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PERM=閲覧 永松 謙太郎 ([徳島大学.ポストLEDフォトニクス研究所])

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閲覧 N. Tsuyukuchi, Kentaro Nagamatsu, Y. Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Normally Off-Mode AlGaN/GaN HFET with p-Type Gate Contact, MRS Online Proceedings Library Archive, Vol.892, No.FF15, 03, (都市), (month)2005..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎, 岡留 由真, 古川 寛子, 土屋 陽祐, 浅井 利浩, 三島 俊介, 本塩 彰, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇 : サファイアR面基板上ナイトライドLEDの特性, 第66回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2005年9月..[著者] ...
閲覧 三島 俊介, 永松 謙太郎, 本塩 彰, 三宅 泰人, 浅井 利浩, 飯田 一喜, 川島 毅, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇 : 顕微ラマン分光法によるNitride-LEDの動作時におけるGaN層の温度分布解析, 第66回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2005年9月..[著者] ...
閲覧 Y. Okadome, Y. Tsuchiya, H. Furukawa, Kentaro Nagamatsu, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Realization of high-crystallinity a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate for high-performance light-emitting device, Materials Research Society Fall Meeting, Vol.FF7.7/EE5.7, (号), (頁), Boston, Nov. 2005..[著者] ...
閲覧 N. Tsuyukuchi, Kentaro Nagamatsu, H. Yoshinobu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Normally Off-Mode AlGaN/GaN HFET with p-Type Gate Contact, Materials Research Society Fall Meeting, Vol.FF15.3, (号), (頁), Boston, Nov. 2005..[著者] ...
閲覧 N. Tsuyukuchi, Kentaro Nagamatsu, Yoshinobu Hirose, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Normally Off-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor Using P-Type Gate Contact, Materials Research Society Symposia Proceedings, Vol.892, (号), 383, (都市), (month)2006..[著者] ...
閲覧 B. Krishnan, M. Imura, K. Iida, Kentaro Nagamatsu, Kunihiko Sugimura, T. Nagai, T. Sumii, F. Mori, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : High Temperature MOVPE Growth of AlxGa1-xN (0.2-1) Layers on Sapphire and SiC Substrates for the Fabrication Deep UV Optical Devices'' MRS OnlineProceedingsLibrary(OPL), Materials Research Society Symposia Proceedings, Vol.955, No.I04, 03, (都市), (month)2006..[著者] ...
閲覧 Norio Tsuyukuchi, Kentaro Nagamatsu, Yoshinobu Hirose, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki : Low-Leakage-Current Enhancement-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor Using p-Type Gate Contact, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.45 Part 2, No.8-11, L319, 2006..[著者] ...
閲覧 H. Kasugai, Kentaro Nagamatsu, Y. Miyake, A. Honshio, T. Kawashima, K. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Kinoshita and H. Shiomi : Light extraction process in moth-eye structure, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.3, No.6, 2165-2168, 2006..[著者] ...
閲覧 飯田 一喜, 渡邉 浩嵩, 竹田 健一郎, 住井 隆文, 永井 哲也, 永松 謙太郎, 岡田 成仁, バラクリシュナン クリシュナン, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇, 坂東 章 : 低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化(III), 電子情報通信学会京都大学, (巻), (号), (頁), 2006年10月..[著者] ...
閲覧 渡邉 浩崇, 飯田 一喜, 竹田 健一郎, 永松 謙太郎, 住井 隆文, 永井 哲也, バラクリッシュナン クリッシュナン, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, 坂東 章 : 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol.106, No.269, 87-92, 2006年10月..[著者] ...
閲覧 K. Balakrishnan, M. Imura, K. Iida, Kentaro Nagamatsu, S. Mori, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : High temperature MOVPE growth of AlN and AlxGa1-xN, 4th International Workshop of Nitride Semiconductors, (巻), (号), (頁), Kyoto, Oct. 2006..[著者] ...
閲覧 K. Balakrishnan, M. Imura, K. Iida, Kentaro Nagamatsu, H. Sugimura, T. Nagai, T. Sumii, S. Mori, A. Bandoh, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : High temperature MOVPE growth of AlN and AlxGa1-xN, 4th International Workshop of Nitride Semiconductors, (巻), (号), (頁), Kyoto, Oct. 2006..[著者] ...
閲覧 H. Amano, N. Kato, N. Okada, T. Kawashima, K. Iida, Kentaro Nagamatsu, M. Imura, K. Balakrishnan, Iwaya M, Kamiyama S, I. Akasaki and A. Bandoh : Nitride-Based UV Lasers, LEOS 2007 - IEEE Lasers and Electro-Optics Society Annual Meeting Conference Proceedings, (巻), (号), 380-381, (都市), (month)2007..[著者] ...
閲覧 H. Amano, H. Tsuzuki, T. Mori, K. Takeda, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki : Growth of low-dislocation-density AlGaN for the realization of high-performance ultraviolet laser diodes, The 3rd International Conference on Display and Solid-State Lighting, (巻), (号), (頁), (都市), (month)2007..[著者] ...
閲覧 K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, Kentaro Nagamatsu, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Comparison of the simulation and experiments of the nitride-based UV-light-emitting diodes, SPIE Photonic West, (巻), (号), (頁), San Jose, Jan. 2007..[著者] ...
