『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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[学科・専攻](学位授与学科・専攻(論文博士の場合には研究科名))による分類 :
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閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HEMT構造表面準位の電気的評価に関する研究, 2003年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 新谷 義廣, 酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 紫外線LEDのプロセス技術に関する研究, 2002年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化III-V 族混晶の結晶成長に関する研究, 2002年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : プレーナマグネトロンスパッタリング法によるGaN膜の作製に関する研究, 2002年3月, 富永 喜久雄 [新谷 義廣, 大野 泰夫, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : InGaN系青色発光素子のIn組成不均一に関する研究, 2003年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN系エアギャップミラーの研究, 2003年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : TEXTORプラズマ照射による高Zテストリミターの損耗·再堆積分布に関する研究, 2004年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ダイバータ黒鉛タイルから放出された炭化水素分子の再付着過程に関する研究, 2004年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN / GaN HEMT 用酸化物オーミック電極に関する研究, 2004年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Cuゲートを用いたAlGaN/GaN HEMTの研究, 2004年3月, 大野 泰夫 (敖 金平), [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HEMT の大振幅過渡応答特性の研究, 2004年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透明導電性酸化物薄膜の作成と評価, 2004年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大宅 薫, 大野 泰夫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETの基板中の深い準位による不安定現象に関する研究, 2005年2月, 大野 泰夫 (敖 金平), [大野 泰夫, 酒井 士郎, 富永 喜久雄]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ガリウム集束イオンビーム走査による二次電子像の表面形状コントラストに関する研究, 2005年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ガリウム集束イオンビームによる絶縁物の二次電子像コントラストに関する研究, 2005年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 核融合装置のダイバータにおける炭化水素分子の再付着過程の研究, 2006年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : JT-60Uダイバータ内のプラズマ・壁相互作用の研究, 2006年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : イオン・固体相互作用の動的シミュレーション, 2006年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : スパッタ蒸着を用いたAlGaN/GaN HFETオーミックコンタクトの研究, 2006年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 酒井 士郎, 富永 喜久雄]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN MIS-HFETにおけるヒステリシス特性の研究, 2006年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 酒井 士郎, 富永 喜久雄]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET構造を用いたCockcroft-Walton回路に関する研究, 2006年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 酒井 士郎, 富永 喜久雄]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 酸化物のスパッタ膜作製時の高速酸素およびZnO-SnO2系透明導電膜作製に関する研究, 2006年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETしきい値電圧の温度依存性の研究, 2007年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [酒井 士郎, 大宅 薫]..[指導教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : オープンリング共振器を用いたチップ間ミリ波信号伝送の研究, 2007年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [酒井 士郎, 大宅 薫]..[指導教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : リセスゲート構造AlGaN/GaN HFETの研究, 2007年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [酒井 士郎, 大宅 薫]..[指導教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET電気特性のストレスバイアス依存性の研究, 2007年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [酒井 士郎, 大宅 薫]..[指導教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : スパッタ法による酸化物透明導電膜作製に関する研究, 2007年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlN等窒化物のスパッタ膜作製に関する研究, 2007年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : TiO2スパッタ膜作製に関する研究, 2007年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金属および絶縁物の二次電子放出のシミュレーションコード開発, 2007年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 集束イオンビーム走査による二次電子像の電圧コントラストの研究, 2007年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 分子動力学シミュレーションによるプラズマ・壁相互作用の研究, 2007年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 核融合炉内ダイバータタイルへの炭化水素の再付着に関する研究, 2008年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : GaN系表面ナノ構造光検出器とLEDの研究, 2011年9月, 酒井 士郎 [大野 泰夫, 永瀬 雅夫, 直井 美貴, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : スパッタ法による光触媒TiO2膜の高速成膜に関する研究, 2009年3月, 富永 喜久雄 (川上 烈生), [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : マグネトロンスパッタ法による光触媒TiO2スパッタ膜の作製と評価, 2008年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : PLD法によるIn-Ga-Zn-O系透明導電膜の作製と評価, 2008年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : スパッタ法によるIn-Zn-O系透明導電膜へのGa2O3不純物の添加効果に関する研究, 2008年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : レーザアブレーション法による透明導電膜の作製とその物性に関する研究, 2009年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : スパッタ法によるIn2O3-ZnO系透明導電膜の作製と評価および短時間アニーリングの効果に関する研究, 2009年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETにおける電流コラプス現象の発生機構に関する研究, 2010年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 敖 金平, 富永 喜久雄]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : プラズマ対向壁への炭化水素再堆積に関する研究, 2010年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : IZO系スパッタアモルファス薄膜の作製と応用, 2010年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : オープンリング共振器を用いたチップ間ワイヤレスデジタル信号伝送の研究, 2010年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 敖 金平, 富永 喜久雄]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaNショットキーダイオードを用いたマイクロ波電力整流回路の研究, 2010年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 敖 金平, 富永 喜久雄]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN MOSFETの電気的特性に関する研究, 2010年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 敖 金平, 富永 喜久雄]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 反応性スパッタ法における酸化チタン薄膜の光応答波長領域向上に関する研究, 2010年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETを用いたイオンセンサの研究, 2010年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 敖 金平, 富永 喜久雄]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : PLD法によるInGaZn系酸化物薄膜の作製と評価, 2010年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 炭素再堆積層のプラズマ・壁相互作用に関する研究, 2010年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 電子衝撃による絶縁物薄膜の帯電と二次電子像に関する研究, 2011年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Study of the properties of GaN-based LED with surface periodic