『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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登録内容 (EID=113426)

EID=113426EID:113426, Map:[2004/半導体工学特論], LastModified:2007年12月28日(金) 22:28:49, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[教務委員会委員]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 工学研究科 (授業概要) [継承]
入学年度 (必須): 西暦 2005年 (平成 17年) [継承]
名称 (必須): (英) Advanced Theory of Semiconductors (日) 半導体工学特論 (読) はんどうたいこうがくとくろん
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コース (必須): 1.2005/[徳島大学.工学研究科.電気電子工学専攻]/[博士前期課程] [継承]
担当教員 (必須): 1.西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
肩書 (任意):
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単位 (必須): 2 [継承]
目的 (必須): (英)   (日) 各種半導体デバイスの基礎となる半導体物理および基本的なデバイスの動作原理を理解する.   [継承]
概要 (必須): (英)   (日) 半導体の基本的な性質,特にキャリアの挙動について詳述する.また,pn接合やショットキー障壁の特性について,理想的でない場合も含めて述べる.   [継承]
キーワード (推奨):
先行科目 (推奨):
関連科目 (推奨):
要件 (任意):
注意 (任意):
目標 (必須): 1.(英)   (日) 半導体中でのキャリアの挙動(散乱機構など)を説明できる.  
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2.(英)   (日) 簡単な条件での拡散方程式を解くことができる.  
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3.(英)   (日) pn接合やショットキー障壁の特性を説明できる.  
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計画 (必須): 1.(英)   (日) 結晶構造  
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2.(英)   (日) エネルギーバンド  
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3.(英)   (日) 熱平衡状態におけるキャリア密度  
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4.(英)   (日) キャリアの輸送  
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5.(英)   (日) フォノン  
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6.(英)   (日) 高電界効果  
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7.(英)   (日) キャリアの連続の方程式および拡散方程式  
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8.(英)   (日) pn接合  
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9.(英)   (日) 金属-半導体接触  
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標準的な表示

和文冊子 ● 半導体工学特論 / Advanced Theory of Semiconductors
欧文冊子 ● Advanced Theory of Semiconductors / 半導体工学特論

関連情報

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