閲覧 K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, T. Sumii, Kentaro Nagamatsu, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Comparison of the simulation and experiments of the nitride-based UV light emitting diodes, Proceedings of SPIE, Vol.6468, (号), (頁), (都市), Feb. 2007..[著者] ...
閲覧 飯田 一喜, 渡邉 浩嵩, 竹田 健一郎, 住井 隆文, 永井 哲也, 永松 謙太郎, 岡田 成仁, クリシュナン バラクリシュナン, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇, 坂東 章 : 低転位化によるAlGaN系紫外発光素子の高効率化(III), 第54回応用物理学関係連合講演会, (巻), (号), (頁), 2007年3月..[著者] ...
閲覧 K. Iida, H. Watanabe, K. Takeda, T. Nagai, T. Sumii, Kentaro Nagamatsu, T. Kawashima, K. Balkrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki and A. Bandoh : High-efficiency AlGaN based UV emitters grown on high-crystalline-quality AlGaN using grooved AlN layer on sapphire substrate, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.204, No.6, 2000-2004, 2007..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, N. Okada, T. Shyouzo, F. Mori, K. Sugumura, K. Iida, A. Bando, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Epitaxial lateral overgrowth of low dislocation density AlN by high temperature MOVPE and fabrication of UV optoelectronics devices, The 15th International Conference on Crystal Growth, (巻), (号), (頁), Salt Lake City, Aug. 2007..[著者] ...
閲覧 N. Okada, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. Bando, H. Murotani and Y. Yamada : Stimulated Emission from Nonpolar AlN, the 7th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7), (巻), (号), (頁), Las Vegas, Sep. 2007..[著者] ...
閲覧 K. Iida, F. Mori, H. Watanabe, K. Takeda, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi and A. Bandoh : UV Emitters Grown on High Crystalline Quality AlGaN on Sapphire, The 7th International Conference of Nitride Semiconductors, (巻), (号), (頁), Las Vegas, Sep. 2007..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Narihito Okada, Naofumi Kato, Takafumi Sumii, Akira Bando, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki : Effect of cplane sapphire misorientation on the growth of AlN by hightemperature MOVPE, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors, (巻), (号), (頁), (都市), Oct. 2007..[著者] ...
閲覧 H. Amano, Kentaro Nagamatsu, K. Iida, N. Okada, T. Kawashima, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki : AlGaN-based UV light emitting devices, LEOS Annual 2007; 20th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, (巻), (号), (頁), Florida, Oct. 2007..[著者] ...
閲覧 H. Amano, N. Kato, N. Okada, T. Kawashima, K. Iida, Kentaro Nagamatsu, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki : Nitride-Based UV Lasers, The 20th Annual Meeting of the IEEE Lasers & Electro-Optics Society (LEOS 2007), (巻), (号), (頁), Florida, Oct. 2007..[著者] ...
閲覧 天野 浩, 永松 謙太郎, 飯田 大輔, 竹田 健一郎, 都築 宏俊, 早川 武雅, 岩谷 素顕, 上山 智, 赤﨑 勇 : シミュレータを用いた窒化物半導体光デバイスの動作シミュレーションおよび実際との比較, 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会2008, (巻), (号), (頁), 2008年(0月)..[著者] ...
閲覧 天野 浩, 永松 謙太郎, 飯田 大輔, 竹田 健一郎, 都築 宏俊, 早川 武雅, 岩谷 素顕, 上山 智, 赤﨑 勇 : シミュレータを用いた窒化物半導体光デバイスの動作シミュレーションおよび実際との比較, 日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会2008, (巻), (号), (頁), 2008年(0月)..[著者] ...
閲覧 H. Amano, H. Tsuzuki, K. Takeda, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasak : Short wavelength semiconductor laser diodes, Japan- Brazil Memorial Symposium on Science and Technology for the Celebration of 100 Years of Japanese Immigration in Brazil, (巻), (号), (頁), Brazil, March 2008..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎, 岡田 成仁, 井村 将隆, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : AlGaN中のMgの活性化エネルギー, 第55回応用物理学関係連合講演会, (巻), (号), (頁), 2008年3月..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, N. Okada, Kunihiko Sugimura, Shyouzo Tsuzuki, F. Mori, K. Iida, A. Bando, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : High-efficiency AlGaN-based UV light-emitting diode on laterally overgrown AlN, Journal of Crystal Growth, Vol.310, No.7-9, 2326-2329, 2008..[著者] ...
閲覧 森 俊晶, 浅井 俊晶, 永松 謙太郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析, 電子情報通信学会 名古屋工業大学, (巻), (号), (頁), 2008年5月..[著者] ...
閲覧 森 俊晶, 浅井 俊晶, 永松 謙太郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇 : 溝加工した AlN 上 AlGaN の転位解析, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol.108, No.36, 57-60, 2008年5月..[著者] ...
閲覧 T. Asai, K. Nagata, T. Mori, Kentaro Nagamatsu, N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Relaxation process of AlxGa1-xN grown on high-crystalline-quality AlN, Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2), (巻), (号), (頁), Shizuoka, July 2008..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Narihito Okada, Naofumi Kato, Takafumi Sumii, Akira Bandoh, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki : Effect of c-plane sapphire misorientation on the growth of AIN by high-temperature MOVPE, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 3048-3050, 2008..[著者] ...
