『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:
  (見出し語句検索:)

登録情報

抽出条件

PERM=閲覧 大野 泰夫

登録情報の数

有効な情報: 232件 + 無効な情報: 3件 = 全ての情報: 235件

全ての有効な情報 (232件)
  (見出し語句検索:)

条件追加

[種別](著作の種別)による分類 :
[言語](著作の言語)による分類 :
[カテゴリ](著作のカテゴリ)による分類 :
[共著種別](共著の種別)による分類 :
[学究種別](著作の学究種別)による分類 :
[組織](著作の帰属する組織)による分類 :
閲覧 閲覧 徳島大学 …(72)
閲覧 閲覧 応用物理学会 …(10)
閲覧 閲覧 電子情報通信学会 …(4)
閲覧 閲覧 徳島大学 …(72)
閲覧 (未定義) …(66)
[年月日](発行年月日)による分類
○ 年による分類 :
○ 年度による分類 :

抽出結果のリスト

排列順: 項目表示:
閲覧 Masanobu Nogome, Kazuaki Kunihiro and Yasuo Ohno : Numerical Simulation of Drain Lag in HJFETs on Hole-Trap Substrates, Solid-State Electronics, Vol.41, No.3, 423-428, 1997..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno, S Ohkubo and K Kasahara : Layer Selective Anisotropic Wet Etching with a Cooled Citric Acid/H2O2 Solution for High Performance GaAs HJFETs, Proceedings of 23rd International Symposium on Compound Semiconductors, 507-510, (都市), Sep. 1997..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno and Y Takahashi : Two-Dimensional Device Simulator for Cyclic Bias Application, 1997 Proceedings of International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD), 315-318, (都市), Nov. 1997..[著者] ...
閲覧 Y Takahashi, K Kunihiro, K Kasahara, S Ohkubo and Yasuo Ohno : Suppression of GDS Frequency Dispersions in Heterojunction FETs with a Partially Depleted P-Type Buffer Layer, Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM'98), 8-9, (都市), Aug. 1998..[著者] ...
閲覧 Masanobu Nogome, Yasuo Ohno and Kazuaki Kunihiro : Rate-Limiting Process in Drain Lag of HJFETs on Semi-Insulating Substrates, Solid-State Electronics, Vol.42, No.1, 73-77, 1998..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫, : 電子情報通信ハンドブック/集積回路/高速化技術, 株式会社 オーム社, 東京, 1998年11月..[著者] ...
閲覧 Naoki Furuhata, Masahiro Fujii, Shuji Asai, Tadashi Maeda and Yasuo Ohno : Performance of a p-Channel Heterojunction FET with P+-GaAs Selectively Grown Contact Layers for GaAs Complementary ICs, Solid-State Electronics, Vol.42, No.6, 1049-1055, 1998..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno, Y Takahashi and K Kunihiro : Improvement of Off-State Breakdown Voltage in Power GaAs MESFETs Based on an Accurate Simulation Scheme, 1998 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) Technical Digest, 71-74, (都市), Dec. 1998..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno, Pascale Francis, Masanobu Nogome and Yuji Takahashi : Surface-States Effects on GaAs FET Electrical Performance, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.46, No.1, 214-219, 1999..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno, Satoru Ohkubo, Kensuke Kasahara, Kazuaki Kunihiro and Yuji Takahashi : Suppression of GDS Frequency Dispersions in Heterojunction FETs with a Partially Depleted P-Type Buffer Layer, Solid-State Electronics, Vol.43, No.8, 1339-1345, 1999..[著者] ...
閲覧 K Kunihiro, Yasuo Ohno, K Kasahara and Y Takahashi : Experimental Evaluation of Impact Ionization Coefficients in GaN, IEEE Electron Device Letters, Vol.20, No.12, 608-610, 1999..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno, Yuji Takahashi and Kazuaki Kunihiro : Two-Dimensional Cyclic Bias Device Simulator and Its Application to GaAs HJFET Pulse Pattern Effect Analysis, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E82-C, No.6, 917-923, 1999..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno, Kazuaki Kunihiro, Yuji Takahashi and Kensuke Kasahara : Microwave Performance of 0.3-μm Gate-Length Multi-Finger AlGaN/GaN HJFETs with Minimized Current Collapse, The Japan Society of Applied Physics, Vol.39, No.4B, 2431-2434, 2000..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫 : 高度情報通信社会とGaN系高周波デバイス, 応用物理学会誌, Vol.69, No.7, 815-819, 2000年7月..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno : Power Performance of AlGaN/GaN HJFETs on SiC and Sapphire Substrates, Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM'00) Abstracts, 38-39, (都市), Aug. 2000..[著者] ...
閲覧 Yuji Ando, Nobuyuki Hayama, Yuji Takahashi, T Nakayana, K Kasahara, K Kunihiro, Masaaki Kuzuhara, K Matsunaga, K Miyamoto, H Samoyto, N Contrata and Yasuo Ohno : Gate Length Scaling for Al0.2Ga0.8 N/GaN HJFETs: Two-Dimensional Full Band Monte Carlo Simulation Including Polarization Effect, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.47, (号), 1965-1972, 2000..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫 : 化合物半導体デバイスシミュレーションの現状と課題, 電子情報通信学会誌, Vol.83, No.11, 828-832, 2000年11月..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno and Masaaki Kuzuhara : Application of GaN-based heterojunction FETs for advanced wireless communication, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.48, No.3, 517-523, 2001..[著者] ...
閲覧 中山 達峰, 宮本 広信, 笠原 健資, 羽山 信幸, 大野 泰夫, 安藤 裕二, 岡本 康宏, 葛原 正明 : NH3 GS-MBE法により形成したAlGaN/GaN HJFET構造の電子移動度評価, 第48回応用物理関経連合講演会講演予稿集, 1390, 2001年3月..[著者] ...
