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登録内容 (EID=104490)

EID=104490EID:104490, Map:0, LastModified:2017年4月30日(日) 18:17:23, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[森 篤史], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術レター (ショートペーパー) [継承]
言語 (必須): 日本語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.大阪府立大学 [継承]
2.徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座 [継承]
著者 (必須): 1. (英) Higashino Toshiyuki (日) 東野 徒士之 (読) ひがしの としゆき
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Tanahashi Katuto (日) 棚橋 克人 (読) たなはし かつと
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Inoue, Naohisa (日) 井上 直久 (読) いのうえ なおひさ
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学籍番号 (推奨):
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4.森 篤史
役割 (任意): (英)   (日) 議論   [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Temperature Gradient and Heat Balance at the Silid-liquid Interface in CZ Silicon Growth  (日) シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス   [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) Heat balance and temperature gradient at solid liquid interface in CZ silicon growth is examained. Contribution of heat transfer due to mass transport and radiative heat flow to total heat balance is calculated to be about 10% of that of latent heat. Measuremant problem is briefly discussed. The relation between the temperature gradient and the growth rate is qualitatively analyzed using the heat balance equation.  (日) CZシリコン成長にける熱バランスと固液界面における温度勾配を調べる.全熱収支に対する物質流による熱流と輻射熱の寄与は潜熱の約10%と計算された.温度勾配と成長速度の関係を熱バランス方程式を使って定性的に解析した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): (英) (日) 日本真空協会 (読) [継承]
誌名 (必須): 真空 (日本真空学会)
(pISSN: 0559-8516, eISSN: 1880-9413)

ISSN (任意): 1880-9413
ISSN: 0559-8516 (pISSN: 0559-8516, eISSN: 1880-9413)
Title: 真空
Supplier: 一般社団法人 日本真空学会
Publisher: Shinku Kyokai
 (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 43 [継承]
(必須): 5 [継承]
(必須): 603 606 [継承]
都市 (任意):
年月日 (必須): 西暦 2000年 5月 20日 (平成 12年 5月 20日) [継承]
URL (任意): https://www.jstage.jst.go.jp/article/jvsj1958/43/5/43_5_603/_article/-char/ja/ [継承]
DOI (任意): 10.3131/jvsj.43.603    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 10004562406 [継承]
WOS (任意):
Scopus (任意):
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被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
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標準的な表示

和文冊子 ● 東野 徒士之, 棚橋 克人, 井上 直久, 森 篤史 : シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス, 真空, Vol.43, No.5, 603-606, 2000年.
欧文冊子 ● Toshiyuki Higashino, Katuto Tanahashi, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : Temperature Gradient and Heat Balance at the Silid-liquid Interface in CZ Silicon Growth, Journal of the Vacuum Society of Japan, Vol.43, No.5, 603-606, 2000.

関連情報

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