閲覧 竹田 健一郎, 森 史明, 小木曽 裕二, 森 俊晶, 浅井 俊晶, 永松 謙太郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : 周期溝下地結晶を用いたAl0.5Ga0.5Nの低転位化, 第69回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 鈴木 将孝, 澤井 駿, 福井 一俊, 永松 謙太郎, 天野 浩 : Mg-doped p-AlGaN混晶の発光スペクトルの温度依存性, 第69回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 福井 一俊, 伊藤 智治, 鈴木 将孝, 岸田 正明, 永松 謙太郎, 天野 浩, 平山 秀樹 : AlN のバンド構造と偏光特性, 第69回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 鈴木 将孝, 澤井 駿, 福井 一俊, 永松 謙太郎, 天野 浩 : Mg-doped p-AlGaN混晶の発光スペクトルの温度依存性, 第69回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 福井 一俊, 伊藤 智治, 鈴木 将孝, 岸田 正明, 永松 謙太郎, 天野 浩, 平山 秀樹 : AlN のバンド構造と偏光特性, 第69回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Activation energy of Mg in AlGaN, International Warkshop on Nitride semiconductor 2008 (IWN2008), (巻), (号), (頁), Montreux, Switzerland, Oct. 2008..[著者] ...
閲覧 H. Amano, Kentaro Nagamatsu, K. Takeda, T. Mori, H. Tsuzuki, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki : Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high-performance ultraviolet laser diodes, Gallium Nitride Materials and Devices IV (SPIE OE106), (巻), (号), (頁), San Jose, Jan. 2009..[著者] ...
閲覧 H. Amano, H. Tsuzuki, T. Mori, K. Takeda, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki : Challenge for short wavelength semiconductor UV laser diodes, SPIE Photonics West, (巻), (号), (頁), San Jose, Jan. 2009..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, K. Takeda, T Mori, H Tsuzuki, M Iwaya, S Kamiyama and I Akasaki : Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high-performance ultraviolet laser diodes, Proceedings of SPIE, Vol.7216, (号), 72161B, (都市), Feb. 2009..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kasai, K. Nagata, T. Mori, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Relaxation and recovery processes of AlxGa1-xN grown on AlN underlying layer, Journal of Crystal Growth, Vol.311, No.10, 2850-2852, 2009..[著者] ...
閲覧 M. Suzuki, S. Sawai, K. Fukui, Kentaro Nagamatsu and H. Amano : Photoluminescence and excitation spectrum of Mg-doped p-type AlxGa1-xN, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.S2, S759-S762, 2009..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Activation energy of Mg in Al0.25Ga0.75N and Al0.5Ga0.5N, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.S2-2, S437-S439, 2009..[著者] ...
閲覧 永田 賢吾, 竹田 健一郎, 永松 謙太郎, 都築 宏俊, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇 : 活性化アニールによるp型Al0.17Ga0.83Nの正孔濃度と接触比抵抗の評価, 第56回応用物理学関係連合講演会, (巻), (号), (頁), 2009年3月..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎, 浅井 俊晶, 竹田 健一郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : AlGaN中のMgの活性化エネルギー(II), 第56回応用物理学関係連合講演会, (巻), (号), (頁), 2009年3月..[著者] ...
閲覧 H. Amano, Kentaro Nagamatsu, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki : Growth and conductivity control of high quality AlGaN and its application to high performance ultraviolet laser diodes, Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC), (巻), (号), (頁), リトアニア共和国, June 2009..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Daisuke Iida, Kenichiro Takeda, Kensuke Nagata, Takahiro Kasai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki : Atomic layer epitaxy of AlGaN, The 36 th International Symposium on Compound Semiconductors, (巻), (号), (頁), (都市), Sep. 2009..[著者] ...
閲覧 永田 賢昌, 飯田 大輔, 永松 謙太郎, 松原 哲也, 竹田 健一郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : 加圧MOVPEによる高速バルブスイッチング技術を用いたAlGaNの高品質化, 第70回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2009年9月..[著者] ...
閲覧 永田 賢昌, 飯田 大輔, 永松 謙太郎, 松原 哲也, 竹田 健一郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : 高圧MOVPE法を用いたGaInN成長, 第70回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2009年9月..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎, 竹田 健一郎, 飯田 大輔, 永田 賢昌, 浅井 俊晶, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : AlGaNの原子層エピタキシャル成長, 第70回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2009年9月..[著者] ...
閲覧 浅井 俊晶, 野中 健太朗, 伴 和仁, 永田 賢昌, 永松 謙太郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : Mg-doped AlN下地層によるAlGaNの低転位化の機構, 第70回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2009年9月..[著者] ...
閲覧 野中 健太朗, 浅井 俊晶, 永松 謙太郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : Mg-doped AlN下地層を用いた低転位AlGaNの微細構造観察, 第70回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2009年9月..[著者] ...
閲覧 永田 賢吾, 竹田 健一郎, 市川 友紀, 永松 謙太郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : 酸素雰囲気中でのp 型AlGaN の活性化による高出力AlGaN/GaN 紫外LED, 第70回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2009年9月..[著者] ...
閲覧 K. Nagata, T. Ichikawa, K. Takeda, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : High Output Power AlGaN/GaN Ultraviolet Light Emitting Diodes by Activation of Mg-Doped P-Type AlGaN in Oxygen Ambient, 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), (巻), (号), (頁), 韓国, Oct. 2009..[著者] ...
