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閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase and Hiroshi Yamaguchi : Theoretical Study of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001) Surfaces, Applied Physics Express, Vol.2, No.6, 065502-(3pp), 2009..[著者] ...
閲覧 Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi : Metrology of microscopic properties of graphene on SiC, --- [Invited Paper] ---, IEICE Technical Report, Vol.109, No.97, 47-52, 2009..[著者] ...
閲覧 Hiroki Hibino, S Mizuno, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroshi Yamaguchi : Stacking domains of epitaxial few-layer graphene on SiC(0001), Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.80, No.8, 085406-(6pp), 2009..[著者] ...
閲覧 Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi : Local Conductance Measurement of Double-layer Graphene on SiC Substrate, Nanotechnology, Vol.20, No.44, 445704-(6pp), 2009..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino and Masao Nagase : Epitaxial Graphene Growth Studied by Low-energy Electron Microscopy and First-principles, Materials Science Forum, Vol.645-648, 597-602, 2010..[著者] ...
閲覧 Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi : Contact Conductance Measurement of Locally Suspended Graphene on SiC, Applied Physics Express, Vol.3, No.4, 045101-(3pp), 2010..[著者] ...
閲覧 Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Masao Nagase : In-situ surface electron microscopy observations of growth and etching of epitaxial few-layer graphene on SiC, --- [Invited] ---, International Workshop on "In situ characterization of near surface processes", Eisenerz, Austria, May 2010..[著者] ...
閲覧 Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Half-Integer Quantum Hall Effect in Gate-Controlled Epitaxial Graphene Devices, Applied Physics Express, Vol.3, No.7, 075102-(3pp), 2010..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi : Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects, 30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2010), No.TuD1-2, Seoul, Korea, July 2010..[著者] ...
閲覧 Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Masao Nagase : Graphene Growth on Silicon Carbide, NTT Technical Review, Vol.8, sf4-(6pp), 2010..[著者] ...
閲覧 Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi : Contact conductance measurement of nano-membrane structure of graphene on SiC, 18th International Vacuum Congress (IVC-18)/International Conference on Nanoscience and Technology (ICN+T 2010)/14th International Conference on Surfaces Science (ICSS-14)/Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-5), No.P1-EmP1-18, Beijing, China, Aug. 2010..[著者] ...
閲覧 Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Masao Nagase : Epitaxial few-layer graphene: toward single crystal growth, Journal of Physics D: Applied Physics, Vol.43, No.37, 374005-(14pp), 2010..[著者] ...
閲覧 Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima, Shinichi Tanabe, Masao Nagase, Seigi Mizuno and Satoru Tanaka : Surface Electron Microscopy of Epitaxial Graphene, --- [Invited] ---, Second International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene (STEG2), Amelia Island, Florida, USA, Sep. 2010..[著者] ...
閲覧 田邉 真一, 関根 佳明, 影島 博之, 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹 : 単層エピタキシャルグラフェンにおける半整数量子ホール効果の観測, 第71回応用物理学会学術講演会, No.16a-ZQ-11, 2010年9月..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界, 第71回応用物理学会学術講演会, No.16a-ZM-9, 2010年9月..[著者] ...
閲覧 Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Observation of bandgap in epitaxial bilayer graphene field effect transistors, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), Sendai, Japan, Sep. 2010..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 永瀬 雅夫, 山口 浩司 : SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討, 日本結晶成長学会誌, Vol.37, 190-195, 2010年10月..[著者] ...
閲覧 Hiroki Hibino, Shinichi Tanabe, Hiroyuki Kageshima and Masao Nagase : Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC, --- [Invited] ---, International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010), Sendai, Japan, Oct. 2010..[著者] ...
閲覧 Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi : Electrical contact properties of few-layer graphene on SiC substrate, --- [Invited] ---, International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010), Sendai, Japan, Oct. 2010..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi : Theoretical study on functions of graphene, --- [Invited] ---, International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010), Sendai, Japan, Oct. 2010..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi : Atomic Structure and Physical Properties of Epitaxial Graphene Islands Embedded in SiC(0001) Surfaces, Applied Physics Express, Vol.3, No.11, 115103-(3pp), 2010..[著者] ...
