『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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REF=閲覧 西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])

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閲覧 [修士] : (氏名) : FIBを用いた窒化物発光素子の表面加工に関する研究, 2004年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化物半導体のウエットエッチングに関する研究, 2004年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化物紫外発光ダイオードの劣化機構に関する研究, 2004年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法による窒化アルミニウムの結晶成長に関する研究, 2004年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaInN系紫外発光ダイオードのカソードルミネッセンス評価, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化物系材料の光支援ウエットエッチングに関する研究, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡を用いた窒化物系超格子構造の混晶化に関する研究, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化物系紫外発光ダイオードの透明電極に関する研究, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 有機金属気相成長法によるInNxAs1-xの結晶成長に関する研究, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ナイトライド系発光ダイオードの作製と発光効率に関する研究, 2006年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるサファイア凸凹基板上窒化物薄膜の転位の観察, 2006年3月, 酒井 士郎 (西野 克志), [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法による無極性面GaN膜の高速成長に関する研究, 2006年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 直接合成法による厚膜AlGaN混晶成長に関する研究, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : フラックス法によるBP結晶成長とGaNの結晶成長用基板への応用, 2006年3月, 酒井 士郎 (西野 克志), [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD成長サファイア基板上a-InGaN/GaN結晶に関する研究, 2007年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡による無極性窒化物半導体の構造解析, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : バルク及びサファイア基板上無極性InGaN/GaNの青色LED, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : サブ波長回折格子を用いた発光ダイオードの偏光制御に関する研究, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : レーザー支援によるSi内部の任意形状加工に関する研究, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : リン化ゲルマニウムのバルク成長に関する検討, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ラマン分光法によるリン添加炭素系化合物の評価, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法成長AlNの不純物低減に向けたるつぼ内部構造の検討, 2014年3月, 西野 克志 [西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法AlN成長における過飽和度制御の試み, 2014年3月, 西野 克志 [西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 研磨AlN基板表面のアニール処理とその効果, 2014年3月, 西野 克志 [西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlGaN成長におけるAlN基板表面処理方法の検討, 2014年3月, 西野 克志 [西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 340nm帯ナイトライド系UV-LEDの自己発熱と電流集中効果による発光特性への影響, 2008年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 365,375nm帯LEDのステムの反射を利用した発光特性, 2008年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノインプリントで加工したレーザー用InGaNの光学測定, 2008年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Mg化合物を用いた窒化物半導体へのMg拡散の検討, 2008年3月, 直井 美貴 (西野 克志), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法を用いたa面GaNの結晶成長, 2008年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : a軸配向GaNのフォトルミネッセンス測定, 2008年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : a軸配向GaNのホール効果測定, 2008年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : r面サファイア上に成長したa面GaNの構造解析, 2008年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD法のための坩堝の作製とそれを用いたGaNナノロッドの作製に向けた成長, 2008年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : TEGeによるSi基板上へのSiGeC成長, 2009年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD法によるSiGeCの成長と評価, 2009年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノインプリント法によるサファイア基板上へのナノ構造の形成, 2009年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 表面プラズモンの窒化物系LED応用に関する基礎検討, 2009年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : r面サファイア基板を用いた直接合成法によるa面GaN厚膜の成長, 2009年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 前面に穴を施したLEDの光出力向上に関する研究, 2009年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 凹凸基板上でのInGaNのIn組成に関する研究, 2009年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlN/GaNによるクラック低減に関する研究, 2009年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 金属マスクによるGaN・AlGaNのMOCVD再成長, 2009年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノ構造上へのGaNの再成長と容量・電圧特性による評価, 2009年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノ加工を用いたAlGaInN光検出器の研究, 2009年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GaN系表面ナノ構造光検出器, 2010年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 金属マスクを施したナノ加工サファイア上へのGaN成長とその評価, 2010年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Taマスクを用いたGaN再成長層からの発光特性, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 