閲覧 中山 達峰, 宮本 広信, 笠原 健資, 羽山 信幸, 大野 泰夫, 安藤 裕二, 岡本 康宏, 葛原 正明 : NH3 GS-MBE法により形成したAlGaN/GaN HJFET構造の電子移動度評価, 第48回応用物理関経連合講演会講演予稿集, (巻), (号), 1390, 2001年3月..[著者] ...
閲覧 中山 達峰, 染谷 隆夫, 星野 勝之, 荒川 泰彦, 羽山 信幸, 笠原 健資, 大野 泰夫 : サファイアA面に作成したAlGaN/GaN HJFET特性, 第48回応用物理関経連合講演会講演予稿集, 1390, 2001年3月..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫, 国弘 和明, 高橋 裕之, 笠原 健資, 羽山 信幸, 中山 達峰 : SiC上AlGaN/GaN構造での電子ドリフト移動度バックゲートバイアス依存性, 第48回応用物理関係連合講演会講演予稿集, 1390, 2001年3月..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫 : ワイドバンドギャップ半導体による高周波デバイス, 電子情報通信学会誌, Vol.84, No.6, 384-389, 2001年6月..[著者] ...
閲覧 葛原 正明, 大野 泰夫, 岡本 康宏, 中山 達峰, 安藤 裕二, 高橋 裕之, 宮本 広信, 国弘 和明, 羽山 信幸, 笠原 健資 : AlGaN/GaN HJFETにおける低抵抗コンタクト形成とK帯高出力特性, 電気学会論文誌, Vol.C122, No.1, 29-35, 2002年..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Wang Tao, Kikuta Daigo, Liu Yu-Huai, Shiro Sakai and Yasuo Ohno : AlGaN/GaN HEMT with Thin Buffer Layer on Sapphire Substrate, 応用物理学会講演会, March 2002..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫, JinPing Ao, 河上 佳史 : AlGaN/GaN HEMTの高周波特性予測, (誌名), (巻), (号), (頁), 2002年3月..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫, 敖 金平 : デバイスの微細化限界と窒化ガリウムトランジスタ, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.ED2002-90, 2002年6月..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Hisao Sato, Takashi Mizobuchi, Kenji Morioka, Shunsuke Kawano, Yoshihiko Muramoto, Young-Bae Lee, Yasuo Ohno and Shiro Sakai : Monolithic Blue LED Series Arrays for High-Voltage AC Operation, Abstracts of the International Workshop on Nitride Semiconductors 2002, (巻), (号), (頁), Aachen, July 2002..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Device Scaling and Prospect of GaN FET, Extended Abstract of the 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials, (巻), (号), 282-283, Nagoya, Sep. 2002..[著者] ...
閲覧 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定, 第63回応用物理学会学術講演会, 2002年9月..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Kikuta Daigo and Yasuo Ohno : Copper Gate AlGaN/GaN HEMT with Low Gate Leakage Current, 第63回応用物理学会学術講演会, Sep. 2002..[著者] ...
閲覧 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンゲートFETによるAlGaN/GaN HEMT構造の表面準位測定, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.ED2002-210, 2002年10月..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Kikuta Daigo and Yasuo Ohno : Copper-Gate AlGaN/GaN HEMTs with Low Gate Leakage Current, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, Vol.ED2002-211, Oct. 2002..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Hisao Sato, Takashi Mizobuchi, Kenji Morioka, Shunsuke Kawano, Yoshihiko Muramoto, Young-Bae Lee, Daisuke Sato, Yasuo Ohno and Shiro Sakai : Monolithic Blue LED Series Arrays for High-Voltage AC Operation, Physica Status Solidi (A) Applied Research, Vol.194, No.2, 376-379, 2002..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Kikuta Daigo, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : High Temperature Stability of Cu-Gate AlGaN/GaN HEMT, Proceedings of the Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2003, (巻), (号), 64-65, Naha, Jan. 2003..[著者] ...
閲覧 Yoshifumi Kawakami, Naohiro Kuze, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Two-Dimensional Device Simulation of 0.05 um-Gate AlGaN/GaN HEMT, Proceedings of the Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2003, (巻), (号), (頁), Naha, Jan. 2003..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Naotaka Kubota, Hong-Xing Wang, Yu-Huai Liu, Yoshiki Naoi, Daigo Kikuta, Shiro Sakai and Yasuo Ohno : Investigation of Copper Schottky Contact on n-GaN Grown on Sapphire Substrate, Proceeding of First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, (巻), (号), 258-259, Awajishima, March 2003..[著者] ...
閲覧 亀井 稔, 岡田 政也, 西薗 和博, 敖 金平, 富永 喜久雄, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN上ZnO:Alスパッタ膜の電気特性評価, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年3月..[著者] ...
閲覧 西薗 和博, 岡田 政也, 亀井 稔, 敖 金平, 富永 喜久雄, 大野 泰夫 : AlGaN/GaNに対するZnOオーミック電極の検討, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年3月..[著者] ...
閲覧 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : 界面準位を考慮したオープンゲートFETの3次元デバイスシミュレーション, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年3月..[著者] ...