閲覧 K. Nagata, K. Takeda, T. Ichikawa, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Activation of Mg-Doped p-type Al0.17Ga0.83N in Oxygen Ambient, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.10R, 101002, 2009..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, D. Iida, K. Takeda, K. Nagata, T. Asai, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : High Pressure MOVPE System with High-Speed Switching Valves for the Realization of High-Quality AlGaN at Low Temperatures, International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), (巻), (号), (頁), 韓国, Oct. 2009..[著者] ...
閲覧 T. Asai, K. Nonaka, K. Ban, K. Nagata, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Growth of Low-Dislocation-Density AlGaN using Mg-Doped AlN Underlying Layer, 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), (巻), (号), (頁), 韓国, Oct. 2009..[著者] ...
閲覧 K. Nonaka, T. Asai, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Defects in Highly Mg-Doped AlN, 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), (巻), (号), (頁), 韓国, Oct. 2009..[著者] ...
閲覧 D. Iida, Kentaro Nagamatsu, K. Nagata, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Growth of GaInN Films by High Pressure MOVPE System at 200kPa, 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8), (巻), (号), (頁), 韓国, Oct. 2009..[著者] ...
閲覧 永田 賢吾, 市川 友紀, 竹田 健一郎, 永松 謙太郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化, 電子情報通信学会徳島大学, (巻), (号), (頁), 2009年11月..[著者] ...
閲覧 永田 賢昌, 飯田 大輔, 永松 謙太郎, 竹田 健一郎, 松原 哲也, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤﨑 勇 : GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析, 電子情報通信学会徳島大学, (巻), (号), (頁), 2009年11月..[著者] ...
閲覧 永田 賢昌, 飯田 大輔, 永松 謙太郎, 竹田 健一郎, 松原 哲也, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇 : GaInN の加圧 MOVPE における熱力学解析, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol.109, No.288, 55-58, 2009年11月..[著者] ...
閲覧 永田 賢吾, 市川 友紀, 竹田 健一郎, 永松 謙太郎, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇 : 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化, 電子情報通信学会技術研究報告, Vol.109, No.289, 75-80, 2009年11月..[著者] ...
閲覧 T. Mori, Kentaro Nagamatsu, Keiichiro Nonaka, K. Takeda, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Crystal growth and p-type conductivity control of AlGaN for high-efficiency nitride-based UV emitters, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.12, 2621-2625, 2009..[著者] ...
閲覧 H. Amano, K. Nagata, D. Iida, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki : New MOVPE system for next generation AlGaInN growth, The 4th International Conference on LED and Solid-State Lighting (LED 2010), (巻), (号), (頁), Korea, (month)2010..[著者] ...
閲覧 H. Amano, K. Nagata, Kentaro Nagamatsu, D. Iida, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki : Increased pressure digital metalorganic vapor phase epitaxy system with high-speed switching valves for growing high-In-content GaInN, Proceedings of SPIE, Vol.7617, (号), (頁), (都市), Feb. 2010..[著者] ...
閲覧 H. Amano, K. Nagata, D. Iida, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama and I. Akasaki : Atomic layer epitaxy of GaInN and AlGaN by high pressure MOVPE, APS March Meeting 2010, (巻), (号), (頁), Portland, March 2010..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎 : 3族窒化物半導体紫外発光素子の高効率化のための要素技術に関する研究, CiNii 国立情報学研究所 学術情報ナビゲータ, (巻), (号), (頁), 2010年3月..[著者] ...
閲覧 K. Nagata, T. Ichikawa, K. Takeda, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : High-output-power AlGaN/GaN ultraviolet-light-emitting diodes by activation of Mg-doped p-type AlGaN in oxygen ambient, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.207, No.6, 1393-1396, 2010..[著者] ...
閲覧 Keiichiro Nonaka, Takahiro Kasai, Kentaro Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki : Defects in highly Mg-doped AlN, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.207, No.6, 1299-1301, 2010..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Daisuke Iida, Kenichiro Takeda, Kensuke Nagata, Takahiro Kasai, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki : Atomic layer epitaxy of AlGaN, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.7, No.10, 2368-2370, 2010..[著者] ...
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閲覧 宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩 : GaN自立基板上PNダイオードの逆方向リークと転位の関係, 第64回応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2017年3月..[著者] ...
閲覧 曾根 和詩, 松下 淳矢, 安藤 悠人, 永松 謙太郎, 田中 敦之, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩 : O2プラズマ処理 および O3酸化 処理 を行った Al 2O3/GaN /GaN 構造の界面準位密度評価, 第64回応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2017年3月..[著者] ...
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閲覧 白石 賢二, 関口 一樹, 長川 健太, 白川 裕規, 川上 賢人, 山本 芳裕, 洗平 昌晃, 永松 謙太郎, 新田 州吾, 岡本 直也, 芳松 克則, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 天野 浩 : エピタキシャル成長のマルチフィジックスシミュレーションの現状, --- シンポジウム インフォマティクスがもたらす結晶成長プロセスの革新 ---, 第64回応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2017年3月..[著者] ...
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閲覧 出来 真斗, 曾根 和詩, 永松 謙太郎, 田中 敦之, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩 : GaN表面への酸化プロセスがALD-Al2O3/GaN界面の電 気特性に与える影響, 第65回応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2018年3月..[著者] ...
閲覧 大河内 勇斗, 関口 一樹, 長川 健太, 洗平 昌晃, 永松 謙太郎, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩, 白石 賢二 : h-BN MOVPE中における気相反応プロセスの理論的検討, 第65回応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2018年3月..[著者] ...
