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閲覧 Xiangmeng Lu, Y. Izumi, M. Koyama, Y. Nakata, S. Adachi and S. Muto : Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.322, No.1, 6-9, 2011..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Masataka Koyama, Yoshiharu Izumi, Yoshiaki Nakata, Satoru Adachi and Shunichi Muto : Size Distribution and Scaling Behavior of InAlAs/AlGaAs Quantum Dots Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.2R, 025602, 2013..[著者] ...
閲覧 Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effect of cavity-layer thicknesses on two-color emission in coupled multilayer cavities with InAs quantum dots, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, 04DG10, 2015..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : Study of MBE Growth on high-index GaAs substrate for THz devices, 2017 Xiamen University Nanqiang Youth Scholar Forum, (頁), 2017年4月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Yasuo Minami and Takahiro Kitada : Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures grown by MBE, The 44rd International Symposium on Compound Semiconductor(ISCS2017), (巻), No.B8.6, (頁), Berlin, Germany, May 2017..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入による室温ニ波長レーザー発振, 2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ep-6-P80, 2017年7月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InAs量子ドットをもつGaAs結合共振器からの電流注入によるレーザー発振, 2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ep-7-P81, 2017年7月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 熊谷 直人, 南 康夫, 北田 貴弘 : Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures, The 12th National Conference on Molecular Beam Epitaxy, Vol.P125, 2017年8月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 北田 貴弘 : MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 5p-C21-9, 2017年9月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸をもつGaAs結合共振器からの電流注入による2波長レーザー発振, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-A405-11, 2017年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 : 高指数面上の副格子交換エピタキシーと面発光テラヘルツ素子, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-A203-1, 2017年9月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Takahiro Kitada : Sublattice Reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), Vol.57, No.4, G-3-02, Sendai, Sep. 2017..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Ken Morita : Room-Temperature Two-Color Lasing by Current Injection into a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity Fabricated by Wafer Bonding, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), Vol.57, No.4, G-3-07, Sendai, Sep. 2017..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami and Takahiro Kitada : Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures grown on (113)B GaAs substrates, Applied Physics Express, Vol.11, No.1, 015501, 2018..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : ウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による室温二波長レーザ発振, 電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会, Vol.117, No.406, OPE2017-118-P9-14, 2018年1月..[著者] ...
閲覧 吉田 啓佑, 宮井 淳平, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : ゲルマニウムを使った高指数面基板上ガリウムヒ素系薄膜の副格子交換エピタキシー成長, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成29年度第1回講演会・見学会 (平成29年度徳島大学日亜寄附講座研究交流会), P1, 2018年1月..[著者] ...
閲覧 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : テラヘルツLEDを実現するガリウムヒ素系結合共振器の室温赤外二波長レーザ発振, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成29年度第1回講演会・見学会 (平成29年度徳島大学日亜寄附講座研究交流会), P2, 2018年1月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs系の多層膜結合共振器を使ったテラヘルツLEDの研究開発, LED総合フォーラム2018 in 徳島, No.P-4, 83-88, 2018年2月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Ken Morita : Room-temperature two-color lasing by current injection into a GaAs/AlGaAs coupled multilayer cavity fabricated by wafer bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.4S, 04FH03, 2018..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami and Takahiro Kitada : Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.4S, 04FH07, 2018..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入によるニ波長レーザの温度特性, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-C301-11, 2018年3月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸をもつGaAs結合共振器からの電流注入による室温での2波長レーザーの時間特性, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20p-A402-12, 2018年3月..[著者] ...
閲覧 Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Simultaneous Oscillation of Two-Color Laser Lights from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity, The Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2018), JTu2A.20, San Jose, California, USA, May 2018..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Temperature Tuning of Two-Color Lasing Using a Coupled GaAs/AlGaAs Multilayer Cavity by Current Injection, The Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018),, We2A2.4, Massachusetts Institute of Technology Cambridge, MA, USA,, May 2018..[著者] ...
閲覧 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs/AlGaAs結合共振器による二波長面発光レーザの時間分解スペクトル測定, 2018年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, Vol.Fa-5, 98, 2018年8月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 : 半導体多層膜結合共振器による赤外二波長レーザー発振, 2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会, No.C-4-19, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による二波長発振の動的振る舞いの温度依存性, 2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 18a-232-6, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : MBEによる(113)A GaAs基板上におけるAlAs/Ge/AlAsヘテロ構造の副格子交換, 2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 18p-234B-14, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Time Resolved Measurement of Two-Color Laser Lights Emitted from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity, 23rd Microoptics Conference (MOC 2018), No.H-4, Taipei, Taiwan,, Oct. 2018..[著者] ...
閲覧 森田 健, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 半導体結合共振器を利用したテラヘルツ波発生, テラヘルツ科学の最先端V, (巻), (号), Inv5, 2018年12月..[著者] ...
閲覧 阿部 広睦, 張 弘翼, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : DBR膜上の低温成長InGaAs量子井戸によるテラヘルツ光伝導スイッチの研究, 平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, P15, 2019年2月..[著者] ...
閲覧 髙橋 美沙, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : 量子ドットを活性層とする結合共振器の光励起レーザ発振, 平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, P16, 2019年2月..[著者] ...
閲覧 合田 剛史, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : 2つの(113)Bエピウェハの直接接合で作製した半導体結合共振器の電流注入レーザー発振, 平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, (巻), (号), P17, 2019年2月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs系の多層膜結合共振器を使ったテラヘルツLEDの作製を目指した基礎的研究, LED総合フォーラム2019 in 徳島, (巻), No.P-16, 89-92, 2019年2月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 小楠 洸太朗, 髙橋 美沙, 合田 剛史, 熊谷 直人, 森田 健, 南 康夫, 北田 貴弘 : (113)B GaAsウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入によるレーザ発振, 2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 10p-PB4-7, 2019年3月..[著者] ...
閲覧 熊谷 直人, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : 高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光電流スペクトルの温度依存性, 2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 11p-PA4-5, 2019年3月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健 : 半導体結合共振器による面発光テラヘルツ素子, 光学, Vol.48, No.7, 274-280, 2019年7月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 : 高指数面上の副格子交換エピタキシーと面型非線形光デバイス, 材料, Vol.68, No.10, 739-744, 2019年10月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 阿部 広睦, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘 : 高速キャリア緩和InAs量子ドット積層構造を用いた光伝導アンテナのテラヘルツ波発生特性, 2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), 12p-PA1-3, 2020年3月..[著者] ...
閲覧 Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Takahiro Kitada and Isu Toshiro : Mobility and activation energy of lateral photocurrent of InAs quantum dot layers with ultrafast carrier relaxation, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.126, 114478, 2020..[著者] ...

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