閲覧 久保田 尚孝, 敖 金平, 王 宏興, 劉 玉懐, 菊田 大悟, 直井 美貴, 酒井 士郎, 大野 泰夫 : n-GaN上のCu及びNi/Auショットキーコンタクトの比較, 第50回応用物理学関係連合講演会, 2003年3月..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Kubota Naotaka, Wang Hong-Xing, Liu Yu-Huai, Kikuta Daigo, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai and Yasuo Ohno : Thermal Stability of Copper Schottky Contact on AlGaN/GaN and n-GaN, 第50回応用物理学関係連合講演会, March 2003..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Tao Wang, Daigo Kikuta, Yu-Huai Liu, Shiro Sakai and Yasuo Ohno : AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with Thin Buffer Layers, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.42, No.Part1, 4A, 1588-1589, 2003..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Naotaka Kubota, Daogo Kikuta, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Thermal Stability Investigation on Copper Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors, Abstracts of the 5th International Conference on Nitride semiconductors, (巻), (号), (頁), Nara, May 2003..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Naotaka Kubota, Daigo Kikuta, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Thermal Stability Investigation of Copper-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.0, No.7, 2376-2379, 2003..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Daigo Kikuta, Naotaka Kubota, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Copper Gate AlGaN/GaN HEMT With Low Gate Leakage Current, IEEE Electron Device Letters, Vol.24, No.8, 500-502, 2003..[著者] ...
閲覧 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN SiOx MOS-HFETの相互コンダクタンス周波数分散, 第64回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2003年9月..[著者] ...
閲覧 岡田 政也, 亀井 稔, 西薗 和博, 敖 金平, 富永 喜久雄, 大野 泰夫 : ZnO/Metalを用いたAlGaN/GaN用オーミック電極の検討, 第64回応用物理学会学術講演会, 2003年9月..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫, 敖 金平 : サファイア基板CuゲートAlGaN/GaN HEMT, 第64回応用物理学会学術講演会, 2003年9月..[著者] ...
閲覧 Kazuhiro Nishizono, Masaya Okata, Minoru Kamei, Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao, Kikuo Tominaga and Yasuo Ohno : Al-dope ZnO Intermediate Layer for AlGaN/GaN HEMT Ohmic Contact, Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, (巻), (号), 552-553, Tokyo, Sep. 2003..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Daigo Kikuta, Naotaka Kubota, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : High-Temperature Stability of Copper-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E86-C, No.10, 2051-2057, 2003..[著者] ...
閲覧 Yoshifumi Kawakami, Naohiro Kuze, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Two-Dimensional Device Simulation of 0.05 μm-Gate AlGaN/GaN HEMT, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E86-C, No.10, 2039-2042, 2003..[著者] ...
閲覧 亀井 稔, 岡田 政也, 西薗 和博, 敖 金平, 富永 喜久雄, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN上ZnO:Al膜のアニール特性評価, 平成15年度電気関係学会四国支部連合大会, 2003年10月..[著者] ...
閲覧 岡田 政也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETパルスI-V特性シミュレーション, 電子情報通信学会2004年綜合大会, 2004年3月..[著者] ...
閲覧 菊田 大悟, 敖 金平, 久保田 尚孝, 松田 潤也, 赤松 志郎, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN MIS-HFET ドレイン電流のゲートバイアスステップ応答, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004年3月..[著者] ...
閲覧 西薗 和博, 岡田 政也, 亀井 稔, 敖 金平, 富永 喜久雄, 大野 泰夫 : ZnO : Al キャップ層を用いたセルフアラインリセス構造AlGaN/GaN HFET, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004年3月..[著者] ...
閲覧 赤松 志郎, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET I-V特性のヒステリシス, 第51回応用物理学関係連合講演会, 2004年3月..[著者] ...
閲覧 Kazuhiro Nishizono, Masaya Okada, Minoru Kamei, Daigo Kikuta, Kikuo Tominaga, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Metal/Al-doped ZnO ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistor, Applied Physics Letters, Vol.84, No.20, 3996-3998, 2004..[著者] ...
閲覧 Tao Wang, J P Parbrook, N C Harrison, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Highly improved performance of a 350nm ultraviolet light-emitting diode containing AlxGa1-xN/AlyGa1-yN distributed Bragg reflectors, Journal of Crystal Growth, Vol.267, No.3-4, 583-587, 2004..[著者] ...
閲覧 Naotaka Kubota, Jin-Ping Ao, Daigo Kikuta and Yasuo Ohno : Schottky Barrier Height Determination by Capacitance-Voltage Measurement on n-GaN with Exponential Doping Profile, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.43, No.7A, 4159-4160, 2004..[著者] ...
閲覧 高木 亮平, 岡田 政也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETのサイドゲート効果における光の影響, 日本物理学会中四国支部,応用物理学会中四国支部,物理教育学会四国支部連絡協議会2004年度支部学術講演会, 2004年7月..[著者] ...
閲覧 岡田 政也, 高木 亮平, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET 電流電圧特性における光応答, 第65回応用物理学会学術講演会, 2004年9月..[著者] ...
閲覧 Daigo Kikuta, Ryohei Takaki, Junya Matsuda, Masaya Okada, Xin Wei, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs, 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials, (巻), (号), (頁), Tokyo, Sep. 2004..[著者] ...
閲覧 川上 烈生, 山上 喜廣, 富永 喜久雄, 服部 敦美, 來山 征士, 大野 泰夫 : デジタル化・ネットワーク化時代の電気電子工学学生実験, 徳島大学高度情報化基盤センター「広報」, Vol.12, (号), 57-60, 2005年2月..[著者] ...
閲覧 高木 亮平, 岡田 政也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : 熱酸化によるAlGaN/GaN MIS-HFETゲート電流の低減, 第52回応用物理学関係連合講演会, (巻), (号), (頁), 2005年3月..[著者] ...
閲覧 岡田 政也, 高木 亮平, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい値電圧の温度及び光照射依存性, 第52回応用物理学関係連合講演会, (巻), (号), (頁), 2005年3月..[著者] ...
閲覧 Tao Wang, G Raviprakash, F Ranalli, N C Harrison, Jie Bai, R J P David, J P Parbrook, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Effect of Strain Relaxation and Exciton Localization on Performance of 350-nm AlInGaN Quantum Light-Emitting Diodes, Journal of Applied Physics, Vol.97, No.8, 083104-1-083104-4, 2005..[著者] ...