閲覧 叶 正, 新田 州吾, 永松 謙太郎, 本田 善央, 天野 浩 : 高分解能質量分析によるⅢ族窒化物半導体気相成長のためのアンモニア分解及び反応の解析, 第65回応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2018年3月..[著者] ...
閲覧 田中 大暉, 永松 謙太郎, 山田 永, 山田 寿一, 熊谷 義直, 新田 州吾, 本田 善央, 清水 三聡, 天野 浩 : HVPE法によるAlGaNの薄膜成長, 第65回応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2018年3月..[著者] ...
閲覧 田中 敦之, 宇佐美 茂佳, 安藤 悠人, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩 : ∼格子欠陥はどこまで制御できるのか:先端評価と機能探索∼, --- シンポジウム(口頭講演)窒化物半導体特異構造の科学 ---, 第65回応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2018年3月..[著者] ...
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閲覧 S. Nitta, Kentaro Nagamatsu, Z. Ye, H. Nagao, S. Miki, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, Y. Honda, M. Pristovsek and H. Amano : Direct observation of ammonia decomposition and interaction with trimethylgallium in ametalorganic vapor phase epitaxy reactor, 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), (巻), (号), (頁), Nara, June 2018..[著者] ...
閲覧 Z. Ye, S. Nitta, Kentaro Nagamatsu, N. Fujimoto, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, Y. Honda, M. Pristovsek and H. Amano : Ammonia Decomposition and Reaction by High-Resolution Mass Spectrometry forGroup III-Nitrides Epitaxial Growth, 19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), (巻), (号), (頁), Nara, June 2018..[著者] ...
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閲覧 上杉 謙次郎, 正直 花奈子, 林 侑介, 肖 世玉, 永松 謙太郎, 吉田 治正, 三宅 秀人 : 6H-SiC基板上におけるAlN周期構造の作製と評価, 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会2018年講演会第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, (巻), (号), (頁), 2018年7月..[著者] ...
閲覧 安藤 悠人, 永松 謙太郎, 田中 敦之, 宇佐美 茂佳, 出来 真斗, 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩 : m 面 GaN 基板上 SBD における障壁高さの金属仕事関数依存性, 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会2018年講演会第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, (巻), (号), (頁), 2018年7月..[著者] ...
閲覧 田中 敦之, 永松 謙太郎, 久志本 真希, 出来 真斗, 新田 州吾, 本田 善央, 天野 浩 : 多光子 PL 顕微鏡による窒化ガリウム中転位の三次元観察, 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会2018年講演会第10回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, (巻), (号), (頁), 2018年7月..[著者] ...
閲覧 K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, Kentaro Nagamatsu, H. Yoshida and H. Miyake : Crystal quality improvement of sputter-deposited AlN films on SiC substrates by high temperature annealing, International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7), (巻), (号), (頁), Warsaw, Aug. 2018..[著者] ...
閲覧 M. Deki, Kentaro Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano : Improvement of Electrical Stability in ALD-Al2O3/GaN Interface using UV/Ozone Oxidation and Post Deposition Annealing, International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7), (巻), (号), (頁), Warsaw, Aug. 2018..[著者] ...
閲覧 A. Tanaka, Kentaro Nagamatsu, S. Usami, M. Kushimoto, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano : Observation of Dislocation Propagation in GaN on GaN Structure With a Multiphoton Excitation Photoluminescence Microscope(invited), International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7), (巻), (号), (頁), Warsaw, Aug. 2018..[著者] ...
閲覧 M. Deki, K. Sone, K. Watanabe, F. Miura, Kentaro Nagamatsu, A. Tanaka, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano : Improvement of Electrical Stability of ALD-Al2O3/GaN Interfaceby UV/O3 Oxidation and Postdeposition Annealing, International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7), (巻), (号), (頁), Warsaw, Aug. 2018..[著者] ...
閲覧 Y. Ando, Kentaro Nagamatsu, A. Tanaka, M. Deki, O.1. Barry, S. Usami, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda and H. Amano : Schottky Barrier Diodes Fabricated on Miscut m-planeSubstrates, International Symposium on Growth of -Nitrides (ISGN-7), (巻), (号), (頁), Warsaw, Aug. 2018..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Y. Ando, Z. Ye, O. Barry, A. Tanaka, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek and H. Amano : Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.10, 105501, 2018..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎, 上杉 謙次郎, 正直 花奈子, 吉田 治正, 三宅 秀人 : スパッタ法AlN膜の高温アニールとその基板上への AlGaN深紫外LED作製, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2018年9月..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎, 上杉 謙次郎, 三宅 秀人, 吉田 治正 : 歪緩和による深紫外LEDの発光効率改善, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2018年9月..[著者] ...
閲覧 上杉 謙次郎, 林 侑介, 正直 花奈子, 永松 謙太郎, 吉田 治正, 三宅 秀人 : 高温アニールしたAlNのクラック抑制と高品質化, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2018年9月..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki, Liu Xiaotong, Shiyu Xiao, Yusuke Hayashi, Harumasa Yoshida and Hideto Miyake : Effect of stress-relaxation layer in UVC-LEDs on sputter-deposited high-temperature annealedAlN/sapphire, 国際照明学会 第十五届中国国际半导体照明论坛, (巻), (号), (頁), 中国深セン, Oct. 2018..[著者] ...
