『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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REF=閲覧 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座

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[出願国](出願国または国内,国外,国際の別)による分類 :
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抽出結果のリスト

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閲覧 Yoshihiro Shintani, T. Tachibana, K. Nishimura, K. Miyata, Y. Yokota and K. Kobashi : Methods for manufacturing substrates to form monocrystalline diamond films by chemical vapor deposition, (出願) (Nov. 1995), (開示), 5755879 (May 1998)..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, タオ ワン : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-1), 特願11-376842 (1999年12月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : GaN系化合物半導体及び発光素子の製造方法(329-3), 特願2000-12080 (2000年1月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 気相成長装置及び気相成長方法(RCT002), 特願2000-62899 (2000年3月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 気相成長装置及び方法(329-4), 特願2000-100907 (2000年4月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-5), 特願2000-143826 (2000年5月), (開示), 特許第3274674号 (2002年2月)..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-6), 特願2000-164349 (2000年6月), (開示), 特許第3285341号 (2002年3月)..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, タオ ワン : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-7), 特願2000-227963 (2000年6月), (開示), 特許第3274676号 (2002年2月)..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 発光素子(329-8), 特願2000-213303 (2000年7月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体素子及び電極形成方法(329-10), 特願2000-227272 (2000年7月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-11), 特願2000-227273 (2000年7月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-9), 特願2000-228320 (2000年7月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, タオ ワン : 発光素子(329-15), 特願2000-275384 (2000年9月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, イーヴ ラクロワ : 半導体の表面を荒くする方法(329-13), 特願2000-289103 (2000年9月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, イーヴ ラクロワ : 窒化ガリウム系化合物半導体素子及び電極形成方法(329-14), 特願2000-289104 (2000年9月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 発光素子(329-12), 特願2000-293976 (2000年9月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, 高松 勇吉, 森 勇次, 直井 弘之, ワン ホンシン, 石濱 義康, 網島 豊 : 気相成長装置及び気相成長方法(JP15), 特願2000-301644 (2000年10月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体装置(329-16), 特願2000-358412 (2000年11月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム層の製造方法(329-17), 特願2000-404170 (2000年12月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム層の製造方法(329-18), 特願2000-378471 (2000年12月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, イーヴ ラクロワ : 窒化物系半導体装置及びその製造方法(329-20), 特願2001-3910 (2001年1月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, タオ ワン : 窒化ガリウム系半導体層の形成方法(329-21), 特願2001-62503 (2001年3月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, イーヴ ラクロワ : 窒化物系半導体装置及びその製造方法(329-22), 特願2001-3910 (2001年3月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-23), 特願2001−194060 (2001年6月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, タオ ワン : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-24), 特願2001-198304 (2001年6月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系発光素子(329-25), 特願2001-198305 (2001年6月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, イーヴ ラクロワ : 窒化ガリウム系発光素子(329-26), 特願2001-206718 (2001年7月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 中林 一朗, 森賀 俊広, 富永 喜久雄 : 透明導電膜,及びその製造方法, 特願2002-237715 (2002年8月), 特開2004-76094 (2004年3月), 特許第4136531号 (2008年6月)..[組織] ...
閲覧 大野 泰夫, 西薗 和博 : 電界効果型トランジスタ及びオーミック電極の形成方法, 特願2003-78600 (2003年3月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎, 直井 美貴 : 発光ダイオードおよびその製造方法, 特願2010-509270 (2008年5月), (開示), 特許第5384481号 (2013年10月)..[組織] ...
閲覧 酒井 士郎 : InGaN系化合物半導体発光装置の製造方法及び波長調整方法, 特願2014-166047 (2014年8月), (開示), (番号) ((年月日))..[組織] ...

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(なし)

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