閲覧 Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Evaluation of Surface States of AlGaN/GaN HFET Using Open-Gated Structure, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E88-C, No.4, 683-689, 2005..[著者] ...
閲覧 菊田 大悟, 敖 金平, 松田 潤也, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN MIS-HFET のエンハンスメント動作, 第52回応用物理学関係連合講演会, (巻), (号), (頁), 2005年4月..[著者] ...
閲覧 Daigo Kikuta, Ryohei Takaki, Junya Matsuda, Masaya Okada, Xin Wei, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.44, No.4B, 2479-2482, 2005..[著者] ...
閲覧 Masaya Okada, Ryohei Takaki, Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Temperature and Illumination Dependence of AlGaN/GaN HFET Threshold Voltage, 2005 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, (巻), (号), (頁), Hyogo, Aug. 2005..[著者] ...
閲覧 Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao, Junya Matsuda and Yasuo Ohno : A Mechanism of Enhancement-mode Operation of AlGaN/GaN MIS-HFET, 2005 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, (巻), (号), (頁), Hyogo, Aug. 2005..[著者] ...
閲覧 菅 良太, 平尾 敏雄, 小野田 忍, 伊藤 久義, 岡田 英輝, 岡田 政也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電気特性へγ線照射の影響, 第66回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2005年9月..[著者] ...
閲覧 松田 潤也, 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : 周波数可変カーブトレーサを用いたAlGaN/GaN MIS-HFETヒステリシスの解析, 第66回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2005年9月..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Ryota Kan, Toshio Hirao, Hideki Okada, Masaya Okada, Daigo Kikuta, Shinobu Onoda, Hisayoshi Itoh and Yasuo Ohno : Gamma Radiation Effects on the Ohmic Contact of AlGaN/GaN HEMTs, 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials, (巻), (号), 478-479, Kobe, Sep. 2005..[著者] ...
閲覧 松田 義和, 菅 良太, 山岡 優哉, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET構造を用いたショットキーダイオード, 平成17年度電気関係学会四国支部連合大会, (巻), (号), (頁), 2005年9月..[著者] ...
閲覧 Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate leakage and electrical performance of AlGaN/GaN MIS-type HFET with evaporated silicon oxide layer, Solid-State Electronics, Vol.50, No.3, 316-321, 2006..[著者] ...
閲覧 松浦 一暁, 菊田 大悟, 敖 金平, 扇谷 浩通, 平本 道広, 河合 弘治, 大野 泰夫 : SiCl4ガスを用いたICP-RIEによるAlGaN/GaN HFETのゲートリセスエッチング, 第53回応用物理学関係連合講演会, (巻), (号), (頁), 2006年3月..[著者] ...
閲覧 敖 金平, 長岡 史郎, 岩崎 聡一郎, 岡田 政也, 大巻 雄治, 大野 泰夫 : EB露光CuゲートAlGaN/GaN HFETの高周波特性, 第53回応用物理学関係連合講演会, (巻), (号), (頁), 2006年3月..[著者] ...
閲覧 Masaya Okada, Ryohei Takaki, Daigo Kikuta, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Temperature and Illumination Dependence of AlGaN/GaN HFET Threshold Voltage, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E89-C, No.7, 1042-1046, 2006..[著者] ...
閲覧 Daigo KIKUTA, Jin-Ping Ao, Junya MATSUDA and Yasuo Ohno : A Mechanism of Enhancement-mode Operation of AlGaN/GaN MIS-HFET, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E89-C, No.7, 1031-1036, 2006..[著者] ...
閲覧 岡田 政也, 松浦 一暁, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : GaNキャップ層ピエゾ電荷を用いたエンハンスメントモードAlGaN/GaN HFET, 第67回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2006年8月..[著者] ...
閲覧 石尾 隆幸, 岡田 政也, 敖 金平, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい電圧の温度依存性の測定, 第67回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2006年8月..[著者] ...
閲覧 山岡 優哉, 岡田 政也, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETしきい電圧のゲートストレスバイアス依存性, 第67回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2006年8月..[著者] ...
閲覧 Matsuura K., Kikuta D., Jin-Ping Ao, Ogiya H., Hiramoto M., Kawai H. and Yasuo Ohno : ICP Reactive Ion Etching with SiCl4 Gas for Recessed Gate AlGaN/GaN HFET, The 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), (巻), (号), (頁), Yokohama, Sep. 2006..[著者] ...
閲覧 菅 良太, 佐藤 弘明, 敖 金平, 小中 信典, 入谷 忠光, 大野 泰夫 : オープンリング共振器を用いたチップ間ミリ波信号伝送, 2006年電子情報通信学会ソサイエティ大会, (巻), (号), (頁), 2006年9月..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Matsuda Yoshikazu, Yamaoka Yuya and Yasuo Ohno : A Monolithic Cockcroft-Walton Voltage Multiplier Based on AlGaN/GaN HFET Structure, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, (巻), (号), (頁), Kyoto, Oct. 2006..[著者] ...
閲覧 Okada Masaya, Matsuura Kazuaki, Jin-Ping Ao, Yasuo Ohno and Kawai Hiroji : High-Sensitivity UV Phototransistor with GaN/AlGaN/GaN Gate Epi-Structure, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, (巻), (号), (頁), Kyoto, Oct. 2006..[著者] ...
閲覧 岡田 政也, 国貞 雅也, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : GaN/AlGaN/GaNフォトトランジスタを用いたUVセンサ回路, 2007年電子情報通信学会総合大会, 2007年3月..[著者] ...
