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閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HEMT構造表面準位の電気的評価に関する研究, 2003年3月, 大野 泰夫 [大野 泰夫, 新谷 義廣, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN 成長における SiN 中間層の影響, 2003年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN厚膜結晶成長に関する研究, 2001年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : InGaN/AlGaN/GaN系デバイスプロセスに関する研究, 2001年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN系紫外線発光素子に関する研究, 2001年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN系電子デバイスに関する研究, 2001年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN系エアギャップミラーレーザに関する研究, 2001年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MPCVD法によるダイヤモンド系カ-ボン薄膜の作製に関する研究, 2001年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 二次イオン質量分析法による窒化物半導体界面の評価, 2001年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるダイヤモンド結晶とDLC薄膜の評価に関する研究, 2001年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN基板上のカ-ボン薄膜に関する研究, 2001年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ダイヤモンド系炭素膜の電子放出特性に関する研究, 2002年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : FIBによるくぼみ付き白金基板上でのダイヤモンド成長, 2002年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 電圧印加成長によるダイヤモンド膜の作成に関する研究, 2002年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Pt 膜及び Pt foil 上ダイヤモンドの結晶成長に関する研究, 2002年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ダイヤモンド系炭素膜及び CNT の作製とその評価に関する研究, 2002年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : くぼみ付き Si 基板とマスク付き Si 基板を用いたダイヤモンド成長, 2002年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : トリメチルボロンを用いた半導体ダイヤモンドの作成に関する研究, 2002年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 紫外線LEDのプロセス技術に関する研究, 2002年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化III-V 族混晶の結晶成長に関する研究, 2002年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 擬ポテンシャル法による窒化物半導体のバンド構造の解析, 2002年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 酒井 士郎, 中島 貞之丞]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : InGaN系青色発光素子のIn組成不均一に関する研究, 2003年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN系エアギャップミラーの研究, 2003年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 擬ポテンシャル法による窒化物半導体のバンド構造の解析, 2003年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 酒井 士郎, 中島 貞之丞]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 基板温度独立制御式MPCVD法による炭素系薄膜の成長, 2003年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 白金基板上におけるダイヤモンド結晶の核発生に関する研究, 2003年3月, 新谷 義廣 [新谷 義廣, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : FIBを用いた窒化物発光素子の表面加工に関する研究, 2004年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化物半導体のウエットエッチングに関する研究, 2004年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化物紫外発光ダイオードの劣化機構に関する研究, 2004年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法による窒化アルミニウムの結晶成長に関する研究, 2004年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETの基板中の深い準位による不安定現象に関する研究, 2005年2月, 大野 泰夫 (敖 金平), [大野 泰夫, 酒井 士郎, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaInN系紫外発光ダイオードのカソードルミネッセンス評価, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化物系材料の光支援ウエットエッチングに関する研究, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡を用いた窒化物系超格子構造の混晶化に関する研究, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化物系紫外発光ダイオードの透明電極に関する研究, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 有機金属気相成長法によるInNxAs1-xの結晶成長に関する研究, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ナイトライド系発光ダイオードの作製と発光効率に関する研究, 2006年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるサファイア凸凹基板上窒化物薄膜の転位の観察, 2006年3月, 酒井 士郎 (西野 克志), [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法による無極性面GaN膜の高速成長に関する研究, 2006年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 直接合成法による厚膜AlGaN混晶成長に関する研究, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : フラックス法によるBP結晶成長とGaNの結晶成長用基板への応用, 2006年3月, 酒井 士郎 (西野 克志), [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : スパッタ蒸着を用いたAlGaN/GaN HFETオーミックコンタクトの研究, 2006年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 酒井 士郎, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN MIS-HFETにおけるヒステリシス特性の研究, 2006年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 酒井 士郎, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET構造を用いたCockcroft-Walton回路に関する研究, 2006年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 