『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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閲覧 閲覧 徳島大学 …(18)
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閲覧 浜田 剛志, 大嶋 紀一, 倉科 昌, 長谷川 雄大, 山野井 慶徳, 西原 寛, 有田 亮太郎, 諏訪 雄二, 黒木 和彦, 青木 秀夫 : 平坦バンド強磁性体として設計されたオリゴ[1-(ジメチルアミノ)ピロール]の電気化学及び磁気特性, 第52回ポーラログラフィーおよび電気分析化学討論会, (巻), (号), (頁), 2006年11月..[組織] ...
閲覧 小笠原 正道 : キラルな遷移金属錯体の触媒的不斉合成, 理研セミナー, 2019年2月..[発行所] ...
閲覧 永松 謙太郎, 津田 翔太, 青野 零弥, 宮川 拓己, 揚田 侑哉, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴 : 高温有機金属気相成長装法におけるAlN成長の気相反応抑制, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z27-14, 2021年3月..[組織] ...
閲覧 津田 翔太, 青野 零弥, 揚田 侑哉, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : AlNテンプレート上高温AlN結晶成長, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z27-3, 2021年3月..[組織] ...
閲覧 宮川 拓己, 津田 翔太, 青野 零弥, 揚田 侑哉, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : AlNの高流速成長における成長メカニズム, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z27-13, 2021年3月..[組織] ...
閲覧 津田 翔太, 宮川 拓己, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 極性制御による高品質AlN成長手法の確立, 2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会, 1-12, 2021年8月..[組織] ...
閲覧 富田 敦之, 津田 翔太, 青野 零弥, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 気相反応を抑制した高温MOVPEにおけるV/Ⅲ比依存性, 2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会, 1-11, 2021年8月..[組織] ...
閲覧 富田 敦之, 津田 翔太, 青野 零弥, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 気相反応を抑制した高温MOVPEにおけるV/III比依存性, 応用物理学会中四国支部若手研究会, (巻), (号), (頁), 2021年8月..[組織] ...
閲覧 津田 翔太, 宮川 拓己, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 極性制御による高品質AlN成長手法の確立, 応用物理学会中四国支部若手研究会, (巻), (号), (頁), 2021年8月..[組織] ...
閲覧 津田 翔太, 宮川 拓己, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : インバージョンドメインの抑制による高品質AlN成長手法の確立, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 13p-N101-10, 2021年9月..[組織] ...
閲覧 富田 敦之, 津田 翔太, 宮川 拓己, 髙島 祐介, 直井 美貴, 平山 秀樹, 永松 謙太郎 : 気相反応を抑制したMOVPEにおけるAlNのV/Ⅲ比依存性, 第50回結晶成長国内会議(JCCG-50), 27p-A12, 2021年10月..[組織] ...
閲覧 富田 敦之, 津田 翔太, 宮川 拓己, 髙島 祐介, 直井 美貴, 平山 秀樹, 永松 謙太郎 : 気相反応を制御したMOVPEにおけるAlNのV/III比依存性, 第50回日本結晶成長学会, (巻), (号), (頁), 2021年10月..[組織] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi : The reduction of adduct formation during high-temperature growth in AlN by jet gas stream metalorganic vapor phase epitaxy, Photonics West 2022, 12001-6, San Francisco, Jan. 2022..[組織] ...
閲覧 Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu : Threshold temperature in annihilation radius of dislocation for AlN, Photonics West 2022, 12001-66, San Francisco, Jan. 2022..[組織] ...
閲覧 Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu : The improvement of crystal orientation in AlN with controlled inversion domain, Photonics West 2022, 12001-67, San Francisco, Jan. 2022..[組織] ...
閲覧 宮川 拓己, 津田 翔太, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 高温有機金属気相成長法におけるAlNの特異的なステップバンチング, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 25a-E203-2, 2022年3月..[組織] ...
閲覧 富田 敦之, 津田 翔太, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 低オフ角サファイヤ基板を用いた高温AIN成長におけるV/Ⅲ比依存性, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 25a-E203-3, 2022年3月..[組織] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi : Reduction of parasitic reaction in high temperature AlN growth by jet stream gas flow metal organic vapor phase epitaxy, Scientific Reports, Vol.12, 7662, 2022..[組織] ...
閲覧 藤田 将希, 宮川 拓己, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : MOVPE 超高温 成長中断 アニーリングによる A lN 転位低減手法, 応用物理学会中四国支部・若手半導体研究会, (巻), (号), (頁), 2022年8月..[組織] ...
閲覧 藤井 滉樹, 宮川 拓己, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : X線回折を用いたステップバンチングの発生オフ角評価, 応用物理学会中四国支部・若手半導体研究会, (巻), (号), (頁), 2022年8月..[組織] ...

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