閲覧 奥山 祐加, 菅 良太, 佐藤 弘明, 小中 信典, 粟井 郁雄, 大野 泰夫 : オープンリング共振器無線接続における位置ずれの影響, 2007年電子情報通信学会総合大会, 2007年3月..[著者] ...
閲覧 Matsuura Kazuaki, Kikuta Daigo, Jin-Ping Ao, Ogiya Hiromichi, hiramoto Michihiro, Kawai Hiroji and Yasuo Ohno : Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching with SiCl4 Gas for Recessed Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.46, No.4B, 2320-2324, 2007..[著者] ...
閲覧 Okada Masaya, Matsuura Kazuaki, Jin-Ping Ao, Yasuo Ohno and Kawai Hiroji : High-sensitivity UV phototransistor with GaN/AlGaN/GaN gate epi-structure, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol.204, No.6, 2117-2120, 2007..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Matsuda Yoshikazu, Yamaoka Yuya and Yasuo Ohno : A monolithic Cockcroft-Walton voltage multiplier based on AlGaN/GaN HFET structure, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.4, No.7, 2654-2657, 2007..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Yamaoka Yuya, Okada Masaya, Hu Cheng-Yu and Yasuo Ohno : Investigation on Current Collapse of AlGaN/GaN HFET by Gate Bias Stress, 2007 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Chiba, Aug. 2007..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Matsuura K., Okada Masaya, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Ohmic Contact for Dry-Etched p-GaN Realized by High Temperature Annealing, 2007 Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Chiba, Aug. 2007..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫, 山岡 優哉, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平 : ゲートストレスバイアスによるAlGaN/GaN MIS HFETの電流コラプス評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[著者] ...
閲覧 野久 保宏幸, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaN MISダイオードによる絶縁膜界面評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[著者] ...
閲覧 澤田 剛一, 新海 聡子, 敖 金平, 岡田 政也, 胡 成余, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : n‐GaNへの高温処理ZrN電極ショットキー特性, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[著者] ...
閲覧 胡 成余, 岡田 政也, 敖 金平, 大野 泰夫 : Ni処理を用いたドライエッチp‐GaNへの低抵抗オーミック形成, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[著者] ...
閲覧 敖 金平, 澤田 剛一, 新海 聡子, 岡田 政也, 胡 成余, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[著者] ...
閲覧 奥山 祐加, 柏原 俊彦, 敖 金平, 粟井 郁雄, 大野 泰夫 : オープンリング共振器を用いたチップ間マイクロ波信号伝送, 2007年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2007年9月..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Jin-Ping Ao, Okada M., Sugimoto M., Uesugi T., Kachi T. and Yasuo Ohno : Low Resistance Ohmic Contact Formation to Dry-Etched p-GaN, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto, Oct. 2007..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Annealing with Ni for ohmic contact formation on ICP-etched p-GaN, Electronics Letters, Vol.44, No.2, 155-157, 2008..[著者] ...
閲覧 伊藤 秀起, 高橋 健介, 原内 貴司, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫, 井川 裕介 : マイクロ波整流用GaNショットキーダイオードの特性評価, 2008年電子情報通信学会総合大会, 2008年3月..[著者] ...
閲覧 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : p-基板層付きAlGaN/GaN HFETのVt-Vsub特性, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[著者] ...
閲覧 高橋 健介, 伊藤 秀起, 原内 貴司, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫, 井川 裕介 : GaNを用いたマイクロ波整流用ショットキーバリアダイオード, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[著者] ...
閲覧 Okada Masaya, Ito Hideki, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Mechanism of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor Threshold Voltage Shift by Illumination, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, No.4, 2103-2107, 2008..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Jin-Ping Ao, Okada Masaya and Yasuo Ohno : A Study on Ohmic Contact to Dry-Etched p-GaN, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E91-C, No.7, 1020-1024, 2008..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Yamaoka Yuya, Okada Masaya, Hu Cheng-Yu and Yasuo Ohno : Investigation on Current Collapse of AlGaN/GaN HFET by Gate Bias Stress, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E91-C, No.7, 1004-1008, 2008..[著者] ...
閲覧 敖 金平, 許 恒宇, 于 僡, 胡 成余, 大野 泰夫 : Ni拡散によるAlGaN/GaN HFET素子分離, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月..[著者] ...
閲覧 胡 成余, 中谷 克俊, 敖 金平, 菊田 大悟, 杉本 雅裕, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET VT-VSUB特性を用いたp-GaN上バッファ層の評価, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月..[著者] ...
閲覧 井川 裕介, 湯浅 頼英, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ表面負帯電におけるDC特性の解析, 第69回応用物理学会学術講演会, 2008年9月..[著者] ...
閲覧 Takahashi K., Jin-Ping Ao, Ikawa Y., Hu -Y. C., Kawai H., Shinohara N., Niwa N. and Yasuo Ohno : GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Nakatani Katsutoshi, Kikuta Daigo, Sugimoto Masahiro, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : VT-VSUB Characterization of AlGaN/GaN HFET with Regrown Epi-layer on p-GaN, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008..[著者] ...
閲覧 Okuyama Yuka, Jin-Ping Ao, Awai Ikuo and Yasuo Ohno : Wireless Inter-Chip Signal Transmission by Electromagnetic Coupling of Open-Ring Resonators, The 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2008), Tsukuba, Sep. 2008..[著者] ...
閲覧 Xu Heng-Yu, Jin-Ping Ao, Yu Hui, Hu Cheng-Yu and Yasuo Ohno : Device Isolation for AlGaN/GaN HFET Utilizing Heavy Metal Diffusion, IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference 2008 (NMDC2008), Kyoto, Oct. 2008..[著者] ...
閲覧 Awai Ikuo, Hori Kunihito, Okuyama Yuka and Yasuo Ohno : Non-contact Signal Transmission Based on Open Ring Resonator BPF, Proceedings of the 38th European Microwave Conference, Amsterdam, Oct. 2008..[著者] ...
