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登録内容 (EID=113438)

EID=113438EID:113438, Map:[2004/結晶成長学特論], LastModified:2006年1月21日(土) 14:20:27, Operator:[井上 哲夫], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.光応用工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 工学研究科 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2006年 (平成 18年) [継承]
名称 (必須): (英) Advanced Lecture in Crystal Growth (日) 結晶成長学特論 (読) けっしょうせいちょうがくとくろん
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形態 (不用): 1.講義 [継承]
コース (必須): 1.2010/[徳島大学.工学研究科.光応用工学専攻]/[博士前期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.井上 哲夫
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英) The function of optical device is strongly dependent on the quality of crystals. It is important to understand the growth mechanism in order to grow high quality crystals. The purposes of this lecture are to teach the various techniques for crystal growing and relation between the crystal quality and growth condition in connection with the growth mechanism.  (日) 光学素子として,結晶が機能を発現するには,高品質な結晶を作成する必要がある.そのためには結晶が成長する機構を理解し,それとの関連で育成技術を改良したり,開発する必要がある.本講義の目的は,各種の育成技術を理解させ,また高品質結晶の育成条件について理解させることである.   [継承]
概要 (必須): (英) (1) Growth mechanisms of crystals from the melt, solution and vapor. (2) Techniques for growing optical crystals of high quality. (3) Epitaxial growth from the vapor and/or solution. (2 units)  (日) 各種環境相(融液,溶液,気相)から結晶が成長する機構について述べ,主たる光学結晶がどのようにして作成されるかを講義する.また光学結晶には高品質が要求されるのでそのための育成技術についてさらにエピタキシャル法による高品質単結晶膜の作成について講述する.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) optical crystal (日) 光学結晶 (読) [継承]
2. (英) crystal growing technique (日) 結晶育成技術 (読) [継承]
3. (英) crystal perfection (日) 結晶完全性 (読) [継承]
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨): 1.光機能材料·光デバイス特論2 ([2010/[徳島大学.工学研究科.光応用工学専攻]/[博士前期課程]]/->授業概要[2004/光機能材料·光デバイス特論2])
関連度 (任意):
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2.光物性工学 ([2010/[徳島大学.工学研究科.光応用工学専攻]/[博士前期課程]]/->授業概要[2004/光物性工学])
関連度 (任意):
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3.物質化学特論 ([2010/[徳島大学.工学研究科.光応用工学専攻]/[博士前期課程]]/->授業概要[2004/物質化学特論])
関連度 (任意):
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要件 (任意):
注意 (任意):
目標 (必須): 1.(英) to understand the mechanism of crystal growth  (日) 結晶の成長機構を理解させる  
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2.(英) to understand various techniqes for crystal growth  (日) 各種の結晶育成方法について理解させる  
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3.(英) to understand the relationship between the growth condition and crystal perfection  (日) 結晶育成条件と結晶の完全性との関連を理解させる  
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計画 (必須): 1.(英) Epitaxial growth (1) (vacuum epitaxial)  (日) エピタキシャル成長について(1)(真空エピタキシャル)  
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2.(英) Epitaxial growth (2) (chemical vapor epitaxial)  (日) エピタキシャル成長について(2)(化学気相エピタキシャル)  
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3.(英) Epitaxial growth (3) (liquid phase epitaxial)  (日) エピタキシャル成長について(3) (液層エピタキシャル)  
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4.(英) Growth of optical crystals( - compounds)  (日) 光学結晶(Ⅱ-Ⅵ化合物)の結晶成長  
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5.(英) Growth of Si crystal (1)  (日) Siの結晶成長 (1)  
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6.(英) Growth of Si crystal (2)  (日) Siの結晶成長 (2)  
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7.(英) Growth of oxide crystals (1)  (日) 酸化物の結晶成長 (1)  
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8.(英) Growth of oxide crystals (2)  (日) 酸化物の結晶成長 (2)  
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9.(英) Mid-term examination  (日) 中間試験  
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10.(英) Growth of halide crystals  (日) フッ化物を中心としたハライドの結晶成長  
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11.(英) Defects of crystals (1)  (日) 格子欠陥 (1)  
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12.(英) Defects of crystals (2)  (日) 格子欠陥 (2)  
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13.(英) Defect generation in crystal growth  (日) 結晶成長と格子欠陥導入機構  
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14.(英) Characterization of crystals (1)  (日) 結晶の評価 (1)  
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15.(英) Characterization of crystals (2)  (日) 結晶の評価 (2)  
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16.(英) Term end examination  (日) 期末試験  
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評価 (必須): (英) Midterm examination (40%), Term end examination (40%), Attitude(20%)  (日) 中間試験(40%),期末試験(40%),講義への取り組み状況(出席状況,質疑応答など)(20%)で評価する.   [継承]
再評価 (不用): (英) Reexamination  (日) 再試験により評価する   [継承]
対象学生 (任意): 他学科学生も履修可能 [継承]
教科書 (必須): 1.(英) Distribution of teaching materials  (日) プリント配布   [継承]
参考資料 (推奨):
URL (任意):
連絡先 (推奨): 1.井上 哲夫
オフィスアワー (任意):
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科目コード (推奨):
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和文冊子 ● 結晶成長学特論 / Advanced Lecture in Crystal Growth
欧文冊子 ● Advanced Lecture in Crystal Growth / 結晶成長学特論

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