『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
〔閲覧〕【著作】
--- テーブル「著作」（著作（著書，論文，レター，国際会議など））は研究業績にかかる著作（著書，論文，レター，国際会議など）を登録するテーブルです．
登録情報
抽出条件
| [組織]= |  三重大学
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|---|---|---|
| PERM= | 徳島大学.工学部.光応用工学科.光機能材料講座
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登録情報の数
有効な情報: 24件 + 無効な情報: 1件 = 全ての情報: 25件
全ての有効な情報 (24件)
条件追加
[種別](著作の種別)による分類 : | ||||||||||||||||||||
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抽出結果のリスト
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排列順: 項目表示: Atsushi Mori, Tomonori Ito, Tomoichro Toyama and Nabuhide Kasae : Computational study of InGaN phase separation, Advanced Materials and Performance, Vol.2, 714-717, Tokushima, Nov. 1999..[組織] ... Tomonori Ito and Atsushi Mori : Theoretical investigations of thermodynamic stability of nitride semiconductor alloy, Proceedings of the Fourth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, 275-278, March 2000..[組織] ... Nobuhide Kasae, Atsushi Mori, Tomoichiro Toyama and Tomonori Ito : Searching the Boundary of Immiscbility Region of InGaN Semiconductor Alloy by Monte Carlo Simulations, Abstract Book The 1st Asisn Conference in Crystal Growth and Crystal Technology, 573-574, Sendai, Aug. 2000..[組織] ... Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Atsushi Mori and Akinori Koukitu : Empirical Interatomic Potential Calculation for Compositional Instability of III-V Nitride Alloy in Lattice Mismatch Systems, IPAP Conf. Ser.1, 681-684, 2000..[組織] ... Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Atsushi Mori and Akinori Koukitu : Empirical Interatomic Potential Calculation for Compositional Instability of III-V Nitride Alloy in Lattice Mismatch Systems, IWN Nagoya 2000, Nagoya, Sep. 2000..[組織] ... Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Atsushi Mori and Akinori Koukitu : Anomalous behavior of excess energy curves of InxGa1-xN grown on GaN and InN, Journal of Crystal Growth, Vol.220, No.4, 401-404, 2000..[組織] ... Nobuhide Kasae, Atsushi Mori, Tomoichiro Toyama, Tomonori Ito and Yoshihiro Kangawa : Semigrand canonical Monte Carlo simulation toward the construction of InGaN alloy phase diagram, Proceedings of the Fifth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, 425-428, March 2001..[組織] ... Nobuhide Kasae, Atsushi Mori, B. Brian Laird, Tomonori Ito, Akinori Koukitu and Yoshihiro Kangawa : Monte Calro Simulation Study on Alloy Phase Diagram of InGaN Thin Film on Substrates, Abstract of The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 423, Kyoto, Aug. 2001..[組織] ... Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Atsushi Mori and Akinori Koukitu : Empirical potential approach to themodynamic stability of nitride film, Frontier Science Research Conference, Bulletin of the Stefan University, Series II, Books of Abstracts, Vol.13, No.14, La Jolla, Nov. 2001..[組織] ... Atsushi Mori, B. Brian Laird, Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito and Akinori Koukitu : Monte Carlo simulation of alloy phase diagrams of InGaN thin film on GaN and InN, Proceedings of the Sixth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, 59-62, March 2002..