閲覧 胡 成余, 中谷 克俊, 敖 金平, 大野 泰夫, 菊田 大悟, 杉本 雅裕 : VT-VSUB特性を用いたp-GaN上のAlGaN/GaN HFETバッファ層評価, 電気学会電子材料研究会, 2008年11月..[著者] ...
閲覧 井川 裕介, 湯浅 頼英, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETのゲートエッジ負帯電による電流コラプスの2次元数値解析, 電気学会電子材料研究会, 2008年11月..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Future Applications of GaN Electron Devices, 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices (China), Nov. 2008..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN, 15th National conference on Compound Semiconductor Materials, Microwave Devices and Optoelectronic Devices (China), Nov. 2008..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Future Applications of GaN Electron Devices, Semiconductor Technology, Vol.33, No.12, 72-74, 2008..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Refractory Metal Nitride Schottky Contact on GaN, Semiconductor Technology, Vol.33, No.12, 75-79, 2008..[著者] ...
閲覧 Shinohara Naoki, Miyata Yushi, Mitani Tomohiko, Niwa Naoki, Takagi Kenji, Hamamoto Kenichi, Ujigawa Satoshi, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : New Application of Microwave Power Transmission for Wireless Power Distribution System in Buildings, Asia Pacific Microwave Conference 2008, Hong Kong, Dec. 2008..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫 : 共振器結合を用いたワイアレス電力伝送, 日本機械学会マイクロナノ工学専門会議マイクロエネルギー研究会第三回会合, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 宮田 侑是, 篠原 真毅, 三谷 友彦, 丹羽 直幹, 高木 賢二, 浜本 研一, 宇治 川智, 高橋 健介, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaNショットキーダイオードを用いた大電力レクテナの研究開発, 2009年電子情報通信学会総合大会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 阿部 まみ, 奥山 祐加, 倉本 健次, 黒田 健太郎, 佐藤 弘明, 粟井 郁雄, 大野 泰夫 : オープンリング共振器無線接続における損失の検討, 2009年電子情報通信学会総合大会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 澤田 剛一, 敖 金平, 許 恒宇, 高橋 健介, 胡 成余, 河合 弘治, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫 : p型表面層を持つマイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオード, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 井川 裕介, 湯浅 頼英, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETにおける仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 胡 成余, 中谷 克俊, 敖 金平, 菊田 大悟, 杉本 雅裕, 大野 泰夫 : p層上デュアルゲートAlGaN/GaN HFETにおけるアバランシェホール電流の測定, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 Takahashi Kensuke, Jin-Ping Ao, Ikawa Yusuke, Hu Cheng-Yu, Kawai Hiroji, Shinohara Naoki, Niwa Naoki and Yasuo Ohno : GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C095, 2009..[著者] ...
閲覧 Okuyama Yuka, Jin-Ping Ao, Awai Ikuo and Yasuo Ohno : Wireless Inter-Chip Signal Transmission by Electromagnetic Coupling of Open-Ring Resonators, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C025, 2009..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : GaN-based Schottky Diodes, Handbook of Light Emitting and Schottky Diode Research, Nova Science Publishers, Hauppauge, May 2009..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫 : 化合物半導体電子デバイス開発の軌跡, 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会資料, 2009年6月..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Suzuki Asato, Sawada Kouichi, Shinkai Satoko and Yasuo Ohno : Schottky Contacts of Reactive Sputtering Refractory Metal Nitrides on Gallium Nitride, The 10th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, 433-436, Kanazawa, July 2009..[著者] ...
閲覧 野崎 兼史, 高橋 義也, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御, 電子情報通信学会センサーデバイス・MEMS・一般研究会, 2009年7月..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Nakatani Katsutoshi, Kawai Hiroji, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Buffer layer doping concentration measurement using VT-VSUB Characterization of GaN HEMT with p-GaN substrate layer, 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Nagano, Aug. 2009..[著者] ...
閲覧 Ikawa Yusuke, Yuasa Yorihide, Hu Cheng-Yu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : 2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Caused by Surface Negative Charge Injection, 8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Nagano, Aug. 2009..[著者] ...
閲覧 黒田 健太郎, 井川 裕介, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスのステップストレス測定, 第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月..[著者] ...
閲覧 下村 輝, 粟井 郁雄, 大野 泰夫 : ミリはインターコネクトにおける設置面の影響, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月..[著者] ...
閲覧 高橋 健介, 敖 金平, 胡 成余, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫 : マイクロ波電力整流用GaNショットキーダイオードのSパラメータ解析, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月..[著者] ...
閲覧 倉本 健次, 阿部 まみ, 奥山 祐加, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンリング共振器を用いた非接触広帯域入出力インターフェイス, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月..[著者] ...
閲覧 阿部 まみ, 倉本 健次, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンリング共振器無線接続における基板抵抗の影響, 2009年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2009年9月..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Nokubo Hiroyuki, Okada Masaya, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : MIS Diode Characterization on n-GaN by C-V Measurement at 150 C, The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Oct. 2009..[著者] ...
閲覧 Nakatani Katsutoshi, Jin-Ping Ao, Ohmuro Keisuke, Sugimoto Masahiro, Hu Cheng-Yu, Sogawa Yuji and Yasuo Ohno : Evaluation of GaN MOSFET with TEOS SiO2 Gate Insulator, The 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, Oct. 2009..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Kikuta Daigo, Nakatani Katsutoshi, Jin-Ping Ao, Sugimoto Masahiro and Yasuo Ohno : Low Resistance Ohmic Contact to Deeply Dry-etched p-GaN, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, Cheju, Oct. 2009..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Kikuta Daigo, Nakatani Katsutoshi, Jin-Ping Ao, Sugimoto Masahiro and Yasuo Ohno : Monitoring and control of substrate voltage for AlGaN/GaN HEMTs with p-GaN epi-layer, The 8th International Conference on Nitride Semiconductors, Cheju, Oct. 2009..[著者] ...