閲覧 日比野 浩樹, 影島 博之, 田邉 真一, 永瀬 雅夫, 水野 清義 : SiC 上エピタキシャルグラフェンの成長と評価, 固体物理, Vol.45, 645-655, 2010年11月..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi : Theoretical study on growth, structure, and physical properties of graphene on SiC, --- [Invited] ---, "Japan-Korea Symposium on Surface and Nanostructure 9th" (JKSSN9), Sendai, Japan, Nov. 2010..[著者] ...
閲覧 Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC, The 2010 Fall Meeting of the Materials Research Society (MRS), No.B9.2, Boston, USA, Dec. 2010..[著者] ...
閲覧 Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Katsuya Oguri, Tatsushi Akasaki, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroshi Yamaguchi : Surface-enhanced Raman spectroscopy of graphene grown on SiC, The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011), No.PWe-12, Atsugi, Japan, Jan. 2011..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi : Theoretical study on magnetoelectric effects of embedded graphene nanoribbons on SiC(0001) surface, The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011), No.PWe-10, Atsugi, Japan, Jan. 2011..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Theoretical study on epitaxial graphene growth on SiC(0001) surface, 2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology (IWDTF2011), No.P-24, Tokyo, Japan, Jan. 2011..[著者] ...
閲覧 関根 佳明, 日比野 浩樹, 小栗 克弥, 赤崎 達志, 影島 博之, 永瀬 雅夫, 山口 浩司 : SiC 上グラフェンの表面増強ラマン散乱, 日本物理学会 第66回年次大会, No.26aTA-3, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 田邉 真一, 関根 佳明, 影島 博之, 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹 : エピタキシャルグラフェンの Hall 移動度評価, 第58回 応用物理学関係連合講演会, No.26p-KE-14, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 呉 龍錫, 岩本 篤, 西 勇輝, 船瀬 雄也, 湯浅 貴浩, 富田 卓朗, 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹, 山口 浩司 : ラマン分光法による 4H-SiC 上エピタキシャルグラフェンの膜質評価, 第58回 応用物理学関係連合講演会, No.26p-KE-17, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : SiC(0001) 面上での S i 脱離とグラフェン形成, 第58回 応用物理学関係連合講演会, No.26p-BM-1, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC, Materials Research Society Symposia Proceedings, Vol.1283, opl.2011.675-(6pp), 2011..[著者] ...
閲覧 Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Observation of band gap in epitaxial bilayer graphene field effect transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.50, No.4, 04DN04-(4pp), 2011..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : SiC(0001)面上エピタキシャルグラ フェンの構造と形成 (招待講演), --- [招待講演] ---, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第137回研究集会「ゲートスタッ ク技術の進展-半導体機能界面の特性評価を中心に」, (号), 2011年7月..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi : Theoretical Study on Magnetoelectric and Thermoelectric Properties for Graphene Devices, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.50, No.7, 070115-(5pp), 2011..[著者] ...
閲覧 Yoshiaki Sekine, Hiroki Hibino, Katsuya Oguri, Tatsushi Akasaki, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroshi Yamaguchi : Surface-enhanced Raman scattering of graphene on SiC, The 6th International School and Conference on Spintronics and Quantum Infromation Technology (SPINTECH6), No.WP-86, Matsue, Japan, Aug. 2011..[著者] ...
閲覧 西 勇輝, 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹, 影島 博之, 山口 浩司 : グラフェンメンブレンの形状変化, 第72回 応用物理学会学術講演会, No.30p-E-6, 2011年8月..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : S i C ( 0 0 0 1 )上エピタキシャルグラフェン成長におけるS i 脱離とC 吸着の効果の比較, 第72回 応用物理学会学術講演会, No.1p-ZF-4, 2011年9月..[著者] ...
閲覧 岩本 篤, 呉 龍錫, 船瀬 雄也, 西 勇輝, 湯浅 貴浩, 富田 卓朗, 永瀬 雅夫, 関根 佳明, 日比野 浩樹, 山口 浩司 : ラマン分光法によるSiC上グラフェンの内部応力解析, 第72回 応用物理学会学術講演会, No.1a-E-1, 2011年9月..[著者] ...
