『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
登録内容 (EID=113450)
| EID=113450 | EID:113450,
Map:[2004/光機能材料·光デバイス特論2],
LastModified:2007年12月28日(金) 22:28:54,
Operator:[大家 隆弘],
Avail:TRUE,
Censor:0,
Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.光応用工学科]],
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| ○種別 (必須): | □ | 工学研究科 (授業概要)
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| ○入学年度 (必須): | □ | 西暦 2005年 (平成 17年)
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| ○名称 (必須): | □ | (英) Advanced Lecture in Optical Materials and Devices, Part 2 (日) 光機能材料·光デバイス特論2 (読) ひかりきのうざいりょうひかりでばいすとくろん
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| ○形態 (不用): | 1. | 講義
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| ○コース (必須): | 1. | 2010/[徳島大学.工学研究科.光応用工学専攻]/[博士前期課程]
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| ○担当教員 (必須): | 1. | 井上 哲夫
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| ○単位 (必須): | □ | 1
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| ○目的 (必須): | □ | (英) (日) 光学結晶の結晶成長について最近の話題や今後の展望について理解させる
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| ○概要 (必須): | □ | (英) (日) 光学結晶のキーマテリアルの育成条件について，最近の話題をまじえて講義する．
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| ○キーワード (推奨): |
| ○先行科目 (推奨): |
| ○関連科目 (推奨): |
| ○要件 (任意): |
| ○注意 (任意): |
| ○目標 (必須): | 1. | (英) (日) 結晶成長についての最近の話題や問題点を理解させる
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| ○計画 (必須): | 1. | (英) (日) 結晶成長学の研究史
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| 2. | (英) (日) CZ法によるSiの結晶成長
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| 3. | (英) (日) Siの酸素濃度制御について
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| 4. | (英) (日) Siの育成時における欠陥導入機構について
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| 5. | (英) (日) FZ法によるSiの結晶成長について
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| 6. | (英) (日) 化合物半導体結晶(1)
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| 7. | (英) (日) 化合物半導体結晶(2)
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| 8. | (英) (日) 化合物半導体結晶(3)
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| 9. | (英) (日) 光応用結晶(1)(フッ化カルシウム)
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| 10. | (英) (日) 光応用結晶(2)(YAG，サファイア)
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| 11. | (英) (日) 光応用結晶(3)(KTP，CLBO)
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| 12. | (英) (日) 光応用結晶(4)(LN，LT)
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| 13. | (英) (日) 光応用結晶(5)(人工水晶)
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| 14. | (英) (日) 光応用結晶(6)(ダイアモンド)
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| 15. | (英) (日) 光応用結晶(7)(Si-Ge結晶)
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| 16. | (英) (日) 光応用結晶(8)(有機結晶)
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| ○評価 (必須): | □ | (英) (日) レポートによる
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| ○対象学生 (任意): |
| ○教科書 (必須): | 1. | (英) (日) プリント
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| ○参考資料 (推奨): |
| ○URL (任意): |
| ○連絡先 (推奨): | 1. | 井上 哲夫
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| ○科目コード (推奨): |
| ○備考 (任意): |
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マップを行っている情報の編集について
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この情報を取り巻くマップ
| 【授業概要】(2004/光機能材料·光デバイス特論2)
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標準的な表示
| 和文冊子 ● |
光機能材料·光デバイス特論2 / Advanced Lecture in Optical Materials and Devices, Part 2
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| 欧文冊子 ● |
Advanced Lecture in Optical Materials and Devices, Part 2 / 光機能材料·光デバイス特論2
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関連情報
この情報を参照している情報
 【授業概要】…(1) |
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