『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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[組織]=(未定義)
PERM=閲覧 西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])

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閲覧 Ichiro Shimizu, Satoshi Wada, Toshiya Okahisa, Masako Kamamura, Mitsuyasu Yano, Tsukasa Kodaira, Katsushi Nishino, Kenji Shima and Susumu Ito : Radioimmunoreactive plasma bradykinin levels and histological changes during the course of cerulein-induced pancreatitis in rats., Pancreas, Vol.8, No.2, 220-225, 1993..[著者] ...
閲覧 R.J. Choi, S. Kubo, M. Tsukihara, K. Inoue, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Effects of V/III flux ratio on AlInGaN/AlGaN quantum wells grown by atmospheric pressure MOCVD, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.2, No.7, 2149-2152, 2005..[著者] ...
閲覧 Shuichi Kawamichi, Katsushi Nishino, Kazuhide Sumiyoshi, Masashi Tsukihara, Fanwang Yan and Shiro Sakai : Inversion domain in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.298, (号), 297-299, 2007..[著者] ...
閲覧 Katsushi Nishino, A. Sakamoto and Shiro Sakai : Growth of thich a-plane GaN on r-plane sapphire by direct synthesis method, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.7, 2532-2535, 2007..[著者] ...
閲覧 Yoshiki Naoi, K. Ikeda, T. Hama, K. Ono, R. Choi, T. Fukumoto, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, S. M. Lee and M. Koike : Blue light emitting diode fabricated on a-plane GaN film over r-sapphire substrate and on a-plane bulk GaN substrate, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.7, 2810-2813, 2007..[著者] ...
閲覧 Kazuhide Sumiyoshi, Masashi Tsukihara, Ken Kataoka, Shuichi Kawamichi, Tadashi Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Al0.17Ga0.83N film with Middle Temperature Intermediate Layer Grown on Trenched Sapphire Substrate by MOCVD, Journal of Crystal Growth, Vol.298, No.SI, 300-304, 2007..[著者] ...
閲覧 西野 克志, 澤井 佑介, 成行 祐児, 野田 丈嗣, 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚 : ナノ加工GaN基板上再成長層のTEM観察, 第57回応用物理学関係連合講演会, 19a-TB2, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, International Workshop on Nitride Semiconductors, Sapporo, Oct. 2012..[著者] ...
閲覧 西野 克志, 日和佐 悠一, 岩元 翔太, 林 浩太郎, 月原 政志 : 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlN成長, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年3月..[著者] ...
閲覧 金 度亨, 李 熙燮, 山住 和也, 西野 克志, 酒井 士郎 : 炭素(C)ドープAlGaN のP 型化のメカニズム, 第60 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, (巻), (号), 28p-PA1-29, 2013年3月..[著者] ...
閲覧 Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, 08JA07-1-08-JA07-2, 2013..[著者] ...
閲覧 小渕 圭一朗, 林 浩太郎, 西野 克志 : 昇華法によるAlN成長における初期過程の検討, 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, FR17, 2013年6月..[著者] ...
閲覧 日和佐 悠一, 林 浩太郎, 西野 克志 : 荒れた6H-SiC基板へ昇華法により成長したAlNの剥離機構, 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, (巻), (号), FR18, 2013年6月..[著者] ...
閲覧 Mitsuaki Suda, Katsushi Nishino, Satoshi Kurai and Yoichi Yamada : CL measurement of AlGaN grown on the off-oriented AlN substrate, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (都市), March 2014..[著者] ...
閲覧 高吉 翔大, 西野 克志 : 昇華法におけるAlN結晶成長速度の向上に関する検討, 2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), (頁), 2014年7月..[著者] ...
閲覧 山元 佑基, 西野 克志 : 昇華法AlN結晶成長におけるTaマスクの効果, 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), Ca-1, 2015年8月..[著者] ...
閲覧 鈴木 雄大, 西野 克志 : MOCVD法AlGaN成長における昇華法AlN基板処理方法の検討, 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), Da-6, 2015年8月..[著者] ...
閲覧 橋本 竜治, 鈴木 雄大, 西野 克志 : 昇華法AlN基板上へのMOCVD法によるAlGaN結晶の成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 86, 2016年7月..[著者] ...
閲覧 梨子木 清人, 西野 克志 : 6H-SiC基板上へのAlNバルク結晶成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, (巻), (号), 87, 2016年7月..[著者] ...
閲覧 多喜川 直也, 西野 克志 : 剥離AlNを種結晶として用いた昇華法AlN成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, (巻), (号), 88, 2016年7月..[著者] ...
閲覧 枝澤 光希, 浦西 将, 富田 卓朗, 西野 克志 : AlN結晶のアニール処理による機械的ダメージの回復評価, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PA4-1, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 市村 佑太, 西野 克志 : 直接合成法によるβ-Ga2O3の結晶成長, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PB8-18, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 内藤 友紀, 西野 克志 : 真空蒸着法による p 型 Si 基板上への BaSi2 膜作製の検討, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-12, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 瀬尾 翔輝, 西野 克志 : AlN 結晶成長における基板表面酸化膜除去の効果, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-13, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 西尾 聡馬, 内藤 友紀, 西野 克志 : 蒸着中の原料状態がBaSi2薄膜の品質に与える影響, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, (巻), (号), 21a-PA3-6, 2019年9月..[著者]+[指導教員] ...

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