『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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[学科・専攻]=閲覧 徳島大学
REF=閲覧 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座

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[学科・専攻](学位授与学科・専攻(論文博士の場合には研究科名))による分類 :
閲覧 閲覧 徳島大学
閲覧 閲覧 工学部 ([徳島大学]) …(52)
[学位](学位の種別)による分類 :
[年月日](発行年月日)による分類
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抽出結果のリスト

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閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法による無極性GaNの結晶成長に関する研究, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるa面GaNのピットの観察, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : フラックス法により成長したBPの結晶構造の解析, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : サファイア基板上MOCVD成長AlGaN薄膜の高品質化に関する研究, 2006年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 340nm帯ナイトライドベースUV-LEDの発光特性, 2006年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノ構造加工を用いたLED光取り出し効率改善に関する研究, 2006年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : p型AlGaNの活性化に関する検討, 2006年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : TiO2スパッタ膜の作製とその光触媒の評価, 2007年2月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : PLD法によるIn-Ga-Zn系酸化物透明導電性薄膜の作製, 2007年2月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Cuフラックスを用いたBPの結晶成長, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法による厚膜AlGaN成長条件の検討, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法によるa面GaNの結晶成長, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 高効率紫外LEDのための高品質AlGaN成長に関する検討, 2007年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : a面GaN結晶成長におけるr面サファイアオフ角の結晶品質に及ぼす影響, 2007年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : スクラッチング法による窒化物LEDの光取り出し効率改善に関する検討, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlInGaN系紫外LEDのエレクトロルミネッセンスの温度特性, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GPIB制御によるLED特性評価プログラムの構築, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 紫外LED開発の現状と課題, 2007年3月, 西野 克志 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 白色LED開発の現状と課題, 2007年3月, 西野 克志 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ガラス基板上へのIn2O3-ZnO系透明導電膜の作製に関する研究, 2008年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : スパッタ法により作製されたTiO2膜とその光触媒効果, 2008年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : PLD法によるIn-Ga-Zn系酸化物透明導電性薄膜の膜厚特性, 2008年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡による窒化物半導体の観察, 2009年2月, 西野 克志 [西野 克志]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : RF-DC併用マグネトロンスパッタ法による光触媒TiO2膜に関する研究, 2009年2月, 富永 喜久雄 (川上 烈生), [富永 喜久雄]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 石英基板上へのPLD法によるIGZO導電膜の作製とその評価, 2009年2月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : IZOアモルファス透明導電膜の作製ー膜のアニーリングとその効果ー, 2009年2月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 電子ビーム照射によるシリコン表面の絶縁膜帯電のシミュレーション, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ヘリウムイオン顕微鏡によるナノ構造観測のシミュレーション, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 低エネルギーイオン・固体相互作用のモンテカルロシミュレーション, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 境界プラズマ中の炭化水素輸送と再堆積のシミュレーション, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ベリリウム不純物を含むプラズマ・炭素表面相互作用の分子動力学シミュレーション, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ITERにおけるプラズマ・壁相互作用の研究, 2010年3月, 大宅 薫 [大宅 薫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ラマン分光法によるSiC上グラフェンの内部応力解析, 2011年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 摩擦像によるSiC上グラフェンの層数評価, 2011年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : グラフェンの電流スイッチ現象, 2011年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 新規カーボンナノプローブの開発, 2011年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : カーボンナノプローブの特性評価, 2012年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : SiC上グラフェンの膜質のAr圧依存性, 2012年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : グラフェンとSiCの選択エッチング, 2012年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : SiC上グラフェンの成長メカニズム, 2012年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlGaN半導体電極の模索, 2013年2月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlGaN のサファイア上への成長と下地層発光に関する研究, 2013年2月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD-Ta-GaNによるボイドとGaN薄膜剥離の研究, 2013年2月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 均一単層グラフェン成長のための表面構造制御, 2013年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : SiC上グラフェンにおける移動度の異方性, 2013年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : SiC上グラフェンのラマン分光法における基板効果評価, 2013年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : SiC上グラフェンにおけるデバイス化プロセス技術の研究, 2014年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : SiC上グラフェンにおける大面積センサデバイス, 2014年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : SiC上グラフェン表面電位の環境雰囲気効果に関する研究, 2014年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ラマン分光法によるSiC上グラフェン欠陥成分抽出法の研究, 2014年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : SiC上グラフェン剥離技術の研究, 2014年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : グラフェン表面電位の層数依存性, 2014年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫]..[学科・専攻] ...

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