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閲覧 Xiangmeng Lu, Y. Izumi, M. Koyama, Y. Nakata, S. Adachi and S. Muto : Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, Vol.322, No.1, 6-9, 2011..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Masataka Koyama, Yoshiharu Izumi, Yoshiaki Nakata, Satoru Adachi and Shunichi Muto : Size Distribution and Scaling Behavior of InAlAs/AlGaAs Quantum Dots Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.2R, 025602, 2013..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, M Koyama, Y Izumi, S Adachi, S Muto : Scaling behavior of InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.Fr1-5, 2013年7月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 井須 俊郎 : 量子ドット結合共振器による二波長レーザ∼新しいテラヘルツ光源を目指して, 第2回 和歌山大・徳島大合同光・ナノテクノロジー研究会, (巻), (号), (頁), 2013年8月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, Satoru Adachi, Shunichi Muto : Scaling Behavior of InAlAs/AlGaAs QDs Grown on GaAs by MBE, 第2回 和歌山大・徳島大合同光・ナノテクノロジー研究会, (巻), (号), (頁), 2013年8月..[著者] ...
閲覧 山内 諒, 盧 翔孟, 小山 正孝, 笹倉 弘理, 武藤 俊一 : 2種類の拡散原子を有する量子ドット成長モデルでのスケール関数, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19p-D3-11, 2013年9月..[著者] ...
閲覧 井須 俊郎, 北田 貴弘, 森田 健, 盧 翔孟, 中河 義典 : 半導体多層膜結合共振器構造の非線形光学応答とそのデバイス応用, 第9回量子ナノ材料セミナー, (巻), (号), (頁), 2013年11月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 松原 修三, 中河 義典, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 分子線エピタキシーによる(001)と(113)B GaAs基板上に成長したInAs量子ドットのフォトルミネッセンスに与えるAlAsキャップの影響, 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, No.18a-E15-1, 2014年3月..[著者] ...
閲覧 R Yamauchi, Xiangmeng Lu, M Koyama, H Sasakura, Y Nakata and S Muto : Volume distribution by quantum dot growth model with 2 kinds of diffusion atoms, 8th International Conference on Quantum Dots (QD 2014), No.M141, Pisa, Italy, May 2014..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Enhanced photoluminescence form InAs quantum dots with a thin AlAs cap layer grown on (100) and (311)B GaAs substrate, The 41th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014), No.Tu-B3-4, Montpellier, France, May 2014..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Reduced wetting layer and enhanced photoluminescence of InAs quantum dots with AlAs cap grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy, 第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Th2-14, 2014年7月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 川口 晃弘, 中河 義典, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Effects of AlAs cap and InGaAs Layer on optical property of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs by molecular beam epitaxy, 2014年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, No.Da-1, 2014年7月..[著者] ...
閲覧 原山 千穂, 上原 敏弘, 中河 義典, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製, 2014年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, No.Da-2, 2014年7月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap, The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014), No.TuA2-5, Flagstaff, Arizona, Sep. 2014..[著者] ...
閲覧 Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effect of Cavity-Layer Thicknesses on Two-Color Lasing in a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), No.B-3-3, つくば, Sep. 2014..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 川口 晃弘, 中河 義典, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : AlAsキャップ付InAs量子ドットのフォトルミネツセンスに対するInGaAs層の影響, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A20-16, 2014年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 原山 千穂, 太田 寛人, 前川 知久, 高田 博文, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 : MBE成長とウエハ接合により作製したpn接合を含む量子ドット結合共振器, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-2, 2014年9月..[著者] ...
閲覧 原山 千穂, 上原 敏弘, 中河 義典, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : InAs量子ドットを含むGaAs/AlGaAs結合共振器の電流注入による二波長発光, 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-4, 2014年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 : 二波長面発光レーザーによるテラヘルツ波発生, レーザー学会第472回研究会, (号), 2014年12月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 原山 千穂, 森田 健, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 : テラヘルツLED, LED総合フォーラム2014-2015, (号), (頁), 2015年1月..[著者] ...
閲覧 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 結合共振器構造による二波長面発光とテラヘルツ波発光素子, 電子情報通信学会研究会(レーザ・量子エレクトロニクス研究会LQE), Vol.48, (号), (頁), 2015年1月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 川口 晃弘, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (113)B GaAs基板上に成長した量子ドットのPLの温度依存性, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.11a-A10-9, 2015年3月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 原山 千穂, 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 : ウエハ接合界面での光損失を低減した量子ドット結合共振器の作製, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12a-A10-9, 2015年3月..[著者] ...