閲覧 黒田 健太郎, 井川 裕介, 光山 健太, 敖 金平, 大野 泰夫 : ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析, 電子情報通信学会電子デバイス,電子部品・材料,レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月..[著者] ...
閲覧 高橋 健介, 敖 金平, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 藤原 暉雄, 大野 泰夫 : マイク ロ波無線ユビキタス電源用GaNショットキーダイオードの開発, 電子情報通信学会電子デバイス,電子部品・材料,レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 2009年11月..[著者] ...
閲覧 大野 泰夫 : 無線送電とワイドギャップ半導体, 2010年電子情報通信学会総合大会, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 阿部 まみ, 倉本 健次, 天羽 孝文, 敖 金平, 大野 泰夫 : 誘電率の異なる基板間でのオープンリング共振器無線接続, 2010年電子情報通信学会総合大会, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 中谷 克俊, 祖川 雄司, 金 栄現, 敖 金平, 大野 泰夫, 宮下 準弘, 本山 慎一 : プラズマCVD酸化膜を用いたGaN MOSFET, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 黒田 健太郎, 井川 裕介, 光山 健太, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスにおける光照射の影響, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 Cheng-Yu Hu, Hiroyuki Nokubo, Masanari Okada, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Metal Insulator Semiconductor Diode Characterization on n-GaN by Capacitance Voltage Measurement at 150 °C, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DF11, 2010..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Nakatani Katsutoshi, Ohmuro Keisuke, Sugimoto Masahiro, Hu Cheng-Yu, Sogawa Yuji and Yasuo Ohno : GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Tetraethylorthosilicate SiO2 Gate Insulator on AlGaN/GaN Heterostructure, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DF09-1-04DF09-4, 2010..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Nakatani Katsutoshi, Sogawa Yuji, Kim Hyun Young, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi and Yasuo Ohno : GaN MOSFET with Gate SiO2 Deposited by Silane-Based PECVD, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, Takamatsu, May 2010..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Suzuki Asato, Sawada Kouichi, Shinkai Satoko, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Schottky contacts of refractory metal nitrides on gallium nitride using reactive sputtering, Vacuum, Vol.84, No.12, 1439-1443, 2010..[著者] ...
閲覧 (種別) : 下村 輝, 粟井 郁雄, 大野 泰夫 : C-2-66 SIRによるインターコネクトの放射損失低減(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション), 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集, Vol.2010, No.1, 102, 社団法人電子情報通信学会, (都市), 2010年8月..[著者] ...
閲覧 阿部 まみ, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンリング共振器無線接続における基板抵抗の影響, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月..[著者] ...
閲覧 原内 健次, 細川 大志, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードのSパラメータ解析, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月..[著者] ...
閲覧 細川 大志, 原内 健次, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN横型ショットキーダイオードの二次元デバイスシミュレーション, 第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月..[著者] ...
閲覧 Abe Mami, Amou Takahumi, Kuramoto Kenji, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Effects of Substrate Conductivity on Open-Ring Resonator Wireless Interconnection, 2010 Asia-Pacific Radio Science Conference, Toyama, Sep. 2010..[著者] ...
閲覧 Ikawa Yusuke, Yuasa Yorihide, Hu Cheng-Yu, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : 2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Caused by Surface Negative Charge Injection, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E93-C, No.8, 1218-1224, 2010..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Nakatani Katsutoshi, Kawai Hiroji, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Buffer Layer Doping Concentration Measurement Using VT-VSUB Characteristics of GaN HEMT with p-GaN Substrate Layer, IEICE Transactions on Electronics, Vol.E93-C, No.8, 1234-1237, 2010..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Takahashi Kensuke, Shinohara Naoki, Niwa Naoki, Fujiwara Teruo and Yasuo Ohno : S-parameter Analysis of GaN Schottky Diodes for Microwave Power Rectification, 2010 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, Monterey, Oct. 2010..[著者] ...
閲覧 Abe Mami, Okuyama Yuka, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Misalignment Effects in Inter-Chip Wireless Connection with Open-Ring Resonators, 2010 Asia-Pacific Microwave Conference (APM C2010), Yokohama, Dec. 2010..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno : Application of GaN Devices to Wireless Power Transmission, 2010 Asia-Pacific Microwave Conference (APM C2010), Yokohama, Dec. 2010..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Nakatani Katsutoshi, Sogawa Yuji, Akamatsu Shiro, Kim Hyun Young, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi and Yasuo Ohno : GaN MOSFET with a gate SiO2 insulator deposited by silane-based plasma-enhanced chemical vapor deposition, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 457-460, 2011..[著者] ...
閲覧 原内 健次, 岩崎 裕一, 阿部 まみ, 敖 金平, 篠原 真毅, 外村 博史, 大野 泰夫 : オープンリング共振器接続によるマイクロ波無線電力伝送, 2011年電子情報通信学会総合大会, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 細川 大志, 黒田 健太郎, 井谷 祥之, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET 電流コラプスの回復過程測定, 第57回応用物理学関係連合講演会, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 Harauchi Kenji, Iwasaki Yuichi, Abe Mami, Jin-Ping Ao, Shinohara Naoki, Tonomura Hiroshi and Yasuo Ohno : Power Transmission through Insulating Plate Using Open-Ring Resonator Coupling and GaN Schottky Diode, IEEE MTT-S International MicrowaveWorkshop Series (IMWS) on InnovativeWireless Power Transmission: Technologies, Systems, and Applications, 33-36, Kyoto, May 2011..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Microwave Power Transmission Using Open-ring Resonators Coupling and GaN SBD, 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Daejeon, June 2011..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Thermally Stable TiN Schottky Contact on AlGaN/GaN Heterostructure, The 11th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, Kyoto, July 2011..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno, Kuroda Kentaro, Ohmori Yuka, Hosokawa Taishi and Jin-Ping Ao : Measurement of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Recovery Process, 9th International Conference on Nitride Semiconductors, Glasgow, July 2011..[著者] ...