閲覧 K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, Kentaro Nagamatsu, H. Yoshida and H. Miyake : Crystalline quality improvement and suppression of cracking for sputter-deposited high-temperature annealed AlN films by stress control, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), (巻), (号), (頁), Kanazawa, Nov. 2018..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Uesugi K, K. Shojiki, H. Yoshida and H. Miyake : Improved emission intensity of UVC-LEDs using strain-relaxation layer, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), (巻), (号), (頁), Kanazawa, Nov. 2018..[著者] ...
閲覧 L. Yates, S. Usami, Kentaro Nagamatsu, G. Pavlidis, Y. Honda, H. Amano and S. Graham : Electrical and Thermal Analysis of Vertical GaN-on-GaN PN Diodes, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018), (巻), (号), (頁), Kanazawa, Nov. 2018..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Xiaotong Liu, Kenjiro Uesugi and Hideto Miyake : Improved emission intensity of UVC-LEDs from using strain relaxation layer on sputter-annealed AlN, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.58, No.SC, SCCC07, 2019..[著者] ...
閲覧 上杉 謙次郎, 林 侑介, 正直 花奈子, 永松 謙太郎, 三宅 秀人 : 講演奨励賞受賞記念講演 深紫外発光素子応用に向けたスパッタ成膜AlNテンプレートの転位密度低減, 第66回応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), (頁), 2019年3月..[著者] ...
閲覧 K. Uesugi, Y. Hayashi, K. Shojiki, S. Xiao, Kentaro Nagamatsu, H. Yoshida and H. Miyake : Fabrication of AlN templates on SiC substrates by sputtering-deposition and high-temperature annealing, Journal of Crystal Growth, Vol.510, (号), 13-17, 2019..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Y. Ando, T. Kono, H. Cheong, S. Nitta, Y. Honda, M. Pristovsek and H. Amano : Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE, Journal of Crystal Growth, Vol.512, (号), 78-83, 2019..[著者] ...
閲覧 Z. Ye, S. Nitta, Kentaro Nagamatsu, N. Fujimoto, M. Kushimoto, M. Deki, A. Tanaka, Y. Honda, M. Pristovsek and H. Amano : Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III Nitride epitaxial growth, Journal of Crystal Growth, Vol.516, (号), 63-66, 2019..[著者] ...
閲覧 Tanaka Atsushi, Kentaro Nagamatsu, Usami Shigeyoshi, Kushimoto Maki, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Bockowski Michal and Amano Hiroshi : V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate, AIP Advances, Vol.9, No.9, (頁), 2019..[著者] ...
閲覧 津田 翔太, 直井 美貴, 髙島 祐介, 永松 謙太郎 : 次世代殺菌浄水システム, 徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019, P-18, 2019年10月..[著者] ...
閲覧 青野 零弥, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 次世代癌治療用深紫外スポットLEDの開発, 徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019, P-19, 2019年10月..[著者] ...
閲覧 村上 堅也, 直井 美貴, 髙島 祐介, 永松 謙太郎 : 深紫外LEDの発光層温度予測と寿命の関係, 徳島大学ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019, P-20, 2019年10月..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎, 平山 秀樹 : AlGaN深紫外LEDの課題と最近の進展, ポストLEDフォトニクス研究所公開シンポジウム2019, 2019年10月..[著者] ...
閲覧 Eiji Hase, Takeshi Yasui, Hirayama Hideki and Kentaro Nagamatsu : The improving resolution for dislocation analysis in GaN by three-photon microscopy, Photonics West 2020: OPTO2020, San Francisco, Feb. 2020..[著者] ...
閲覧 青野 零弥, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 深紫外LEDの大気中における光減衰に関する研究, LED総合フォーラム2020in徳島, P-16, 2020年2月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 鈴木 昭浩, 大塚 邦紘, 髙成 広起, 永松 謙太郎, 白井 昭博 : 次世代光による細胞光応答の解明, LED総合フォーラム 2020 in 徳島 論文集, Vol.P-17, 105-106, 2020年..[著者] ...
閲覧 青野 零弥, 髙島 祐介, 直井 美貴, 安井 武史, 永松 謙太郎 : 紫外光LEDの大気中における光減衰に関する研究, 第67回応用物理学会春季学術講演会予稿集, 12p-B409-8, 2020年3月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 Yuto Ando, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Tohru Nakamura and Hiroshi Amano : Low interface state densities at Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal polar and non-polar surfaces, Applied Physics Letters, Vol.117, No.102102, (頁), 2020..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎, 平山 秀樹 : 深紫外LEDの需要と要素技術, 月刊 オプトロニクス, Vol.9, No.465, 88-91, 2020年9月..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎, 安井 武史 : 期待される殺菌用・深紫外LED, 特別WEBコラム 新型コロナウィルス禍に学ぶ応用物理, 2020年10月..[著者] ...
閲覧 髙島 祐介, 永松 謙太郎, 原口 雅宣, 直井 美貴 : 構造高さを変調したTiO2メタ表面による集光紫外発光ダイオードの提案, 日本光学会年次学術講演会Optics & Photonics Japan 2020, 17pC4, 2020年11月..[著者] ...
閲覧 Yuto Ando, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Tohru Nakamura and Hiroshi Amano : Electrical properties of GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal Ga-polar and nonpolar surfaces, Applied Physics Letters, Vol.117, No.242104, (頁), 2020..[著者] ...