nano-structure, 2011年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 大野 泰夫, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 核融合炉壁の損耗・再堆積とトリチウム蓄積に関する研究, 2011年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : イオン衝撃による材料混合層のスパッタリングに関する研究, 2011年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 反応性スパッタ法で作製された光触媒用酸化チタンの光応答領域の長波長化とプラズマ照射の影響に関する研究, 2011年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : オープンリング共振器を用いた高周波帯非接触インターフェイスの研究, 2011年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 永瀬 雅夫, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET電流コラプス現象の評価方法に関する研究, 2011年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 永瀬 雅夫, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN MOS電界効果トランジスタのプロセス依存性に関する研究, 2011年3月, 敖 金平 [敖 金平, 大野 泰夫, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaNデバイスの動作不安定性評価法に関する研究, 2011年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 永瀬 雅夫, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN自立基板を用いたショットキーダイオードの研究, 2011年3月, 敖 金平 [敖 金平, 大野 泰夫, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 粒子衝撃による絶縁物の帯電とその形状効果に関する研究, 2011年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金メッキプロセスを用いたGaNショットキーダイオードに関する研究, 2012年3月, 敖 金平 [敖 金平, 大野 泰夫, 永瀬 雅夫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 顕微ラマン分光法によるSiC上グラフェンの層数評価, 2012年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : RF-DC結合型スパッタ法で作製された光触媒用酸化チタン薄膜に関する研究, 2012年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 容量結合型RF高周波プラズマによるワイドギャップ半導体のエッチングダメージに関する研究, 2012年3月, 富永 喜久雄 [富永 喜久雄, 大野 泰夫, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : オープンリング共振器無線接続とGaN SBDを用いたレクテナ回路による無線電力伝送の研究, 2012年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 敖 金平, 永瀬 雅夫]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET 電流コラプスの回復過程に関する研究, 2012年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 敖 金平, 永瀬 雅夫]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Fabrication and Characterization of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure (AlGaN/GaNヘテロ構造上GaN MOSFETの試作と評価), 2012年9月, 敖 金平 [敖 金平, 大野 泰夫, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETを用いたpHセンサの温度依存性に関する研究, 2013年3月, 敖 金平 [敖 金平, 大野 泰夫, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : オープンリング共振器を用いた無線接続の伝送特性に関する研究, 2013年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 永瀬 雅夫, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究, 2013年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 直井 美貴, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 均一単層エピタキシャルグラフェンの成長・剥離・転写技術に関する研究, 2013年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN系FETのチャネル電子移動度の研究, 2013年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 直井 美貴, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : グラフェンの機械/電子複合物性の探求, 2013年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 大野 泰夫, 敖 金平]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN SBDを用いたレクテナ回路の性能向上に関する研究, 2013年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 永瀬 雅夫, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : SiC上グラフェンのナノ摩擦特性の研究, 2013年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 大野 泰夫, 敖 金平]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : GaN 及びInGaN 量子井戸構造中の転位効果に関する研究, 2002年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : Optical and structural characterization of InGaN/GaN quantum-wellsand GaN grown on c- and a-face sapphires, 2002年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : Research on High Performance GaN-Based UV-LED, 2003年9月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 西田 信夫, 大宅 薫]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶およびP,Asを含んだ混晶の成長と物性評価に関する研究, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 福井 萬壽夫, 大野 泰夫, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : 窒化ガリウム系絶縁ゲート型ヘテロ構造電界効果トランジスタに関する研究, 2006年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 酒井 士郎, 小中 信典]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : 有機金属気相成長法によるAlGaN結晶の高品質化と紫外発光ダイオードへの応用に関する研究, 2007年3月, 酒井 士郎 [福井 萬壽夫, 直井 美貴, 大野 泰夫]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : 窒化ガリウム系電界効果型トランジスタの光応答とその応用に関する研究, 2008年3月, 大野 泰夫 (敖 金平), [大野 泰夫, 酒井 士郎, 小中 信典]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : Growth of GaN and Related Alloys by Metal-organic chemical deposition system with the novel design of reactor, 2001年9月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET オーミック電極の低接触抵抗化の研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETの深い準位に起因する電流コラプス現象の研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN系デバイスへのγ線照射に関する研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 導電性基板からのチップ間ワイヤレス信号伝送の研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 大電力RF/DC変換用GaNショットキーダイオードとレクテナへの応用に関する研究, 2008年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : オープンリング共振器を用いたチップ間ワイヤレス信号伝送の研究, 2009年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaNHFETの高耐圧化構造における高周波小信号特性の研究, 2009年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN系電子デバイスのMIS界面に関する研究, 2009年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : マイクロ波電力整流用GaNショットキーダイオードの高耐圧化の研究, 2009年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金属拡散を用いたGaNデバイス絶縁技術の研究, 2009年3月, 敖 金平, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 核融合装置のプラズマ対向壁における炭化水素の反射と再付着に関する研究, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 電子ビーム照射による絶縁物の帯電と二次電子放出に関する研究, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN MOSFETに関する研究, 2009年3月, 敖 金平, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 富永 喜久雄, 敖 金平]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 緩衝溶液を用いたAlGaN/GaN HFETpHセンサ の評価, 2012年3月, 敖 金平 (大野 泰夫), [(審査教員)]..[指導協力教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : TiNゲートを用いたAlGaN/GaN HFETの評価, 2012年3月, 敖 金平 (大野 泰夫), [(審査教員)]..[指導協力教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : SiO2/GaO二層絶縁膜を有するGaN MOSFETの試作, 2012年3月, 敖 金平 (大野 泰夫), [(審査教員)]..[指導協力教員] ...

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