閲覧 大柄根 斉宣, 高本 俊昭, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生 (II), 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A14-4, 2015年3月..[著者] ...
閲覧 原山 千穂, 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光レーザ構造の作製, 2015年第62回応用物理学春季学術講演会, No.12p-A17-8, 2015年3月..[著者] ...
閲覧 Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effect of cavity-layer thicknesses on two-color emission in coupled multilayer cavities with InAs quantum dots, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, 04DG10, 2015..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Shuzo Matsubara, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Suppression of photoluminescence from wetting layer of InAs quantum dots grown on (113)B GaAs with AlAs cap, Journal of Crystal Growth, Vol.425, 106-109, 2015..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Akihiro Kawaguchi, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Temperature Dependence Photoluminescence From InAs Quantum Dots With AlAs Cap Grown on (311)B and (100) GaAs Substrate, The 42th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2015), No.Mo3GN1.5, Santa Barbara, CA USA, June 2015..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, Akihiro Kawaguchi, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Temperature dependence photoluminescence of quantum dots grown on (311)B GaAs by molecular beam epitaxy, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th2-5, 2015年7月..[著者] ...
閲覧 Hiroto Ota, Chiho Harayama, Tomohisa Maekawa, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Fabrication of Two-Color Surface Emitting Laser of a Coupled Cavity Structure Formed by Wafer-Bonding, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-12, 2015年7月..[著者] ...
閲覧 Tomohisa Maekawa, Chiho Harayama, Hiroto Ota, 北田 貴弘, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 : Two-color emission from coupled cavity structure including InAs QDs formed by wafer bonding, 第34回電子材料シンポジウム(EMS-34), No.Th4-13, 2015年7月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Akihiro Kawaguchi, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Investigation of Carriers Thermal Transfer in Self-asssembled Quantum Dots Grown on (311)B GaAs by Temperature Dependence Photoluminescence, 17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17), No.Th-PM-13, Sendai, July 2015..[著者] ...
閲覧 Shunicni Muto, Ryo Yamauchi, Osamu Muramatsu, Xiangmeng Lu, Masataka Koyama, Yoshiaki Nakata and Hirotaka Sasakura : 2D Islands by growth model with 2 kinds of diffusive atoms, 17th International Conference on lated Semiconductor Structures(MSS17), No.Th-PM-3, Sendai, July 2015..[著者] ...
閲覧 太田 寛人, 原山 千穂, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : ウエハ接合で形成した量子ドット結合共振器による二波長面発光素子の発光特性, 2015年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部合同学術講演会, No.Ca-2, 2015年8月..[著者] ...
閲覧 熊谷 直人, 村雲 圭佑, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : テラヘルツ波検出に向けた量子ドット層の面内光伝導特性評価, 第3回 光・ナノテクノロジー研究会 和歌山大・徳島大合同, (巻), (号), (頁), 2015年8月..[著者] ...
閲覧 太田 寛人, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : テラヘルツLEDのための二波長面発光レーザの作製, 第3回 光・ナノテクノロジー研究会 和歌山大・徳島大合同, (巻), (号), (頁), 2015年8月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Masanori Ogarane, Toshiaki Takamoto, Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Ken Morita and Toshiro Isu : Enhancement of Terahertz Emission from GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities by InAs Quantum Dots on (113)B-Oriented Substrates, The Second International Symposium on Frontiers in THz Technology (FTT2015), No.Pos1.24, Hamamatsu, Aug. 2015..[著者] ...
閲覧 井須 俊郎, 太田 寛人, 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘 : 半導体多層薄膜結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子, 2015年電子情報通信学会ソサイエティ大会, Vol.CI-1-3, (号), (頁), 2015年9月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (001)と(113)B GaAs 基板上に成長したInAs 量子ドットに対するSb 照射の効果, 2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.14p-2W-7, 2015年9月..[著者] ...
閲覧 熊谷 直人, 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 結合共振器を用いた二波長面発光レーザの発振スペクトル注入電流依存性, 2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.15p-2C-5, 2015年9月..[著者] ...
閲覧 太田 寛人, 前川 知久, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : InGaAs/GaAs 多重量子井戸構造を導入した結合共振器による二波長面発光レーザの発振特性, 2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.16a-2E-7, 2015年9月..[著者] ...
閲覧 村雲 圭佑, 熊谷 直人, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 1.5・m パルス励起によるInAs 量子ドット光伝導アンテナ構造の光電流, 2015年度 第76回応用物理学会秋季学術講演会, No.16p-2J-11, 2015年9月..[著者] ...
