『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:
  (見出し語句検索:)

登録情報

抽出条件

[学科・専攻]=閲覧 徳島大学
PERM=閲覧 徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座 (2006年4月1日〜)

登録情報の数

有効な情報: 13件 + 無効な情報: 1件 = 全ての情報: 14件

全ての有効な情報 (13件)
  (見出し語句検索:)

条件追加

[学科・専攻](学位授与学科・専攻(論文博士の場合には研究科名))による分類 :
閲覧 閲覧 徳島大学
閲覧 閲覧 先端技術科学教育部 ([徳島大学]/2006年4月1日〜) …(13)
[学位](学位の種別)による分類 :
[年月日](発行年月日)による分類
○ 年による分類 :
○ 年度による分類 :

抽出結果のリスト

排列順: 項目表示:
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET オーミック電極の低接触抵抗化の研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETの深い準位に起因する電流コラプス現象の研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN系デバイスへのγ線照射に関する研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 導電性基板からのチップ間ワイヤレス信号伝送の研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 大電力RF/DC変換用GaNショットキーダイオードとレクテナへの応用に関する研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : オープンリング共振器を用いたチップ間ワイヤレス信号伝送の研究, 2009年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaNHFETの高耐圧化構造における高周波小信号特性の研究, 2009年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN系電子デバイスのMIS界面に関する研究, 2009年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : マイクロ波電力整流用GaNショットキーダイオードの高耐圧化の研究, 2009年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金属拡散を用いたGaNデバイス絶縁技術の研究, 2009年3月, 敖 金平, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 核融合装置のプラズマ対向壁における炭化水素の反射と再付着に関する研究, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 電子ビーム照射による絶縁物の帯電と二次電子放出に関する研究, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[学科・専攻] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN MOSFETに関する研究, 2009年3月, 敖 金平, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[学科・専攻] ...

過去3日以内に登録・変更された情報

(なし)

本データベースでは情報の登録,保守作業の分散を主たる目的の一つとしております.したがって,上記にリストアップされている情報の保守は個々の情報の当事者に委ねられます.

ある情報を保守する義務があるかないかは,その情報に対して権限を持っているかどうかで判断してください.もちろん情報の所有者が主に管理しなくてはならないことになりますが,権限を持っている利用者が連帯してその情報の保守を行なう義務を負っていると考えてください.

貴方がどの情報について権限を持っているかは,貴方自身の情報を閲覧してください.

Number of session users = 4, LA = 0.30, Max(EID) = 404196, Max(EOID) = 1095005.