酒井 士郎, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETしきい値電圧の温度依存性の研究, 2007年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [酒井 士郎, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : オープンリング共振器を用いたチップ間ミリ波信号伝送の研究, 2007年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [酒井 士郎, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : リセスゲート構造AlGaN/GaN HFETの研究, 2007年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [酒井 士郎, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFET電気特性のストレスバイアス依存性の研究, 2007年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [酒井 士郎, 大宅 薫]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD成長サファイア基板上a-InGaN/GaN結晶に関する研究, 2007年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡による無極性窒化物半導体の構造解析, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : バルク及びサファイア基板上無極性InGaN/GaNの青色LED, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金属および絶縁物の二次電子放出のシミュレーションコード開発, 2007年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 集束イオンビーム走査による二次電子像の電圧コントラストの研究, 2007年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 分子動力学シミュレーションによるプラズマ・壁相互作用の研究, 2007年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 核融合炉内ダイバータタイルへの炭化水素の再付着に関する研究, 2008年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : サブ波長回折格子を用いた発光ダイオードの偏光制御に関する研究, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : レーザー支援によるSi内部の任意形状加工に関する研究, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : リン化ゲルマニウムのバルク成長に関する検討, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ラマン分光法によるリン添加炭素系化合物の評価, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 340nm帯ナイトライド系UV-LEDの自己発熱と電流集中効果による発光特性への影響, 2008年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 365,375nm帯LEDのステムの反射を利用した発光特性, 2008年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノインプリントで加工したレーザー用InGaNの光学測定, 2008年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Mg化合物を用いた窒化物半導体へのMg拡散の検討, 2008年3月, 直井 美貴 (西野 克志), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法を用いたa面GaNの結晶成長, 2008年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : a軸配向GaNのフォトルミネッセンス測定, 2008年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : a軸配向GaNのホール効果測定, 2008年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : r面サファイア上に成長したa面GaNの構造解析, 2008年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD法のための坩堝の作製とそれを用いたGaNナノロッドの作製に向けた成長, 2008年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : TEGeによるSi基板上へのSiGeC成長, 2009年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD法によるSiGeCの成長と評価, 2009年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノインプリント法によるサファイア基板上へのナノ構造の形成, 2009年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 表面プラズモンの窒化物系LED応用に関する基礎検討, 2009年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : r面サファイア基板を用いた直接合成法によるa面GaN厚膜の成長, 2009年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 前面に穴を施したLEDの光出力向上に関する研究, 2009年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 凹凸基板上でのInGaNのIn組成に関する研究, 2009年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlN/GaNによるクラック低減に関する研究, 2009年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 金属マスクによるGaN・AlGaNのMOCVD再成長, 2009年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノ構造上へのGaNの再成長と容量・電圧特性による評価, 2009年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノ加工を用いたAlGaInN光検出器の研究, 2009年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GaN系表面ナノ構造光検出器, 2010年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 金属マスクを施したナノ加工サファイア上へのGaN成長とその評価, 2010年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Taマスクを用いたGaN再成長層からの発光特性, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 再成長GaNの剥離に関する基礎検討, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GaN基板上へのナノ微粒子周期的配列に関する検討, 2010年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GaN系LEDの配向特性評価, 2010年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるナノ加工基板上成長GaN中の転位の観察, 2010年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法によるAlNの結晶成長, 2010年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD法によるGaC,AlCの成長及び評価, 2010年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD法によるAlC/AlGaNの物性評価に関する研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Taマスクを用いたGaN結晶の評価, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Taを利用したGaNの剥離後結晶評価, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法成長AlN基板の表面処理法の検討, 