閲覧 Hiroto Ota, Chiho Harayama, Tomohisa Maekawa, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication of Two-Color Surface Emitting Device of a Coupled Cavity Structure with InAs QDs Formed by Wafer-Bonding, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), No.A-7-6, Sapporo, Sep. 2015..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 : 半導体多層膜結合共振器を用いた面型発光素子「テラヘルツLED」の開発, 応用物理学会・テラヘルツ電磁技術研究会 第1回研究討論会/テラヘルツテクノロジーフォーラム 第1回テラテク技術セミナー, (号), 2015年10月..[著者] ...
閲覧 井須 俊郎, 北田 貴弘, 熊谷 直人, 盧 翔孟 : 半導体ナノ構造による新規光デバイスの創製, 徳島大学&宇都宮大学光学連携講演会2015, (号), 2015年10月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 : テラヘルツLED, LED総合フォーラム2015, Vol.P-3, (号), (頁), 2015年12月..[著者] ...
閲覧 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 半導体多層膜結合共振器を用いた二波長面発光レーザー, レーザー学会学術講演会第36回年次大会, (号), 2016年1月..[著者] ...
閲覧 Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication of two-color surface emitting device of a coupled cavity structure with InAs QDs formed by wafer-bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.55, No.4S, 04EH09, 2016..[著者] ...
閲覧 熊谷 直人, 村雲 圭佑, 盧 翔孟, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Er ドープInAs 量子ドット層のキャリア緩和時間から評価した光電流周波数特性, 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会, No.20a-H135-8, 2016年3月..[著者] ...
閲覧 太田 寛人, 西村 信耶, 渡邊 健吉, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : ウエハ接合により形成した結合共振器による二波長面発光レーザの特性, 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会, No.20p-S321-3, 2016年3月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 超高速波長変換素子に向けたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器, 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会, No.21p-S621-2, 2016年3月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 太田 寛人, 原山 千穂, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 : 結合共振器から生じる二波長レーザー光の時間的コヒーレンスの評価, 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会, No.21p-S621-6, 2016年3月..[著者] ...
閲覧 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : テラヘルツ帯差周波発生に適した結合共振器による二波長面発光レーザの作製, 電子情報通信学会研究会(レーザ・量子エレクトロニクス研究会LQE), Vol.15, (号), (頁), 2016年5月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for ultrafast wavelength conversion devices, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor(ISCS2016), No.MoP-ISCS-034, Toyama, June 2016..[著者] ...
閲覧 Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Two-Color Lasing from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity by Current Injection, The 43rd International Symposium on Compound Semiconductor(ISCS2016), No.MoP-ISCS-033, Toyama, June 2016..[著者] ...
閲覧 Hiroto Ota, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Two-Color Laser Based on a Wafer-Bonded Coupled Multilayer Cavity for Novel Terahertz LED, 第35回電子材料シンポジウム(EMS-35), No.Th3-3, 2016年7月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for ultrafast wavelength conversion devices, 第35回電子材料シンポジウム(EMS-35), No.we2-16, 2016年7月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effects of Sb-soak on InAs Quantum Dots Grown on (001) and (113)B GaAs Substrates, 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2016), Vol.477, (号), 221-224, Montpelier, France, Sep. 2016..[著者] ...
閲覧 Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Two-Color Surface Emitting Lasers by a GaAs-Based Coupled Multilayer Cavity Structure for Novel Coherent Terahertz Light Sources, 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2016), No.Tu-P-59, Montpelier, France, Sep. 2016..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 : 波長920 nm 近傍のゲート光で動作する光伝導アンテナ素子の作製, 2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No.14p-B2-19, 2016年9月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 太田 寛人, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : MBEによる GaAs/Ge/GaAs(113)Bヘテロ構造における副格子交換, 2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No.15a-P11-13, 2016年9月..[著者] ...
閲覧 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 結合共振器による二波長面発光レーザの温度依存性, 2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No.16p-A35-5, 2016年9月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Hiroto Ota, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs Triple-coupled Cavity with InAs Quantum dots for Ultrafast Wavelength Conversion Devices, 2016 Internatioal Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2016), No.C-4-03, つくば, Sep. 2016..[著者] ...