閲覧 船瀬 雄也, 岩本 篤, 西 勇輝, 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹, 山口 浩司 : エピタキシャルグラフェンの摩擦力の層数依存評価, 第72回 応用物理学会学術講演会, No.1a-E-14, 2011年9月..[著者] ...
閲覧 田邉 真一, 関根 佳明, 影島 博之, 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹 : 単層エピタキシャルグラフェンの特異な抵抗の温度依存性, 第72回 応用物理学会学術講演会, No.1p-E-5, 2011年9月..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Theoretical Study on Epitaxial Graphene Growth by Si Sublimation from SiC(0001) Surface, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.50, No.9, 095601-(6pp), 2011..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : トレンチモデルを用いた SiC(0001)上グラフェン成長の検討, 日本物理学会2011年秋季大会, (号), 2011年9月..[著者] ...
閲覧 Shinichi Tanabe, Yoshiaki Sekine, Hiroyuki Kageshima, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Carrier transport mechanism in graphene on SiC(0001), Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.84, No.11, 115458-(5pp), 2011..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Theory on Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001), 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), (号), Nagoya, Japan, Sep. 2011..[著者] ...
閲覧 O Ryongsok, Atsushi Iwamoto, Yuki Nishi, Yuya Funase, Takahiro Yuasa, Takuro Tomita, Masao Nagase, Hiroki Hibino and Hiroshi Yamaguchi : Microscopic Raman mapping for epitaxial graphene on 4H-SiC (0001), 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011), Vol.51, No.6, Kyoto, Japan, Oct. 2011..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Role of steps and edges in epitaxial graphene growth on SiC(0001), International Symposium on Surface Science -Towards Nano-, Bio-, and Green Inovation-(ISSS-6), No.14amB-1-2, Tokyo, Japan, Dec. 2011..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Masao Nagase, Yoshiaki Sekine and Hiroshi Yamaguchi : Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects, AIP Conference Proceedings, Vol.1399, 755-756, 2011..[著者] ...
閲覧 呉 龍錫, 岩本 篤, 田尾 拓人, 井口 宗明, 奥村 俊夫, 杉村 晶史, 富田 卓朗, 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹, 山口 浩司 : ひずみによるラマンシフトを用いた SiC 上グラフェンの層数評価, 第59回 応用物理学関係連合講演会, No.16a-B2-4, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 田尾 拓人, 呉 龍錫, 岩本 篤, 井口 宗明, 奥村 俊夫, 杉村 晶史, 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹 : 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンの 表面ラフネスと層数均一性との相関, 第59回 応用物理学関係連合講演会, No.17a-A3-4, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : SiC(0001)面上エピタキシャルグラ フェン成長の初期過程, 日本物理学会2012年春季第67回年次大会, (号), 2012年3月..[著者] ...
閲覧 日比野 浩樹, 永瀬 雅夫, : グラフェンが拓く材料の新領域, --- ∼物性・作製法から実用化まで∼ ---, エヌティーエス, 東京, 2012年6月..[著者] ...
閲覧 O Ryongsok, Atsushi Iwamoto, Yuki Nishi, Yuya Funase, Takahiro Yuasa, Takuro Tomita, Masao Nagase, Hiroki Hibino and Hiroshi Yamaguchi : Microscopic Raman mapping of epitaxial graphene on 4H-SiC (0001), Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.51, No.6, 06FD06-(5pp), 2012..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Role of Step in Initial Stage of Graphene Growth on SiC(0001), International Conference on Physics of Semiconductors (ICPS2012), No.61.45, Zurich, Swiss, Aug. 2012..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : SiC(0001)面上第0層グラフェン成長初期過程とステップの役割, 第73回応用物理学会学術講演会(応物2012秋), No.13p-C1-8, (頁), 2012年9月..[著者] ...
閲覧 呉 龍錫, 高村 真琴, 古川 一暁, 永瀬 雅夫, 日比野 浩樹 : SiC上グラフェン架橋構造作製のための電解エッチング条件の 検討, 第60回応用物理学会春季学術講演会(応物2013春), No.27p-G12-6, (頁), 2013年3月..[著者] ...