再成長GaNの剥離に関する基礎検討, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GaN基板上へのナノ微粒子周期的配列に関する検討, 2010年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GaN系LEDの配向特性評価, 2010年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるナノ加工基板上成長GaN中の転位の観察, 2010年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法によるAlNの結晶成長, 2010年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD法によるGaC,AlCの成長及び評価, 2010年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD法によるAlC/AlGaNの物性評価に関する研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Taマスクを用いたGaN結晶の評価, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Taを利用したGaNの剥離後結晶評価, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法成長AlN基板の表面処理法の検討, 2011年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 高Al組成AlGaNを用いた深紫外LED作製プロセスの検討, 2011年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 紫外線ミラーの表面状態改善による反射率の向上, 2011年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GeAsのMOCVD成長に関する基礎検討, 2011年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GePのMOCVD成長に関する基礎検討, 2011年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 炭素系薄膜の気相成長におけるPH3添加効果に関する研究, 2011年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 減圧昇華法によるAlN結晶の厚膜成長, 2012年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlNの成長, 2012年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法により成長したバルクAlNの表面処理法の検討, 2012年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlN基板上へのMOCVD法を用いたAlGaN成長, 2012年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法によるAlN成長における初期過程の検討, 2013年3月, 西野 克志 [西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 荒れた6H-SiC基板への昇華法によるAlN結晶成長, 2013年3月, 西野 克志 [西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法成長したAlN基板の表面処理に関する研究, 2013年3月, 西野 克志 [西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Niサブ波長格子/SiO2/Ag/SiO2構造を用いた光垂直入射型磁場センサー, 2020年3月, 直井 美貴 (髙島 祐介), [直井 美貴, 西野 克志, 大野 恭秀]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 高屈折率傾斜ナノ周期構造を用いた波長可変反射フィルター, 2020年3月, 直井 美貴 (髙島 祐介), [直井 美貴, 西野 克志, 大野 恭秀]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 高効率340nm帯高Al組成AlGaN系UV-LEDの作製に関する研究, 2008年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるAlGaN結晶の転位の観察, 2008年3月, 酒井 士郎 (西野 克志), [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金属表面ラフネスと表面プラズモンを用いたLEDの光取り出し効率の向上に関する研究, 2009年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 直接合成法におけるIn添加によるGaN結晶品質の改善, 2009年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN横方向成長上のInGaN結晶成長, 2009年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ナノインプリント技術を用いたGaN系光デバイスの高性能化に関する研究, 2009年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金属薄膜を用いたMOCVD法による(Al)GaN選択成長, 2009年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法による(Si)GeC薄膜の成長および光学的評価, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるナノ加工テンプレート上に成長したGaN中の転位の観察, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ナノ加工n-GaN上へのGaN再成長及びその評価, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : サファイア基板上MOCVD-AlGaNのクラック低減に関する研究, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 直接合成法によるa面GaNの厚膜成長, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法による(Si)GeC混晶の成長, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Study of the properties of GaN-based LED with surface periodic nano-structure, 2011年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 大野 泰夫, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ナノ微粒子技術を用いたGaN表面周期構造の作製と高性能LED作製への応用検討, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化物系発光ダイオードの輻射および偏光特性に関する研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法によるLED用AlN基板の作製に関する研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Taマスクを用いたMOCVD-GaNの剥離に関する研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Taマスクを用いたMOCVD-GaN再成長に関する研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : SiO2マスクを用いたMOCVD法によるGaNの転位密度低減に関する研究, 2012年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法によるAlN成長層の厚膜化に関する研究, 2012年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法によるゲルマニウムへのヒ素添加の検討, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Al膜上への多層誘電体薄膜堆積による高反射UVミラーの作製, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法によるAlC薄膜の成長及び評価, 2012年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法を用いたリン化ゲルマニウムの成長に関する研究, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 誘導加熱方式を用いたMOCVD装置の作製とAlCの成長及び評価, 2012年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlC薄膜の成長及び物性評価, 