閲覧 Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Current-Injection Two-Color Lasing in a Wafer-Bonded Coupled Multilayer Cavity with InGaAs Multiple Quantum Wells, 2016 Internatioal Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2016), No.E-6-01, Tsukuba, Sep. 2016..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai and Toshiro Isu : Two-color surface-emitting lasers using a semiconductor coupled multilayer cavity, Applied Physics Express, Vol.9, No.11, 111201, 2016..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 太田 寛人, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : テラヘルツLEDの研究開発の現状, LED総合フォーラム2016, P-33, 2016年12月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 南 康夫, 盧 翔孟 : 半導体多層薄膜を使った結合共振器構造による テラヘルツ発光素子, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会, Vol.116, No.430, EID2016-33, 2017年1月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai and Toshiro Isu : Surface Emitting Devices Based on a Semiconductor Coupled Multilayer Cavity for Novel Terahertz Light Sources, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E100-C, No.2, 171-178, 2017..[著者] ...
閲覧 Yasuo Minami, Hiroto Ota, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Current-injection two-color lasing in a wafer-bonded coupled multilayer cavity with InGaAs multiple quantum wells, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, No.4S, 04CH01, 2017..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Hiroto Ota, Naoto Kumagai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for ultrafast wavelength conversion devices, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, No.4S, 04CH02, 2017..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 太田 寛人, 盧 翔孟, 北田 貴弘 : 結合共振器による2波長面発光レーザーの偏光特性, 2017年度 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-213-16, 2017年3月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : (113)B GaAs基板上の副格子交換によるGaAs/AlAs多層膜結合共振器, 2017年度 第64回応用物理学会春季学術講演会, 17a-B5-4, 2017年3月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : Study of MBE Growth on high-index GaAs substrate for THz devices, 2017 Xiamen University Nanqiang Youth Scholar Forum, (頁), 2017年4月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Yasuo Minami and Takahiro Kitada : Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures grown by MBE, The 44rd International Symposium on Compound Semiconductor(ISCS2017), (巻), No.B8.6, (頁), Berlin, Germany, May 2017..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入による室温ニ波長レーザー発振, 2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ep-6-P80, 2017年7月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InAs量子ドットをもつGaAs結合共振器からの電流注入によるレーザー発振, 2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ep-7-P81, 2017年7月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 熊谷 直人, 南 康夫, 北田 貴弘 : Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures, The 12th National Conference on Molecular Beam Epitaxy, Vol.P125, 2017年8月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 北田 貴弘 : MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 5p-C21-9, 2017年9月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸をもつGaAs結合共振器からの電流注入による2波長レーザー発振, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-A405-11, 2017年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 : 高指数面上の副格子交換エピタキシーと面発光テラヘルツ素子, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-A203-1, 2017年9月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Takahiro Kitada : Sublattice Reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), Vol.57, No.4, G-3-02, Sendai, Sep. 2017..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Ken Morita : Room-Temperature Two-Color Lasing by Current Injection into a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity Fabricated by Wafer Bonding, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), Vol.57, No.4, G-3-07, Sendai, Sep. 2017..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Effects of Sb-soak on InAs quantum dots grown on (001) and (113)B GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.477, 221-224, 2017..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Hiroto Ota, Naoto Kumagai, Yasuo Minami, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Two-color surface-emitting lasers by a GaAs-based coupled multilayer cavity structure for coherent terahertz light sources, Journal of Crystal Growth, Vol.477, 249-252, 2017..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami and Takahiro Kitada : Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs heterostructures grown on (113)B GaAs substrates, Applied Physics Express, Vol.11, No.1, 015501, 2018..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : ウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による室温二波長レーザ発振, 電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会, Vol.117, No.406, OPE2017-118-P9-14, 2018年1月..[著者] ...
閲覧 吉田 啓佑, 宮井 淳平, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : ゲルマニウムを使った高指数面基板上ガリウムヒ素系薄膜の副格子交換エピタキシー成長, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成29年度第1回講演会・見学会 (平成29年度徳島大学日亜寄附講座研究交流会), P1, 2018年1月..[著者] ...
閲覧 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : テラヘルツLEDを実現するガリウムヒ素系結合共振器の室温赤外二波長レーザ発振, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成29年度第1回講演会・見学会 (平成29年度徳島大学日亜寄附講座研究交流会), P2, 2018年1月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs系の多層膜結合共振器を使ったテラヘルツLEDの研究開発, LED総合フォーラム2018 in 徳島, No.P-4, 83-88, 2018年2月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Ken Morita : Room-temperature two-color lasing by current injection into a GaAs/AlGaAs coupled multilayer cavity fabricated by wafer bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.4S, 04FH03, 2018..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Yasuo Minami and Takahiro Kitada : Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures and its application to THz emitting devices based on a coupled multilayer cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.4S, 04FH07, 2018..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入によるニ波長レーザの温度特性, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-C301-11, 2018年3月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸をもつGaAs結合共振器からの電流注入による室温での2波長レーザーの時間特性, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20p-A402-12, 2018年3月..[著者] ...
