『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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REF=閲覧 徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.総合技術センター.分析・解析技術分野 (〜2016年3月31日)

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抽出結果のリスト

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閲覧 杉山 茂, 稲岡 武, 杉野 彰一, 大西 徳生 : 工学離れを防 ぐ''科学体験フェスティバル in 徳島''の現状と波及効果, 工学教育, Vol.57, No.3, 14-19, 2009年..[組織] ...
閲覧 杉山 茂, 稲岡 武, 杉野 彰一, 大西 徳生 : 産官学連携による工学離れを防ぐ試み-``科学体験フェスティバルin徳島''の現状と波及効果, 日本工学教育協会第57回年次大会, 平成21年度工学・工業教育研究講演会, 2009年8月..[組織] ...
閲覧 大西 徳生, 魚崎 泰弘, 前田 健一, 獅々堀 正幹, 中野 晋, 多田 吉宏, 玉谷 純二, 下村 直行, 三神 厚, 倉科 昌, 中村 真紀, 杉山 茂, 小澤 将人, 山本 裕紹, 黒田 トクエ, 田端 厚之, 佐々木 由香, 島木 美香 : 安全マニュアル, 工学部, 徳島, 2010年2月..[組織] ...
閲覧 森本 和樹, 植木 智之, 岡田 達也 : アニール前後におけるNi/SiC界面の変化, 2013年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 講演予稿集, (巻), (号), 102, 2013年7月..[組織] ...
閲覧 長谷 香奈美, 植木 智之, 岡田 達也 : <111>引張アルミニウム単結晶における変形および内部転位組織と再結晶, 日本金属学会第53回中国四国支部講演大会 講演概要集, (巻), (号), 42, 2013年8月..[組織] ...
閲覧 森本 和樹, 植木 智之, 岡田 達也 : 4H-SiC単結晶に蒸着したNi薄膜のアニールに伴う変化, 日本金属学会中国四国支部第53回講演大会 講演概要集, (巻), (号), 35, 2013年8月..[組織] ...
閲覧 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールに伴う変化, 2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 講演予稿集, (巻), (号), 62, 2014年7月..[組織] ...
閲覧 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 : fsレーザ照射によるSiC中へのひずみ導入と低温アニールに伴うNi拡散, 日本金属学会中国四国支部第54回講演大会 講演概要集, (巻), (号), 6, 2014年8月..[組織] ...
閲覧 佐藤 崇史, 植木 智之, 岡田 達也 : <110>方位溝付き銅単結晶試験片の引張変形と再結晶, 日本金属学会中国四国支部第54回講演大会 講演概要集, (巻), (号), 7, 2014年8月..[組織] ...
閲覧 佐藤 崇史, 植木 智之, 岡田 達也 : 銅単結晶のせん断変形とキンク帯形成, 日本金属学会中国四国支部第54回講演大会 講演概要集, (巻), (号), 8, 2014年8月..[組織] ...
閲覧 佐藤 崇史, 加藤 慎也, 植木 智之, 岡田 達也 : <110>方位溝付き銅単結晶試験片の変形と再結晶, 日本金属学会2014年秋期講演大会, (巻), (号), 235, 2014年9月..[組織] ...
閲覧 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC界面へのfsレーザ照射によるひずみ導入と低温アニール, 日本金属学会2014年秋期講演大会, (巻), (号), 213, 2014年9月..[組織] ...
閲覧 髙田 大輔, 植木 智之, 岡田 達也 : <110>傾角Σ3,3,9アルミニウム三重結晶の引張変形および焼鈍による粒界挙動, 日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, (巻), (号), 35, 2015年8月..[組織] ...
閲覧 南 俊介, 植木 智之, 岡田 達也 : {112}板面アルミニウム単結晶の<110>方向せん断変形による変形帯形成, 日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, (巻), (号), 36, 2015年8月..[組織] ...
閲覧 滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみを応用した低温拡散, 日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, (巻), (号), 52, 2015年8月..[組織] ...
閲覧 滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 : フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, (巻), (号), 13p-2F-10, 2015年9月..[組織] ...
閲覧 滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみ及び低温アニールによるNiシリサイド形成, 日本金属学会2015年秋期講演大会(第157回)概要集, 80, 2015年9月..[組織] ...
閲覧 Yusuke Takidani, Kazuki Morimoto, Kenta Kondo, Tomoyuki Ueki, Takuro Tomita, Yasuhiro Tanaka and Tatsuya Okada : Low-Temperature Diffusion at Ni/SiC Interface with the Aid of Femtosecond Laser-Induced Strain, Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.10, No.3, 314-319, 2015..[組織] ...

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