閲覧 杉本 健太, 髙島 祐介, 永松 謙太郎, 原口 雅宣, 直井 美貴 : サブ波長周期電極を有する紫外発光ダイオード偏光特性に対する電極材料の影響, LED総合フォーラム2021in徳島, P-10, 2021年2月..[著者] ...
閲覧 揚田 侑哉, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : AlN高温成長での面内膜厚分布の改善, LED総合フォーラム2021in徳島, P-17, 2021年2月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 Takeo Minamikawa, Takaaki Koma, Akihiro Suzuki, Takahiko Mizuno, Kentaro Nagamatsu, Hideki Arimochi, Koichiro Tsuchiya, Kaoru Matsuoka, Takeshi Yasui, Koji Yasutomo and Masako Nomaguchi : Quantitative evaluation of SARS-CoV-2 inactivation using a deep ultraviolet light-emitting diode., Scientific Reports, Vol.11, 5070, 2021..[著者] ...
閲覧 Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi : High refractive index contrast meta-structures for GaN-based and sensing applications operating at deep ultraviolet to visible wavelength, 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, 08pD07O, Online, March 2021..[著者] ...
閲覧 髙島 祐介, 永松 謙太郎, 原口 雅宣, 直井 美貴 : TiO2メタ周期構造を表面に有するAlGaN系深紫外発光ダイオードのコリメート特性, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 19a-Z08-7, 2021年3月..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎, 津田 翔太, 青野 零弥, 宮川 拓己, 揚田 侑哉, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴 : 高温有機金属気相成長装法におけるAlN成長の気相反応抑制, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z27-14, 2021年3月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 津田 翔太, 青野 零弥, 揚田 侑哉, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : AlNテンプレート上高温AlN結晶成長, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z27-3, 2021年3月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 宮川 拓己, 津田 翔太, 青野 零弥, 揚田 侑哉, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : AlNの高流速成長における成長メカニズム, 第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z27-13, 2021年3月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 南川 丈夫, 駒 貴明, 鈴木 昭浩, 永松 謙太郎, 安井 武史, 安友 康二, 野間口 雅子 : 深紫外LEDを用いた新型コロナウイルスの不活化, O plus E, Vol.43, No.2, 137-142, 2021年3月..[著者] ...
閲覧 Yuusuke Takashima, Sasada Atsuki, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi : Design of AlN-subwavelength grating for deep ultraviolet wavelength reflector operating at 244 nm of wavelength, The 8th Optical Manipulation and Structured Materials Conference, OMC-P-02, Online, April 2021..[著者] ...
閲覧 南川 丈夫, 駒 貴明, 鈴木 昭浩, 永松 謙太郎, 安井 武史, 安友 康二, 野間口 雅子 : 深紫外LEDによる新型コロナウイルス不活化への試み, 月刊 オプトロニクス, Vol.40, No.6, 132-137, 2021年5月..[著者] ...
閲覧 南川 丈夫, 駒 貴明, 鈴木 昭浩, 永松 謙太郎, 安井 武史, 安友 康二, 野間口 雅子 : Withコロナ時代に向けた深紫外LEDの活用法, --- ∼深紫外LEDによるウイルス不活化の試み∼ ---, クリーンテクノロジー, Vol.31, No.6, 1-5, 2021年6月..[著者] ...
閲覧 南川 丈夫, 駒 貴明, 鈴木 昭浩, 永松 謙太郎, 安井 武史, 安友 康二, 野間口 雅子 : 深紫外LEDを用いた新型コロナウイルスの不活化, 電気学会 光・量子デバイス研究会「パワー光源システム技術研究会」, 2021年7月..[著者] ...
閲覧 津田 翔太, 宮川 拓己, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 極性制御による高品質AlN成長手法の確立, 2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会, 1-12, 2021年8月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 富田 敦之, 津田 翔太, 青野 零弥, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 気相反応を抑制した高温MOVPEにおけるV/Ⅲ比依存性, 2021年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会, 1-11, 2021年8月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 Takeo Minamikawa, Takaaki Koma, Suzuki Akihiro, Kentaro Nagamatsu, Takeshi Yasui, Koji Yasutomo and Masako Nomaguchi : Inactivation of SARS-CoV-2 by deep ultraviolet light emitting diode: A review, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.60, No.9, 090501, Aug. 2021..[著者] ...
閲覧 富田 敦之, 津田 翔太, 青野 零弥, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 気相反応を抑制した高温MOVPEにおけるV/III比依存性, 応用物理学会中四国支部若手研究会, (巻), (号), (頁), 2021年8月..[著者] ...
閲覧 津田 翔太, 宮川 拓己, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 極性制御による高品質AlN成長手法の確立, 応用物理学会中四国支部若手研究会, (巻), (号), (頁), 2021年8月..[著者] ...
閲覧 津田 翔太, 宮川 拓己, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : インバージョンドメインの抑制による高品質AlN成長手法の確立, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 13p-N101-10, 2021年9月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 髙島 祐介, 笹田 侑, 永松 謙太郎, 原口 雅宣, 直井 美貴 : AlNサブ波長回折格子を用いた深紫外ミラーの広帯域化, 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 13a-N324-3, 2021年9月..[著者] ...
