『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:

登録内容 (EID=101110)

EID=101110EID:101110, Map:0, LastModified:2013年1月22日(火) 13:34:35, Operator:[松井 栄里], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[富田 卓朗], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨):
カテゴリ (推奨):
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学研究科.エコシステム工学専攻 (〜2014年3月31日) [継承]
著者 (必須): 1.富田 卓朗 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
2. (英) Saito Shingo (日) 齋藤 伸吾 (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
3. (英) Suemoto Tohru (日) 末元 徹 (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
4. (英) Harima Hiroshi (日) 播磨 弘 (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
5. (英) Nakashima Shin-ichi (日) 中島 信一 (読)
役割 (任意):
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
[継承]
題名 (必須): (英) Structure dependent ultrafast relaxation time of photo-excited carriers in SiC  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英) The ultrafast inter-conduction band carrier dynamics in 6H-SiC and 4H-SiC was observed by using the pump and probe transient absorption technique. The observed decay times of transmission changes are 1.25ps for 6H-SiC and 630 fs for 4H-SiC, respectively. Dependence of the transmission change on probe wavelength and polarization were analyzed by using the steady-state absorption profiles. From this analysis, the transmission change was ascribed to the decrease of electron population in the lowest conduction band. The experimental results show that the decay of the transmission change was dominated by the inter-band electron phonon scattering. The inter-band deformation potential in 4H-SiC, deduced from the observed decay time, was 1.25 times larger than that in 6H-SiC. This polytype dependence of inter-band deformation potential is discussed in terms of the hexagonality and band-gap energies.  (日)    [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) silicon carbide (日) (読) [継承]
2. (英) polytype (日) (読) [継承]
3. (英) electron phonon scattering (日) (読) [継承]
4. (英) transient absorption (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): 日本物理学会 [継承]
誌名 (必須): Journal of the Physical Society of Japan ([日本物理学会])
(pISSN: 0031-9015, eISSN: 1347-4073)

ISSN (任意): 0031-9015
ISSN: 0031-9015 (pISSN: 0031-9015, eISSN: 1347-4073)
Title: Journal of the Physical Society of Japan
Supplier: 一般社団法人日本物理学会
Publisher: The Physical Society of Japan
 (Webcat Plus  (J-STAGE  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
[継承]
[継承]
(必須): 73 [継承]
(必須): 9 [継承]
(必須): 2554 2561 [継承]
都市 (任意): 東京 (Tokyo/[日本国]) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2004年 9月 15日 (平成 16年 9月 15日) [継承]
URL (任意): http://ci.nii.ac.jp/naid/110001955016/ [継承]
DOI (任意): 10.1143/JPSJ.73.2554    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意): 110001955016 [継承]
WOS (任意): 000224005200036 [継承]
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Takuro Tomita, Shingo Saito, Tohru Suemoto, Hiroshi Harima and Shin-ichi Nakashima : Structure dependent ultrafast relaxation time of photo-excited carriers in SiC, Journal of the Physical Society of Japan, Vol.73, No.9, 2554-2561, 2004.
欧文冊子 ● Takuro Tomita, Shingo Saito, Tohru Suemoto, Hiroshi Harima and Shin-ichi Nakashima : Structure dependent ultrafast relaxation time of photo-excited carriers in SiC, Journal of the Physical Society of Japan, Vol.73, No.9, 2554-2561, 2004.

関連情報

Number of session users = 1, LA = 0.77, Max(EID) = 382848, Max(EOID) = 1022901.