『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
〔閲覧〕【著作】
--- テーブル「著作」（著作（著書，論文，レター，国際会議など））は研究業績にかかる著作（著書，論文，レター，国際会議など）を登録するテーブルです．
登録情報
抽出条件
| [組織]= |  大阪府立大学
| |
|---|---|---|
| PERM= | 徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座
|
登録情報の数
有効な情報: 16件 + 無効な情報: 1件 = 全ての情報: 17件
全ての有効な情報 (16件)
条件追加
[種別](著作の種別)による分類 : | ||||||||||||||||||||
[言語](著作の言語)による分類 : | ||||||||||||||||||||
[カテゴリ](著作のカテゴリ)による分類 : | ||||||||||||||||||||
[共著種別](共著の種別)による分類 : | ||||||||||||||||||||
[学究種別](著作の学究種別)による分類 : | ||||||||||||||||||||
[組織](著作の帰属する組織)による分類 :
| ||||||||||||||||||||
[年月日](発行年月日)による分類
| ||||||||||||||||||||
抽出結果のリスト
-
排列順: 項目表示: Naohisa Inoue, K Tanahashi and Atsushi Mori : Point defect behavior in growing silicon crystal, Proceedings of Kazuza Akademia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, 31-42, Chiba, Nov. 1999..[組織] ... Naohisa Inoue, K Tanahashi and Atsushi Mori : Point defect behavior in growing silicon crystal, Proceedings of the Kazuza Akadamia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, 31-39, 1999..[組織] ... 井上 直久, 棚橋 克人, 森 篤史 : CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動, --- 応力·不純物の効果, 表面と界面, 温度勾配 ---, 日本結晶成長学会誌, Vol.26, No.5, 242-249, 1999年12月..[組織] ... Yoichiro Yamanaka, Katsuto Tanahashi, Takeshi Mikayama, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : Nucleation of void defects in CZ silicon, Proceedings of Electrochemical Society 2000 Fall Meeting "High Purity Silicon VI", (巻), No.677, 77-85, 2000..[組織] ... 東野 徒士之, 棚橋 克人, 井上 直久, 森 篤史 : シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス, 真空, Vol.43, No.5, 603-606, 2000年..[組織] ... Arata Natsume, Naohisa Inoue, Katuto Tanahashi and Atsushi Mori : Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon, Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-12), Vail, Colorado, USA, Aug. 2000..[組織] ... Yoichiro Yamanaka, Katsuto Tanahashi, Takeshi Mikayama, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : Nucleation of void defects in CZ silicon, Electrochemical Society 2000 Fall Meeting, Phoenix, Oct. 2000..[組織] ... Arata Natsume, Naohisa Inoue, Katuto Tanahashi and Atsushi Mori : Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon, Journal of Crystal Growth, Vol.225, No.2-4, 221-224, 2001..[組織] ... Naohisa Inoue, Takeshi Mikayama, Yoichiro Yamanaka, Hideaki Harada and Atsushi Mori : Distribution Coefficient of Nitrogen in Silicon, Abstract of The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 103, Kyoto, July 2001..[組織] ... Futoshi Shirazawa, Atsushi Mori and Naohisa Inoue : Molecular Dynamics Simulation of Crystal/Melt Interface in Temperature Gradient, Abstract of The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 500, Kyoto, Aug. 2001..[組織] ... 白澤 太志, 森 篤史, 井上 直久 : 融液成長における成長速度と温度勾配の関係: 分子動力学シミュレーション, 日本物理学会講演概要集, Vol.56, No.2, 747, 2001年9月..[組織] ... 山中 陽一郎, 棚橋 克人, 三箇山 毅, 井上 直久, 森 篤史 : Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察, 真空, Vol.45, No.1, 32-35, 2002年..[組織] ... Naohisa Inoue, Atsushi Mori, Satoshi Uda, Takeshi Mikayama and Hidaeki Harada : Distribution coefficient at solid/liquid interface in melt growth of Si, Proceedings of the Sixth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, 17-20, March 2002..[組織] ... 森 篤史, 白澤 太志, 井上 直久 : 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション, 日本結晶成長学会誌, Vol.29, No.1, 69-73, 2002年4月..[組織] ... Atsushi Mori, Futoshi Sirazwa and Naohisa Inoue : Non-Eeuilibrrium Molercular Dynamics Ssimulation of Crystal-Melt Interfaces, Second International Workshop "Nucleation and Non-linear Problems in First-order Phase transitions", 43, St. Pertersburg, Russia, July 2002..[組織] ... Atsushi Mori, Futoshi Sirazwa and Naohisa Inoue : Non-equilibrium molecular dynamics simulation of a crystal-melt interface, Russian Journal of Physical Chemistry A, Vol.78, No.Supplemet 1, S176-S181, 2004..[組織] ...
過去3日以内に登録・変更された情報
本データベースでは情報の登録，保守作業の分散を主たる目的の一つとしております．したがって，上記にリストアップされている情報の保守は個々の情報の当事者に委ねられます．
ある情報を保守する義務があるかないかは，その情報に対して権限を持っているかどうかで判断してください．もちろん情報の所有者が主に管理しなくてはならないことになりますが，権限を持っている利用者が連帯してその情報の保守を行なう義務を負っていると考えてください．
貴方がどの情報について権限を持っているかは，貴方自身の情報を閲覧してください．
Number of session users = 0, LA = 0.54, Max(EID) = 432992, Max(EOID) = 1152878.