2011年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 高Al組成AlGaNを用いた深紫外LED作製プロセスの検討, 2011年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 紫外線ミラーの表面状態改善による反射率の向上, 2011年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GeAsのMOCVD成長に関する基礎検討, 2011年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GePのMOCVD成長に関する基礎検討, 2011年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 炭素系薄膜の気相成長におけるPH3添加効果に関する研究, 2011年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 減圧昇華法によるAlN結晶の厚膜成長, 2012年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlNの成長, 2012年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 昇華法により成長したバルクAlNの表面処理法の検討, 2012年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlN基板上へのMOCVD法を用いたAlGaN成長, 2012年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : GaN系表面ナノ構造光検出器とLEDの研究, 2011年9月, 酒井 士郎 [大野 泰夫, 永瀬 雅夫, 直井 美貴, 酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : The research on p-type formation of AlGaN by Al4C3 and the application to light-emitting diodes Al4C3によるp型AlGaN層の形成及び発光ダイオードの応用に対する研究, 2014年9月, 酒井 士郎 [直井 美貴, 永瀬 雅夫, 酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : SiC上グラフェンのデバイスプロセスに関する研究, 2015年3月, 永瀬 雅夫 [直井 美貴, 酒井 士郎, 永瀬 雅夫]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : 窒化チタンの合成と窒化ガリウム電子デバイスへの応用, 2015年3月, 敖 金平 [酒井 士郎, 永瀬 雅夫, 直井 美貴, 敖 金平]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : 窒化ガリウムトランジスタにおける素子間分離技術の研究, 2015年9月, 敖 金平 [酒井 士郎, 原口 雅宣, 直井 美貴, 敖 金平]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : サブ波長回折格子による紫外・可視フォトニッ クデバイスの開発に関する研究, 2017年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 橋本 修一, 原口 雅宣, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 高効率340nm帯高Al組成AlGaN系UV-LEDの作製に関する研究, 2008年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるAlGaN結晶の転位の観察, 2008年3月, 酒井 士郎 (西野 克志), [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金属表面ラフネスと表面プラズモンを用いたLEDの光取り出し効率の向上に関する研究, 2009年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 直接合成法におけるIn添加によるGaN結晶品質の改善, 2009年3月, 西野 克志 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : GaN横方向成長上のInGaN結晶成長, 2009年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ナノインプリント技術を用いたGaN系光デバイスの高性能化に関する研究, 2009年3月, 直井 美貴 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金属薄膜を用いたMOCVD法による(Al)GaN選択成長, 2009年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : プラズマ対向壁への炭化水素再堆積に関する研究, 2010年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法による(Si)GeC薄膜の成長および光学的評価, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるナノ加工テンプレート上に成長したGaN中の転位の観察, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ナノ加工n-GaN上へのGaN再成長及びその評価, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : サファイア基板上MOCVD-AlGaNのクラック低減に関する研究, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 炭素再堆積層のプラズマ・壁相互作用に関する研究, 2010年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 直接合成法によるa面GaNの厚膜成長, 2010年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法による(Si)GeC混晶の成長, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 電子衝撃による絶縁物薄膜の帯電と二次電子像に関する研究, 2011年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ナノ微粒子技術を用いたGaN表面周期構造の作製と高性能LED作製への応用検討, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 核融合炉壁の損耗・再堆積とトリチウム蓄積に関する研究, 2011年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 窒化物系発光ダイオードの輻射および偏光特性に関する研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : イオン衝撃による材料混合層のスパッタリングに関する研究, 2011年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法によるLED用AlN基板の作製に関する研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 西野 克志, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Taマスクを用いたMOCVD-GaNの剥離に関する研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Taマスクを用いたMOCVD-GaN再成長に関する研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 粒子衝撃による絶縁物の帯電とその形状効果に関する研究, 2011年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 顕微ラマン分光法によるSiC上グラフェンの層数評価, 2012年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : SiO2マスクを用いたMOCVD法によるGaNの転位密度低減に関する研究, 2012年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法によるAlN成長層の厚膜化に関する研究, 2012年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法によるゲルマニウムへのヒ素添加の検討, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Al膜上への多層誘電体薄膜堆積による高反射UVミラーの作製, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法によるAlC薄膜の成長及び評価, 