2013年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 有機金属気相成長法によるリン化ゲルマニウムの薄膜成長に関する研究, 2013年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法によるAlN結晶の高速成長および自立基板の作製に関する研究, 2013年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : リン添加による炭素系薄膜CVD成長に関する研究, 2013年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlCによるAlGaNのCドーピング評価に関する研究, 2014年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたpHセンサの表面依存性の研究, 2014年3月, 敖 金平 [敖 金平, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN MOSFETにおける構造依存性の研究, 2014年3月, 敖 金平 [敖 金平, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法によるAlN基板上へのAlGaN成長に関する研究, 2014年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : SiC上グラフェン膜質と表面形態の相関に関する研究, 2014年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金属窒化物を用いたGaNショットキーバリアダイオードの研究, 2014年3月, 敖 金平 [敖 金平, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 走査型摩擦力顕微鏡を用いたSiC上グラフェンの摩擦に関する研究, 2014年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Sapphire,Si基板上に成長したAlC薄膜の不純物ドーピングと電気的特性, 2015年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法によるAlN結晶の高品質化および平坦化に関する研究, 2015年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : CF4プラズマとAlGaN/GaNとの相互作用に関する研究, 2015年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 西野 克志, 敖 金平]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlC薄膜およびCH4を用いたAlxGa1-xNへのCドーピング, 2015年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Ta-GaNによるボイド及び縦型LED作製に対する検討, 2015年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : セルフアラインゲート構造を有するAlGaN/GaN HFETに関する研究, 2015年3月, 敖 金平 [敖 金平, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETを用いたpHセンサの感度向上に関する研究, 2015年3月, 敖 金平 [敖 金平, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法によるAlN結晶の自己剥離に関する研究, 2015年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 陽極酸化によるGaN系LED表面加工の検討, 2016年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法AlN基板の表面処理およびMOCVD法によるAlGaN成長に関する研究, 2016年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法を用いた結晶成長時に温度勾配を与えたInGaN/GaN系LEDの評価, 2016年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Si基板上マイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオードの開発と応用, 2016年3月, 敖 金平 [敖 金平, 永瀬 雅夫, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法AlN結晶成長におけるTaマスクの効果, 2016年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : サブミクロン厚SiC基板におけるラマン散乱の研究, 2017年3月, 富田 卓朗 [富田 卓朗, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : SiCにおけるフェムト秒レーザー改質部の電気伝導特性及び物性評価に関する研究, 2017年3月, 富田 卓朗 [富田 卓朗, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : サブミクロン厚SiCにおけるラマンスペクトルの理論的検討, 2018年3月, 富田 卓朗 (直井 美貴), [富田 卓朗, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 低光損失偏光UV-LEDに向けたサブ波長周期ストライプ型電極に関する研究, 2018年3月, 直井 美貴 (富田 卓朗), [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法による無極性GaNの結晶成長に関する研究, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるa面GaNのピットの観察, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : フラックス法により成長したBPの結晶構造の解析, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : サファイア基板上MOCVD成長AlGaN薄膜の高品質化に関する研究, 2006年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 340nm帯ナイトライドベースUV-LEDの発光特性, 2006年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノ構造加工を用いたLED光取り出し効率改善に関する研究, 2006年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : p型AlGaNの活性化に関する検討, 2006年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Cuフラックスを用いたBPの結晶成長, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法による厚膜AlGaN成長条件の検討, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法によるa面GaNの結晶成長, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 高効率紫外LEDのための高品質AlGaN成長に関する検討, 2007年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : a面GaN結晶成長におけるr面サファイアオフ角の結晶品質に及ぼす影響, 2007年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : スクラッチング法による窒化物LEDの光取り出し効率改善に関する検討, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlInGaN系紫外LEDのエレクトロルミネッセンスの温度特性, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GPIB制御によるLED特性評価プログラムの構築, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 紫外LED開発の現状と課題, 2007年3月, 西野 克志 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 白色LED開発の現状と課題, 2007年3月, 西野 克志 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡による窒化物半導体の観察, 2009年2月, 西野 克志 [西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 温度勾配を制御した昇華法によるAlNの結晶成長に関する研究, 2015年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...

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