『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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REF=閲覧 酒井 士郎

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[組織](特許・実用新案の属する組織)による分類 :
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[種別](特許・実用新案の区別)による分類 :
[出願国](出願国または国内,国外,国際の別)による分類 :
[出願国](出願国または国内,国外,国際の別)による分類 :
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抽出結果のリスト

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閲覧 酒井 士郎, タオ ワン : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-1), 特願11-376842 (1999年12月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : GaN系化合物半導体及び発光素子の製造方法(329-3), 特願2000-12080 (2000年1月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 気相成長装置及び気相成長方法(RCT002), 特願2000-62899 (2000年3月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 気相成長装置及び方法(329-4), 特願2000-100907 (2000年4月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-5), 特願2000-143826 (2000年5月), (開示), 特許第3274674号 (2002年2月)..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-6), 特願2000-164349 (2000年6月), (開示), 特許第3285341号 (2002年3月)..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, タオ ワン : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-7), 特願2000-227963 (2000年6月), (開示), 特許第3274676号 (2002年2月)..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 発光素子(329-8), 特願2000-213303 (2000年7月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体素子及び電極形成方法(329-10), 特願2000-227272 (2000年7月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-11), 特願2000-227273 (2000年7月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-9), 特願2000-228320 (2000年7月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, タオ ワン : 発光素子(329-15), 特願2000-275384 (2000年9月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, イーヴ ラクロワ : 半導体の表面を荒くする方法(329-13), 特願2000-289103 (2000年9月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, イーヴ ラクロワ : 窒化ガリウム系化合物半導体素子及び電極形成方法(329-14), 特願2000-289104 (2000年9月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 発光素子(329-12), 特願2000-293976 (2000年9月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, 高松 勇吉, 森 勇次, 直井 弘之, ワン ホンシン, 石濱 義康, 網島 豊 : 気相成長装置及び気相成長方法(JP15), 特願2000-301644 (2000年10月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体装置(329-16), 特願2000-358412 (2000年11月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム層の製造方法(329-17), 特願2000-404170 (2000年12月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム層の製造方法(329-18), 特願2000-378471 (2000年12月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, イーヴ ラクロワ : 窒化物系半導体装置及びその製造方法(329-20), 特願2001-3910 (2001年1月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, タオ ワン : 窒化ガリウム系半導体層の形成方法(329-21), 特願2001-62503 (2001年3月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, イーヴ ラクロワ : 窒化物系半導体装置及びその製造方法(329-22), 特願2001-3910 (2001年3月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-23), 特願2001−194060 (2001年6月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, タオ ワン : 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法(329-24), 特願2001-198304 (2001年6月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 窒化ガリウム系発光素子(329-25), 特願2001-198305 (2001年6月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, イーヴ ラクロワ : 窒化ガリウム系発光素子(329-26), 特願2001-206718 (2001年7月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, 直井 美貴, チョイ ラクジュン : 無極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法, 特願2005-25184 (2005年3月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : 交流電源用発光装置, 特願2005-190406 (2005年6月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, チョイ ラクジュン : III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法並びにIII族窒化物半導体発光素子, 特願2005-250185 (2005年8月), (開示), (番号) (2005年8月)..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, 住吉 和英, 月原 政志, 片岡 研 : 半導体装置用基材および製造方法, 特願2005-359876 (2005年12月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, 住吉 和英, 月原 政志, 片岡 研 : 半導体装置用基材およびその製造方法, 特願2005-359877 (2005年12月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, 直井 美貴, チョイ ラクジュン, リー スンミン, 小池 正好 : 非極性a面窒化ガリウム単結晶の製造方法, 特願2006-47294 (2006年2月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...
閲覧 Shiro Sakai, Yoshiki Naoi and チョイ ラクジュン : method of growing non-polar a-plane gallium nitride, 2006-077492 (March 2006), (開示), (番号) (March 2006)..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎, 直井 美貴 : 発光ダイオードおよびその製造方法, 特願2010-509270 (2008年5月), (開示), 特許第5384481号 (2013年10月)..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : ナノパターンを有するレーザーダイオード及びその製造方法, 特願2008-188715 (2008年7月), (開示), 特許第5383109号 (2013年10月)..[発明者] ...
閲覧 酒井 士郎 : InGaN系化合物半導体発光装置の製造方法及び波長調整方法, 特願2014-166047 (2014年8月), (開示), (番号) ((年月日))..[発明者] ...

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(なし)

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