2012年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法を用いたリン化ゲルマニウムの成長に関する研究, 2012年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 誘導加熱方式を用いたMOCVD装置の作製とAlCの成長及び評価, 2012年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ラマン分光法によるSiC上グラフェンの物性評価, 2013年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 酒井 士郎, 敖 金平]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ITERにおけるベリリウムの損耗,輸送,再堆積とトリチウム蓄積に関する研究, 2013年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 酒井 士郎, 富永 喜久雄]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlC薄膜の成長及び物性評価, 2013年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 有機金属気相成長法によるリン化ゲルマニウムの薄膜成長に関する研究, 2013年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 均一単層エピタキシャルグラフェンの成長・剥離・転写技術に関する研究, 2013年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法によるAlN結晶の高速成長および自立基板の作製に関する研究, 2013年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : リン添加による炭素系薄膜CVD成長に関する研究, 2013年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlCによるAlGaNのCドーピング評価に関する研究, 2014年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたpHセンサの表面依存性の研究, 2014年3月, 敖 金平 [敖 金平, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : ITERタングステン壁へのベリリウム再堆積に関する研究, 2014年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法によるAlN基板上へのAlGaN成長に関する研究, 2014年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : SiC上グラフェン膜質と表面形態の相関に関する研究, 2014年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : TiNを用いたT型ゲートAlGaN/GaN HFETに関する研究, 2014年3月, 敖 金平 [敖 金平, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : グラフェン-グラフェン接合の電気特性の研究, 2014年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 酒井 士郎, 敖 金平]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : サブ波長回折格子を用いた紫外域デバイスの開発に関する研究, 2014年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 井須 俊郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 金属窒化物を用いたGaNショットキーバリアダイオードの研究, 2014年3月, 敖 金平 [敖 金平, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 水素およびヘリウムイオンに照射された固体の二次電子収率のシミュレーション, 2015年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Sapphire,Si基板上に成長したAlC薄膜の不純物ドーピングと電気的特性, 2015年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法によるAlCP薄膜の成長, 2015年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 富田 卓朗]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法によるAlN結晶の高品質化および平坦化に関する研究, 2015年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : サブ波長回折格子による窒化物系LEDの偏光特性制御に関する研究, 2015年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 富田 卓朗]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlC薄膜およびCH4を用いたAlxGa1-xNへのCドーピング, 2015年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 電子ビーム照射による絶縁薄膜の正帯電と負帯電に関する研究, 2015年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 表面構造制御による高品質均一単層グラフェンの探求, 2015年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 大野 恭秀, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : Ta-GaNによるボイド及び縦型LED作製に対する検討, 2015年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 低エネルギー希ガスイオンによる二次電子のポテンシャル放出のシミュレーション, 2015年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : セルフアラインゲート構造を有するAlGaN/GaN HFETに関する研究, 2015年3月, 敖 金平 [敖 金平, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : AlGaN/GaN HFETを用いたpHセンサの感度向上に関する研究, 2015年3月, 敖 金平 [敖 金平, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法によるAlN結晶の自己剥離に関する研究, 2015年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 成長雰囲気制御によるSiC上グラフェン高品質化の研究, 2016年3月, 永瀬 雅夫 [永瀬 雅夫, 大野 恭秀, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 陽極酸化によるGaN系LED表面加工の検討, 2016年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法AlN基板の表面処理およびMOCVD法によるAlGaN成長に関する研究, 2016年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : MOCVD法を用いた結晶成長時に温度勾配を与えたInGaN/GaN系LEDの評価, 2016年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 修飾膜を有するAlGaN/GaNヘテロ構造を用いたpHセンサに関する研究, 2016年3月, 敖 金平 [敖 金平, 酒井 士郎, 大野 恭秀]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 昇華法AlN結晶成長におけるTaマスクの効果, 2016年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : サブ波長周期構造による窒化物系LEDの空間放射制御に関する研究, 2017年3月, 直井 美貴 [直井 美貴, 酒井 士郎, 富田 卓朗]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : サブ波長周期構造/導波構造を用いた波長選択性二波長帯光学素子に関する研究, 2018年3月, 直井 美貴 (富田 卓朗), [直井 美貴, 酒井 士郎, 富田 卓朗]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 低光損失偏光UV-LEDに向けたサブ波長周期ストライプ型電極に関する研究, 2018年3月, 直井 美貴 (富田 卓朗), [直井 美貴, 酒井 士郎, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : シリコン上ガリウム砒素のヘテロエピタキシーと発光素子に関する研究, 1994年3月, 福井 萬壽夫 (酒井 士郎), [福井 萬壽夫, 金城 辰夫, 西岡 一水]..