『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=101317)

EID=101317EID:101317, Map:0, LastModified:2017年11月29日(水) 17:45:33, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[日下 一也], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座 [継承]
2.徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座 [継承]
著者 (必須): 1.日下 一也 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3.富永 喜久雄
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Yamauchi Noriyoshi (日) 山内 規義 (読) やまうち のりよし
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Effect of Substrate Temperature on Crystal Orientation and Residual Stress in Radio Frequency Sputtered Gallium-Nitride Films  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) The crystal orientation and residual stress in gallium nitride (GaN) films deposited on a single-crystal (0001) sapphire substrate using a sputtering system are examined through x-ray diffraction measurements as part of a study of low-temperature sputtering techniques for GaN. The rf sputtering system has an isolated deposition chamber to prevent contamination with impurities, and is expected to produce high-purity nitride films. GaN films are deposited at various substrate temperatures and constant gas pressure and input power. This system is found to produce GaN films with good crystal orientation, with the c axes of GaN crystals oriented normal to the substrate surface. The crystal size of films deposited at high temperature is larger than that deposited at low TS. All films except that deposited at 973 K exhibit compressive residual stress, and this residual stress is found to decrease with increasing temperature. Finally, the film deposited at 973 K was tinged with white, and the surface contained numerous microcracks.  (日) GaNの低温スパッタリング技術の研究として,スパッタリングシステムを用いて(0001)単結晶サファイア基板上に堆積した窒化ガリウム(GaN)の結晶配向性と残留応力をX線回折法により調べた.高周波スパッタリングシステムは,不純物による汚染を防ぐために孤立した堆積室を持ち,高純度窒化膜を生成することが期待できる.いろいろな基板温度,一定のガス圧,一定の供給電力でGaN膜を堆積した.このシステムにより,基板面法線方向にGaN結晶のc軸が優先配向し,良い結晶配向性を有するGaN膜の生成することがわかった.高温で堆積した膜の結晶サイズは,低TSで生成したものよりも大きくなる.973Kで堆積したものを除くすべての膜で圧縮残留応力が現れ,この残留応力は温度の増加とともに減少する.最後に973Kで堆積した膜は白く着色し,表面には多数の微小クラックが含有した.   [継承]
キーワード (推奨):
発行所 (推奨): (英) American Vacuum Society (日) アメリカ真空学会 (読) あめりかしんくうがっかい [継承]
誌名 (必須): Journal of Vacuum Science & Technology A (American Vacuum Society/[American Institute of Physics])
(pISSN: 0734-2101, eISSN: 1520-8559)

ISSN (任意): 0734-2101
ISSN: 0734-2101 (pISSN: 0734-2101, eISSN: 1520-8559)
Title: Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films : an official journal of the American Vacuum Society
Title(ISO): J Vac Sci Technol A
Publisher: American Institute of Physics
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
[継承]
[継承]
(必須): 22 [継承]
(必須): 4 [継承]
(必須): 1587 1590 [継承]
都市 (任意): ニューヨーク (New York/[アメリカ合衆国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2004年 7月 21日 (平成 16年 7月 21日) [継承]
URL (任意): http://scitation.aip.org/getabs/servlet/GetabsServlet?prog=normal&id=JVTAD6000022000004001587000001&idtype=cvips&gifs=Yes [継承]
DOI (任意): 10.1116/1.1759348    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000223322000085 [継承]
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Noriyoshi Yamauchi : Effect of Substrate Temperature on Crystal Orientation and Residual Stress in Radio Frequency Sputtered Gallium-Nitride Films, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.22, No.4, 1587-1590, 2004.
欧文冊子 ● Kazuya Kusaka, Takao Hanabusa, Kikuo Tominaga and Noriyoshi Yamauchi : Effect of Substrate Temperature on Crystal Orientation and Residual Stress in Radio Frequency Sputtered Gallium-Nitride Films, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol.22, No.4, 1587-1590, 2004.

関連情報

Number of session users = 1, LA = 2.09, Max(EID) = 360826, Max(EOID) = 966462.