閲覧 Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Simultaneous Oscillation of Two-Color Laser Lights from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity, The Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2018), JTu2A.20, San Jose, California, USA, May 2018..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Temperature Tuning of Two-Color Lasing Using a Coupled GaAs/AlGaAs Multilayer Cavity by Current Injection, The Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018),, We2A2.4, Massachusetts Institute of Technology Cambridge, MA, USA,, May 2018..[著者] ...
閲覧 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs/AlGaAs結合共振器による二波長面発光レーザの時間分解スペクトル測定, 2018年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, Vol.Fa-5, 98, 2018年8月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Yasuo Minami and Takahiro Kitada : Sublattice Reversal in GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs Heterostructures Grown on (113)A and (113)B GaAs Substrates, 20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(ICMBE 2018), (巻), No.Th-C4-1, Shanghai, China, Sep. 2018..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 : 半導体多層膜結合共振器による赤外二波長レーザー発振, 2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会, No.C-4-19, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による二波長発振の動的振る舞いの温度依存性, 2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 18a-232-6, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : MBEによる(113)A GaAs基板上におけるAlAs/Ge/AlAsヘテロ構造の副格子交換, 2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 18p-234B-14, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Time Resolved Measurement of Two-Color Laser Lights Emitted from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity, 23rd Microoptics Conference (MOC 2018), No.H-4, Taipei, Taiwan,, Oct. 2018..[著者] ...
閲覧 森田 健, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 半導体結合共振器を利用したテラヘルツ波発生, テラヘルツ科学の最先端V, (巻), (号), Inv5, 2018年12月..[著者] ...
閲覧 阿部 広睦, 張 弘翼, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : DBR膜上の低温成長InGaAs量子井戸によるテラヘルツ光伝導スイッチの研究, 平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, P15, 2019年2月..[著者] ...
閲覧 髙橋 美沙, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : 量子ドットを活性層とする結合共振器の光励起レーザ発振, 平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, P16, 2019年2月..[著者] ...
閲覧 合田 剛史, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : 2つの(113)Bエピウェハの直接接合で作製した半導体結合共振器の電流注入レーザー発振, 平成30年度第5回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会, (巻), (号), P17, 2019年2月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs系の多層膜結合共振器を使ったテラヘルツLEDの作製を目指した基礎的研究, LED総合フォーラム2019 in 徳島, (巻), No.P-16, 89-92, 2019年2月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 小楠 洸太朗, 髙橋 美沙, 合田 剛史, 熊谷 直人, 森田 健, 南 康夫, 北田 貴弘 : (113)B GaAsウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入によるレーザ発振, 2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 10p-PB4-7, 2019年3月..[著者] ...
閲覧 熊谷 直人, 盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘 : 高速キャリア緩和InAs 量子ドット積層構造の面内光電流スペクトルの温度依存性, 2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 11p-PA4-5, 2019年3月..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Yasuo Minami and Takahiro Kitada : Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs and AlAs/Ge/AlAs heterostructures grown on (113)A and (113)B GaAs substrates, Journal of Crystal Growth, Vol.512, (号), 74-77, 2019..[著者] ...
閲覧 Yasuo Minami, Kotaro Ogusu, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Time-resolved measurements of two-color laser light emitted from GaAs/AlGaAs-coupled multilayer cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.58, No.SJ, SJJC03, 2019..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健 : 半導体結合共振器による面発光テラヘルツ素子, 光学, Vol.48, No.7, 274-280, 2019年7月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 : 高指数面上の副格子交換エピタキシーと面型非線形光デバイス, 材料, Vol.68, No.10, 739-744, 2019年10月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 阿部 広睦, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 北田 貴弘 : 高速キャリア緩和InAs量子ドット積層構造を用いた光伝導アンテナのテラヘルツ波発生特性, 2020年 第67回 応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), 12p-PA1-3, 2020年3月..[著者] ...
閲覧 Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Takahiro Kitada and Isu Toshiro : Mobility and activation energy of lateral photocurrent of InAs quantum dot layers with ultrafast carrier relaxation, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.126, 114478, 2020..[著者] ...

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