[指導協力教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : GaAs/AlAs半導体多重量子井戸の光学的評価に関する研究, 1996年3月, 福井 萬壽夫 (原口 雅宣), [福井 萬壽夫, 酒井 士郎, 新谷 義廣]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : Growth and characterization of InNAs, 2001年3月, 酒井 士郎 [新谷 義廣, 金城 辰夫]..[指導教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : GaN 及びInGaN 量子井戸構造中の転位効果に関する研究, 2002年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : Optical and structural characterization of InGaN/GaN quantum-wellsand GaN grown on c- and a-face sapphires, 2002年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶およびP,Asを含んだ混晶の成長と物性評価に関する研究, 2005年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 福井 萬壽夫, 大野 泰夫, 直井 美貴]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : 窒化ガリウム系絶縁ゲート型ヘテロ構造電界効果トランジスタに関する研究, 2006年3月, 大野 泰夫, 敖 金平 [大野 泰夫, 酒井 士郎, 小中 信典]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : 有機金属気相成長法によるAlGaN結晶の高品質化と紫外発光ダイオードへの応用に関する研究, 2007年3月, 酒井 士郎 [福井 萬壽夫, 直井 美貴, 大野 泰夫]..[指導教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : 窒化ガリウム系電界効果型トランジスタの光応答とその応用に関する研究, 2008年3月, 大野 泰夫 (敖 金平), [大野 泰夫, 酒井 士郎, 小中 信典]..[審査教員] ...
閲覧 [課程博士] : (氏名) : Growth of GaN and Related Alloys by Metal-organic chemical deposition system with the novel design of reactor, 2001年9月, 酒井 士郎 [酒井 士郎, 新谷 義廣, 大野 泰夫]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 核融合装置のプラズマ対向壁における炭化水素の反射と再付着に関する研究, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 電子ビーム照射による絶縁物の帯電と二次電子放出に関する研究, 2009年3月, 大宅 薫 [大宅 薫, 大野 泰夫, 酒井 士郎]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法による無極性GaNの結晶成長に関する研究, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 透過型電子顕微鏡によるa面GaNのピットの観察, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : フラックス法により成長したBPの結晶構造の解析, 2006年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : サファイア基板上MOCVD成長AlGaN薄膜の高品質化に関する研究, 2006年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 340nm帯ナイトライドベースUV-LEDの発光特性, 2006年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : ナノ構造加工を用いたLED光取り出し効率改善に関する研究, 2006年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : p型AlGaNの活性化に関する検討, 2006年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Cuフラックスを用いたBPの結晶成長, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法による厚膜AlGaN成長条件の検討, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 直接合成法によるa面GaNの結晶成長, 2007年3月, 西野 克志 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 高効率紫外LEDのための高品質AlGaN成長に関する検討, 2007年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : a面GaN結晶成長におけるr面サファイアオフ角の結晶品質に及ぼす影響, 2007年3月, 酒井 士郎 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : スクラッチング法による窒化物LEDの光取り出し効率改善に関する検討, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlInGaN系紫外LEDのエレクトロルミネッセンスの温度特性, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : GPIB制御によるLED特性評価プログラムの構築, 2007年3月, 直井 美貴 (酒井 士郎), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[指導協力教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 紫外LED開発の現状と課題, 2007年3月, 西野 克志 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : 白色LED開発の現状と課題, 2007年3月, 西野 克志 (直井 美貴), [酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志]..[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlGaN半導体電極の模索, 2013年2月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlGaN のサファイア上への成長と下地層発光に関する研究, 2013年2月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD-Ta-GaNによるボイドとGaN薄膜剥離の研究, 2013年2月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : Taマスクを用いたGaN結晶の評価, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVDによるGaN/サファイア基板へのGaNの再成長の研究, 2011年3月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : MOCVD法により成長したGeCのバンドギャップエネルギーに関する研究, 2012年2月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [学士] : (氏名) : AlCのX線回折とカソードルミネッセンスによる物性評価, 2012年2月, 酒井 士郎 [酒井 士郎]..[指導教員]+[審査教員] ...
閲覧 [修士] : (氏名) : 温度勾配を制御した昇華法によるAlNの結晶成長に関する研究, 2015年3月, 西野 克志 [西野 克志, 酒井 士郎, 直井 美貴]..[審査教員] ...

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