閲覧 西 勇輝, 日比野 浩樹, 影島 博之, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : SiC上グラフェンによる原子層スイッチ, 第60回応用物理学会春季学術講演会(応物2013春), No.29a-G7-10, (頁), 2013年3月..[著者] ...
閲覧 Masao Nagase, Hiroki Hibino, Hiroyuki Kageshima and Hiroshi Yamaguchi : Graphene-Based Nano-Electro-Mechanical Switch with High On/Off Ratio, Applied Physics Express, Vol.6, No.4, 055101-(3pp), 2013..[著者] ...
閲覧 関根 佳明, 日比野 浩樹, 小栗 克也, 赤崎 達志, 影島 博之, 永瀬 雅夫, 佐々木 健一, 山口 浩司 : SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱, NTT技術ジャーナル, Vol.25, No.6, 22-26, 2013年6月..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : SiC(0001)面上第1層グラフェン成長初期過程とステップの役割, 第74回応用物理学会秋季学術講演会(応物2013秋), No.17p-B1-8, (頁), 2013年9月..[著者] ...
閲覧 小林 慶祐, 田邉 真一, 田尾 拓人, 呉 龍錫, 奥村 俊夫, 中島 健志, 日比野 浩樹, 永瀬 雅夫 : SiC上グラフェンにおける移動度の異方性, 第74回応用物理学会秋季学術講演会(応物2013秋), No.18a-B1-4, (頁), 2013年9月..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : SiC(0001)上0層グラフェン成長における表面形状の起源, 日本物理学会 2013年秋季大会, No.28aDK-7, (頁), 2013年9月..[著者] ...
閲覧 O Ryongsok, Takamura Makoto, Furukawa Kazuaki, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Effects of UV light on electrochemical wet etching of silicon carbide for suspended graphene fabrication, 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2013), No.8P-11-20, Sapporo, Japan, Nov. 2013..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Stability and reactivity of steps in the initial stage of graphene growth on the SiC(0001) surface, Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.88, No.23, 235405-(7pp), 2013..[著者] ...
閲覧 Hiroyuki Kageshima, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Stability and Reactivity of [11-20] Step in Initial Stage of Epitaxial Graphene Growth on SiC(0001), Materials Science Forum, Vol.778-780, 1150-1153, 2014..[著者] ...
閲覧 影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : SiC(0001) Si面上エピタキシャルグラフェン成長における[1-100]ステップの役割, 第61回応用物理学会春季学術講演会(応物2014春), No.18p-E2-2, (頁), 2014年3月..[著者] ...
閲覧 茶谷 洋光, 奥村 俊夫, 伊澤 輝記, 井口 宗明, 中島 健志, 小林 慶祐, 呉 龍錫, 有月 琢哉, 松本 卓也, 前田 文彦, 日比野 浩樹, 永瀬 雅夫 : グラフェン積層接合の電気特性, 第61回応用物理学会春季学術講演会(応物2014春), No.20a-E2-3, (頁), 2014年3月..[著者] ...
閲覧 Kageshima Hiroyuki, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase : Theoretical studies of graphene on SiC, --- [invited] ---, The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2014), Sapporo, July 2014..[著者] ...
閲覧 関根 佳明, 日比野 浩樹, 小栗 克弥, 岩本 篤, 永瀬 雅夫, 影島 博之, 佐々木 健一, 赤崎 達志 : 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱, レーザー研究, Vol.42, No.8, 652-657, 2014年..[著者] ...
閲覧 関根 佳明, 日比野 浩樹, 小栗 克弥, 岩本 篤, 永瀬 雅夫, 影島 博之, 赤崎 達志 : 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱, 第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), (巻), No.18p-B1-12, (頁), 2014年9月..[著者] ...
閲覧 影島 博之(島根大学), 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫 : SiC(0001) Si 面上第一層目グラフェン成長における [1-100]ステップの役割, 第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋), No.19p-B3-3, (頁), 2014年9月..[著者] ...
閲覧 O Ryong-Sok, Takamura Makoto, Furukawa Kazuaki, Masao Nagase and Hiroki Hibino : Effects of UV light intensity on electrochemical wet etching of SiC for the fabrication of suspended graphene, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.54, No.3, 036502-(5pp), 2015..[著者] ...

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