『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
〔閲覧〕【著作】
--- テーブル「著作」（著作（著書，論文，レター，国際会議など））は研究業績にかかる著作（著書，論文，レター，国際会議など）を登録するテーブルです．
登録情報
抽出条件
| PERM= |  大阪府立大学
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登録情報の数
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全ての有効な情報 (26件)
条件追加
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抽出結果のリスト
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排列順: 項目表示: 桃谷 好英, 中江 良子 : ジベレリンとアプサイジン酸で誘導されたα-アミラーゼアイソザイムのゲルエレクトロプォーカシングによる検出., 植物の化学調節, Vol.6, No.1, 103-106, 1971年..[組織] ... Haruko Fujimori, Keitaro Hiromi, Shunsaku Koyama, Yoshihide Momotani and Yoshiko Nakae : The characteristic action patterns of crystalline bacterial saccharifying α-amylase independent of its microheterogeneity., The Journal of Biochemistry, Vol.74, No.6, 1267-1270, 1973..[組織] ... 鎌田 磨人, 山中 英生, 上月 康則, 澤田 俊明, 福田 珠巳 : 棚田保全をめざした研究のフレームワーク, 国際景観生態学会日本支部会報, Vol.3, (号), 1-3, 1997年..[組織] ... Naohisa Inoue, K Tanahashi and Atsushi Mori : Point defect behavior in growing silicon crystal, Proceedings of Kazuza Akademia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, 31-42, Chiba, Nov. 1999..[組織] ... Naohisa Inoue, K Tanahashi and Atsushi Mori : Point defect behavior in growing silicon crystal, Proceedings of the Kazuza Akadamia Park Forum on Science and Technology Silicon Materials '99, 31-39, 1999..[組織] ... 井上 直久, 棚橋 克人, 森 篤史 : CZ-Si結晶成長における点欠陥の挙動, --- 応力·不純物の効果, 表面と界面, 温度勾配 ---, 日本結晶成長学会誌, Vol.26, No.5, 242-249, 1999年12月..[組織] ... Yoichiro Yamanaka, Katsuto Tanahashi, Takeshi Mikayama, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : Nucleation of void defects in CZ silicon, Proceedings of Electrochemical Society 2000 Fall Meeting "High Purity Silicon VI", (巻), No.677, 77-85, 2000..[組織] ... 東野 徒士之, 棚橋 克人, 井上 直久, 森 篤史 : シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス, 真空, Vol.43, No.5, 603-606, 2000年..[組織] ... Arata Natsume, Naohisa Inoue, Katuto Tanahashi and Atsushi Mori : Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon, Twelfth American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-12), Vail, Colorado, USA, Aug. 2000..[組織] ... 北野 倫生, 倉田 健悟, 上月 康則, 大塚 耕司, 村上 仁士 : 閉鎖性水域におけるマナマコ (Stichopus japonicus) の底質改善効果, 土木学会 第55回 年次学術講演会, (巻), (号), (頁), 2000年9月..[組織] ... Yoichiro Yamanaka, Katsuto Tanahashi, Takeshi Mikayama, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : Nucleation of void defects in CZ silicon, Electrochemical Society 2000 Fall Meeting, Phoenix, Oct. 2000..[組織] ... Kengo Kurata, Yasunori Kozuki, Michio Kitano, Kouji Otsuka and Hitoshi Murakami : Influence of sea cucumber on sediment improvement in a closed aquatic environment, 4th International Symposium on Sediment Quality Assessment (SQA 2000), (巻), (号), 77-79, Otsu, Oct. 2000..[組織] ... 大塚 耕司, 上月 康則, 重松 孝昌 : 沿岸生態系モデルの類型化および特徴抽出, 海と空, Vol.77, No.2, 47-52, 2001年1月..[組織] ... Arata Natsume, Naohisa Inoue, Katuto Tanahashi and Atsushi Mori : Dependence of temperature gradient on growth rate in CZ silicon, Journal of Crystal Growth, Vol.225, No.2-4, 221-224, 2001..[組織] ... Yasunori Kozuki, Kengo Kurata, Hitoshi Murakami, Motomi Hirata, Kiyotomi Tada, Kouji Otsuka, Takashi Nakanishi and Takaaki Shigematsu : Development of Techniques to Evaluate the Environment of Osaka Bay using GIS, Proceedings of International Computer in Urban Planning and Urban Management, Vol.A136, (号), (頁), 2001..[組織] ... Naohisa Inoue, Takeshi Mikayama, Yoichiro Yamanaka, Hideaki Harada and Atsushi Mori : Distribution Coefficient of Nitrogen in Silicon, Abstract of The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 103, Kyoto, July 2001..[組織] ... Futoshi Shirazawa, Atsushi Mori and Naohisa Inoue : Molecular Dynamics Simulation of Crystal/Melt Interface in Temperature Gradient, Abstract of The Thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 500, Kyoto, Aug. 2001..[組織] ... 白澤 太志, 森 篤史, 井上 直久 : 融液成長における成長速度と温度勾配の関係: 分子動力学シミュレーション, 日本物理学会講演概要集, Vol.56, No.2, 747, 2001年9月..[組織] ... 山中 陽一郎, 棚橋 克人, 三箇山 毅, 井上 直久, 森 篤史 : Czochralskiシリコン結晶中の空洞核形成機構の考察, 真空, Vol.45, No.1, 32-35, 2002年..[組織] ... Naohisa Inoue, Atsushi Mori, Satoshi Uda, Takeshi Mikayama and Hidaeki Harada : Distribution coefficient at solid/liquid interface in melt growth of Si, Proceedings of the Sixth Symposium on Atomic-scale Surface and Interface Dynamics, 17-20, March 2002..[組織] ... 森 篤史, 白澤 太志, 井上 直久 : 固液界面の非平衡分子動力学シミュレーション, 日本結晶成長学会誌, Vol.29, No.1, 69-73, 2002年4月..[組織] ... Atsushi Mori, Futoshi Sirazwa and Naohisa Inoue : Non-Eeuilibrrium Molercular Dynamics Ssimulation of Crystal-Melt Interfaces, Second International Workshop "Nucleation and Non-linear Problems in First-order Phase transitions", 43, St. Pertersburg, Russia, July 2002..[組織] ... Naotaka Yoshimura, Yasunori Kozuki, Hitoshi Murakami, Kengo Kurata, Koji Otsuka and Naoki Nakatani : Environmental Evaluation of An Artificial Lagoon by The Sessile Organisms Community, Recent Advances in Marine Science and Technology 2002, (巻), (号), 437-446, 2003..[組織]+[組織] ... 石垣 衛, 上月 康則, 大谷 壮介, 西川 直仁, 穴倉 知広, 村上 仁士 : 大阪湾奥の閉鎖性水域に造成した捨石堤で囲われた干潟の効果と課題, 海岸工学論文集, Vol.50, No.0, 1236-1240, 2003年..[組織] ... Atsushi Mori, Futoshi Sirazwa and Naohisa Inoue : Non-equilibrium molecular dynamics simulation of a crystal-melt interface, Russian Journal of Physical Chemistry A, Vol.78, No.Supplemet 1, S176-S181, 2004..[組織] ... 三輪 昌史, 川口 博史, 堂岡 和親, 米山 聡, 土谷 茂樹, 越本 泰弘 : マイクロ光造形法で作製した構造物の機械的特性評価, 電気学会論文誌E (センサ・マイクロマシン部門誌), Vol.127, No.2, 102-108, 2007年..[組織] ...
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