閲覧 富田 敦之, 津田 翔太, 宮川 拓己, 髙島 祐介, 直井 美貴, 平山 秀樹, 永松 謙太郎 : 気相反応を抑制したMOVPEにおけるAlNのV/Ⅲ比依存性, 第50回結晶成長国内会議(JCCG-50), 27p-A12, 2021年10月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 Yuusuke Takashima, Atsuki Sasada, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi : Design of AlN-subwavelength grating for deep ultraviolet wavelength reflector operating at 244 nm of wavelength, Proceedings of SPIE, Vol.11926, 1192618-1-1192618-4, 2021..[著者] ...
閲覧 富田 敦之, 津田 翔太, 宮川 拓己, 髙島 祐介, 直井 美貴, 平山 秀樹, 永松 謙太郎 : 気相反応を制御したMOVPEにおけるAlNのV/III比依存性, 第50回日本結晶成長学会, (巻), (号), (頁), 2021年10月..[著者] ...
閲覧 髙島 祐介, 永松 謙太郎, 原口 雅宣, 直井 美貴 : 高屈折率ナノ構造による深紫外∼可視域での発光およびセンシングデバイス, 第173回ラドテック研究会講演会, 2, 2021年11月..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi : The reduction of adduct formation during high-temperature growth in AlN by jet gas stream metalorganic vapor phase epitaxy, Photonics West 2022, 12001-6, San Francisco, Jan. 2022..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu : Threshold temperature in annihilation radius of dislocation for AlN, Photonics West 2022, 12001-66, San Francisco, Jan. 2022..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu : The improvement of crystal orientation in AlN with controlled inversion domain, Photonics West 2022, 12001-67, San Francisco, Jan. 2022..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 Akihiro Suzuki, Akira Emoto, Akihiro Shirai and Kentaro Nagamatsu : Ultraviolet Light-Emitting Diode (UV-LED) Sterilization of Citrus Bacterial Canker Disease Targeted for Effective Decontamination of Citrus Sudachi Fruit, Biocontrol Science, Vol.27, No.1, 1-7, 2022..[著者] ...
閲覧 髙島 祐介, 永松 謙太郎, 原口 雅宣, 直井 美貴 : 高屈折率を有するTiO2極薄膜を用いた深紫外光吸収体, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E303-9, 2022年3月..[著者] ...
閲覧 宮川 拓己, 津田 翔太, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 高温有機金属気相成長法におけるAlNの特異的なステップバンチング, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 25a-E203-2, 2022年3月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 富田 敦之, 津田 翔太, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 低オフ角サファイヤ基板を用いた高温AIN成長におけるV/Ⅲ比依存性, 第69回応用物理学会春季学術講演会, 25a-E203-3, 2022年3月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi : Reduction of parasitic reaction in high temperature AlN growth by jet stream gas flow metal organic vapor phase epitaxy, Scientific Reports, Vol.12, 7662, 2022..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi : Ultraviolet violet applications utilizing high refractive index subwavelength structure with ultra-thin thickness, The 12th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics (META 2022), 1A8, Online, July 2022..[著者] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu : Virus inactivation using ultraviolet LEDs, CLEO-PR 2022, (巻), (号), (頁), Sapporo, Aug. 2022..[著者] ...
閲覧 藤田 将希, 宮川 拓己, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : MOVPE 超高温 成長中断 アニーリングによる A lN 転位低減手法, 応用物理学会中四国支部・若手半導体研究会, (巻), (号), (頁), 2022年8月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 藤井 滉樹, 宮川 拓己, 富田 敦之, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : X線回折を用いたステップバンチングの発生オフ角評価, 応用物理学会中四国支部・若手半導体研究会, (巻), (号), (頁), 2022年8月..[著者]+[指導教員] ...
閲覧 Kentaro Nagamatsu, Takumi Miyagawa, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima and Yoshiki Naoi : The high-temperature growth in AlN with the unaffected parasitic reaction by Jet gas stream MOVPE, International Workshop on Nitride semiconductor 2022, (巻), (号), (頁), Berlin, Oct. 2022..[著者] ...
閲覧 Takumi Miyagawa, Atsushi Tomita, Shota Tsuda, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu : Dependence of c-plane sapphire misorientation angle in high temperature AlN growth and specific step bunching at large angle, International Workshop on Nitride semiconductor 2022, (巻), (号), (頁), Berlin, Oct. 2022..[著者] ...
閲覧 Takumi Miyagawa, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu : Lateral epitaxial overgrowth by mass transport in AlN with the temperature of 1700, International Workshop on Nitride semiconductor 2022, (巻), (号), (頁), Berlin, Oct. 2022..[著者] ...
閲覧 Atsushi Tomita, Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi and Kentaro Nagamatsu : The dependence of the V/III ratio in high-temperature AlN growth with several misorientations off-angle sapphire substrate, International Workshop on Nitride semiconductor 2022, (巻), (号), (頁), Berlin, Oct. 2022..[著者] ...
閲覧 Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi and Yoshiki Naoi : Ultra-thin deep ultraviolet perfect absorber using an Al/TiO2/AlN system, Optics Express, Vol.30, No.24, 44229-44239, 2022..[著者] ...
閲覧 永松 謙太郎 : 有機金属気相成長法による高温AlN成長, 第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, (巻), (号), Fr-I04, 2022年11月..[著者] ...
閲覧 富田 敦之, 宮川 拓己, 平山 秀樹, 髙島 祐介, 直井 美貴, 永松 謙太郎 : 気相反応抑制下におけるAlN高温成長の最適化のためのV/III比依存性, 第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, (巻), (号), Fr-P19, 2022年11月..[著者] ...

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