研究, 日本機械学会中国四国支部第41期総会·講演会講演論文集, (巻), (号), 45-46, March 2003.

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