[組織] ... Atsushi Mori, B Brian Laird, Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito and Akinori Koukitu : Gibbs-Duhem integration technique in semigrand canonical ensemble, Second International Workshop "Nucleation and Non-linear Problems in First-order Phase Transitions", 44, St. Pertersburg, Russia, July 2002..[組織] ... 森 篤史, B Brian Laird, 寒川 義裕, 伊藤 智徳, 纐纈 明伯 : GaNおよびInN基板上のInGaNの混晶相図作製のモンテカルロシミュレーション, 日本結晶成長学会誌, Vol.29, No.2, 85, 2002年8月..[組織] ... Atsushi Mori, B Brian Laird, Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito and Akinori Koukitu : Semigramd Canonical Monte Carlo Simulation with Gibbs-Duhem Integration Technique: Formlation for Alloy Phase Diagrams and Attempt on InxGa1-xN/GaN, Russian Journal of Physical Chemistry A, Vol.77, No.Supplement 1, S21-S29, 2003..[組織] ... Atsushi Mori, B Brian Laird, Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito and Akinori Koukitu : Semigramd Canonical Monte Carlo Simulation with Gibbs-Duhem Integration Technique for Alloy Phase Diagrams, Materials Physics and Mechanics, Vol.6, No.1, 49-57, 2003..[組織] ... Atsushi Mori, Tomonori Ito, Yoshihiro Kangawa and Akinori Koukitu : Superlattice stacking structure in InGaN film pseudomorphic to the substrates: semigrand canonical Monte Carlo simulations, Fifth International Conference on Nitride Semiconductor, Nara, May 2003..[組織] ... 森 篤史, 伊藤 智徳, 寒川 義裕, 纐纈 明伯 : InGaN薄膜における自然超格子構造, 日本結晶成長学会誌, Vol.30, No.3, 97, 2003年8月..[組織] ... Atsushi Mori, Tomonori Ito, Yoshihiro Kangawa and Akinori Koukitu : Superlattice stacking structure in InGaN thin film pseudomorphic to GaN (0001) substrate: semigrand canonical Monte Carlo simulation, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.0, No.7, 2486-2489, 2003..[組織] ... Atsushi Mori, Tomonori Ito and Braian B Laird : Superlattice stacking structure in InGaN thin film pseudomorphic to GaN (0001) substrate: semigrand canonical Monte Carlo simulation, Abstract of Eleventh International Conference on Composie/Nano Engineering, Hilton Head Island, SC, USA, Aug. 2004..[組織] ... 赤阪 和彦, 森 篤史, 伊藤 智徳, 柳谷 伸一郎, 井上 哲夫 : InGaN混晶相図のモンテカルロシミュレーション, 第18回分子シミュレーション討論会講演要旨集, 73-74, 2004年12月..[組織] ... Atsushi Mori, Tomonori Ito and B Brian Laird : Superlattice structure along the phase boundary in alloy phase diagram of InGaN thin film by Monte Carlo simulation, Current Topics in Crystal Growth Research, Vol.7, (号), 39-46, Dec. 2004..[組織] ... Atsushi Mori, Kazuhiko Akasaka, Tomonori Ito, Shin-ichiro Yanagiya and Tetsuo Inoue : Alloy phase diagram of InGaN/GaN(0001) pseudomorphic thin film and strain-induced supperlattice structure: Monte Carlo simulation study, The 23rd International Conference on Defects in Semiconductors ICDS-23 PROGRAM and ABSTRACTS, 360, Awaji, July 2005..[組織] ... 森 篤史, 赤阪 和彦, 伊藤 智徳, 柳谷 伸一郎, 井上 哲夫 : セミグランドカノニカルモンテカルロシミュレーションによるInGaN/GaN(0001)薄膜の混晶相図作成 I, 日本物理学会講演概要集, Vol.60, No.2, 170, 2005年9月..[組織] ... 赤阪 和彦, 森 篤史, 伊藤 智徳, 柳谷 伸一郎, 井上 哲夫 : InGaN/GaN(0001)薄膜における歪誘起超格子状態のモンテカルロシミュレーション, 第19回分子シミュレーション討論会講演概要集, 2005年11月..[組織] ... Atsushi Mori, Kazuhiko Akasaka, Tomonori Ito, Shin-ichiro Yanagiya and Tetsuo Inoue : Indium Gallium Nitride Superlattice structure: Free energy calculation in semi-grand canonical Monte Carlo simulation, Thirteenth International Workshop on Physics of Semiconductor Device, New Delhi, Dec. 2005..[組織] ...
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