『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=113466)

EID=113466EID:113466, Map:[2004/光半導体デバイス論], LastModified:2007年12月28日(金) 22:28:59, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[博士後期課程運営委員会委員長]/[徳島大学.工学研究科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 工学研究科 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2005年 (平成 17年) [継承]
名称 (必須): (英) Photonic Semiconductor Device Physics (日) 光半導体デバイス論 (読) ひかりはんどうたいでばいすろん
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コース (必須): 1.2005/[徳島大学.工学研究科.物質材料工学専攻]/[博士後期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.酒井 士郎
肩書 (任意):
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2.直井 美貴 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所]/[徳島大学.創成科学研究科.理工学専攻.電気電子システムコース(創成科学研究科).物性デバイス講座(創成科学研究科)]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座]/[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座])
肩書 (任意):
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3.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英)   (日) 半導体を用いた受光·発光素子の動作特性およびその作製方法を理解する.   [継承]
概要 (必須): (英)   (日) 半導体中における電子と光の相互作用,超格子半導体の物性,それらの光デバイスへの応用について述べる.また,半導体デバイス実現の手段としての半導体結晶成長と,ヘテロエビタキシーについての講義を行う.   [継承]
キーワード (推奨):
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨):
要件 (任意):
注意 (任意):
目標 (必須): 1.(英)   (日) 光デバイスの動作特性を,光と電子の相互作用の観点から理解できる.  
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2.(英)   (日) 量子効果デバイスの動作原理が理解できる.  
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3.(英)   (日) 光デバイス作製のための結晶成長技術および関連技術について理解できる.  
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計画 (必須): 1.(英)   (日) 光半導体デバイスとは  
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2.(英)   (日) 半導体のバンド構造  
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3.(英)   (日) 半導体における電子統計  
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4.(英)   (日) 半導体中の電子伝導  
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5.(英)   (日) 量子効果デバイス,超格子  
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6.(英)   (日) 半導体の光吸収(電子と光の相互作用)  
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7.(英)   (日) 光伝導と光起電力,フォトダイオード  
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8.(英)   (日) 半導体発光の物理  
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9.(英)   (日) 輻射再結合と非輻射再結合,誘導放出,自然放出  
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10.(英)   (日) 半導体発光ダイオード·レーザー  
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11.(英)   (日) 光通信用デバイス  
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12.(英)   (日) 光半導体デバイス用基板作製技術  
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13.(英)   (日) 有機金属気相成長法,分子線エピタキシャル成長法  
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14.(英)   (日) オーミック電極形成技術  
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15.(英)   (日) ナノ光デバイスデバイスと加工技術  
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16.(英)   (日) 試験  
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評価 (必須):
対象学生 (任意):
教科書 (必須):
参考資料 (推奨):
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この情報を取り巻くマップ

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和文冊子 ● 光半導体デバイス論 / Photonic Semiconductor Device Physics
欧文冊子 ● Photonic Semiconductor Device Physics / 光半導体デバイス論

関連情報

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