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登録内容 (EID=100190)

EID=100190EID:100190, Map:0, LastModified:2017年11月28日(火) 17:49:50, Operator:[大家 隆弘], Avail:TRUE, Censor:0, Owner:[[学科長]/[徳島大学.工学部.機械工学科]], Read:継承, Write:継承, Delete:継承.
種別 (必須): 学術論文 (審査論文) [継承]
言語 (必須): 英語 [継承]
招待 (推奨):
審査 (推奨): Peer Review [継承]
カテゴリ (推奨): 研究 [継承]
共著種別 (推奨):
学究種別 (推奨):
組織 (推奨): 1.徳島大学.工学部.機械工学科 [継承]
著者 (必須): 1.英 崇夫
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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2. (英) Matsue Tatsuya (日) 松英 達也 (読) まつえ たつや
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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3. (英) Ikeuchi Yasukazu (日) 池内 保一 (読) いけうち やすかず
役割 (任意): 共著 [継承]
貢献度 (任意):
学籍番号 (推奨):
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題名 (必須): (英) Dependence to processing conditions of structure in TiN films deposited by arc ion plating  (日)    [継承]
副題 (任意):
要約 (任意): (英)   (日) 本論文は,アークイオンプレーティング法により成膜したTiN膜の構造のX線的評価に関するものである.基板設置の方向として,ターゲットに平行な場合と垂直な場合を準備した.膜の作製条件として,バイアス電圧をパラメータとした.基板がターゲットに平行な場合,0Vで{110}配向,高バイアス電圧で{111}配向となった.基板が垂直な場合は,0Vのときランダム配向,-10Vで{110}配向,それより高い電圧で{111}配向になった.XPS測定によりN/Tiの原子比を求めた結果,約0.89であった.{110}配向の膜には膜と基板の界面付近に窒素酸化物が観測されたが,{111}配向の膜にはそれが観測されなかった.   [継承]
キーワード (推奨): 1. (英) thin film (日) (読) [継承]
2.結晶構造 (crystal structure) [継承]
3. (英) surface morphology (日) (読) [継承]
4. (英) X-ray deffraction (日) (読) [継承]
5. (英) X-ray photoelectron spectroscopy (日) (読) [継承]
発行所 (推奨): Elsevier Science [継承]
誌名 (必須): Vacuum ([Elsevier Science])
(pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)

ISSN (任意): 0042-207X
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
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(必須): 74 [継承]
(必須): 3-4 [継承]
(必須): 647 651 [継承]
都市 (任意): (英) Norwich (日) (読) [継承]
年月日 (必須): 西暦 2004年 6月 7日 (平成 16年 6月 7日) [継承]
URL (任意):
DOI (任意): 10.1016/j.vacuum.2004.01.049    (→Scopusで検索) [継承]
PMID (任意):
NAID (任意):
WOS (任意): 000221843100050 [継承]
Scopus (任意):
評価値 (任意):
被引用数 (任意):
指導教員 (推奨):
備考 (任意):

標準的な表示

和文冊子 ● Takao Hanabusa, Tatsuya Matsue and Yasukazu Ikeuchi : Dependence to processing conditions of structure in TiN films deposited by arc ion plating, Vacuum, Vol.74, No.3-4, 647-651, 2004.
欧文冊子 ● Takao Hanabusa, Tatsuya Matsue and Yasukazu Ikeuchi : Dependence to processing conditions of structure in TiN films deposited by arc ion plating, Vacuum, Vol.74, No.3-4, 647-651, 2004.

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