閲覧 Iwasaki Yuichi, Harauchi Kenji, Jin-Ping Ao, Shinohara Naoki, Tonomura Hiroshi and Yasuo Ohno : Open-Ring Resonator Coupling with GaN SBD for Microwave Power Transmission, 9th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Gifu, Aug. 2011..[著者] ...
閲覧 細川 大志, 井川 裕介, 木尾 勇介, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプス回復の温度依存性, 第72回応用物理学会学術講演会, 2011年9月..[著者] ...
閲覧 岩崎 裕一, 原内 健次, 福居 和人, 敖 金平, 大野 泰夫 : 電力伝送用オープンリング共振器無線接続の評価, 2011年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2011年9月..[著者] ...
閲覧 原内 健次, 岩崎 裕一, 林野 耕平, 敖 金平, 篠原 真毅, 外村 博史, 大野 泰夫 : オープンリング共振器とGaNショットキーダイオードを用いた無線電力伝送, 2011年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2011年9月..[著者] ...
閲覧 Ikawa Yusuke, Hosokawa Taishi, Kio Yusuke, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : 2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Caused by Deep Levels in GaN Buffer Layer, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Sep. 2011..[著者] ...
閲覧 原内 健次, 岩崎 裕一, 林野 耕平, 敖 金平, 篠原 真毅, 外村 博史, 大野 泰夫 : オープンリング共振器とGaN SBDを用いたマイクロ波電力伝送, 第8回無線電力伝送時限研究専門委員会(通算36回)研究会, 2011年10月..[著者] ...
閲覧 細川 大志, 井川 裕介, 木尾 勇介, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復過程解析, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, 2011年11月..[著者] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Kikuta Daigo, Sugimoto Masahiro, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : VT-VSUB Characterization of AlGaN/GaN HFET With p-Type Body Layer, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.58, No.12, 4265-4271, 2011..[著者] ...
閲覧 玉井 健太郎, 王 青鵬, 宮下 準弘, 本山 慎一, 王 徳君, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaN MOSFET 電気特性へのチャネルリセスエッチングの影響, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 Wang Qingpeng, Tamai Kentaro, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi, Wang Dejun, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Characterization of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure, 第59回応用物理学関係連合講演会, March 2012..[著者] ...
閲覧 細川 大志, 井川 裕介, 木尾 勇介, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFET電流コラプスの回復機構, 第59回応用物理学関係連合講演会, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 福居 和人, 竹内 太郎, 林野 耕平, 原内 健次, 岩崎 裕一, 敖 金平, 大野 泰夫 : マイクロ波整流用GaN ショットキーダイオードの特性改善, 2012年電子情報通信学会総合大会, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 林野 耕平, 原内 健次, 岩崎 裕一, 福居 和人, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaNショットキーダイオードを用いたレクテナ回路の損失分析, 2011年電子情報通信学会総合大会, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 塩入 達明, 岩崎 祐一, 原内 健次, 福居 和人, 敖 金平, 大野 泰夫 : オープンリング共振器無線送電への水濡れの影響, 2011年電子情報通信学会総合大会, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 岩崎 裕一, 阿部 まみ, 原内 健次, 福居 和人, 敖 金平, 大野 泰夫 : 60GHz帯チップ間伝送用オープンリング共振器無線接続の評価, 2011年電子情報通信学会総合大会, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 原内 健次, 岩崎 裕一, 林野 耕平, 塩入 達明, 福居 和人, 敖 金平, 大野 泰夫, 篠原 真毅, 外村 博史 : GaN SBDとオープンリング共振器を用いた非接触マイクロ波電力伝送, 第10回無線電力伝送時限研究専門委員会研究会, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 Wang Qingpeng, Tamai Kentaro, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi, Wang Dejun, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Influence of Dry Recess Process on Enhancement-mod GaN MOSFET, 4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials, Nagoya, March 2012..[著者] ...
閲覧 Hayashino Kouhei, Harauchi Kenji, Iwasaki Yuichi, Fukui Kazuhito, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Analysis of Loss Mechanism in Rectenna Circuit with GaN Schottky Barrier Diode, 2012 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series (IMWS) on Innovative Wireless Power Transmission: Technologies, Systems, and Applications (IMWS-IWPT2012), Kyoto, May 2012..[著者] ...
閲覧 Fukui Kazuhito, Takeuchi Taro, Hayashino Kouhei, Harauchi Kenji, Iwasaki Yuichi, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : T-shaped Anode GaN Schottky Barrier Diode for Microwave Power Rectification, 2012 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series (IMWS) on Innovative Wireless Power Transmission: Technologies, Systems, and Applications (IMWS-IWPT2012), 195-198, Kyoto, May 2012..[著者] ...
閲覧 Iwasaki Yuichi, Shioiri Tatsuaki, Harauchi Kenji, Fukui Kazuhito, Hayashino Kouhei, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Effects of Wetting to Wireless Power Transmission by Open-Ring Resonators Coupling, 2012 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series (IMWS) on Innovative Wireless Power Transmission: Technologies, Systems, and Applications (IMWS-IWPT2012), 97-100, Kyoto, May 2012..[著者] ...
閲覧 玉井 健太郎, 敖 金平, 菊田 大悟, 杉本 雅裕, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, 2012年7月..[著者] ...
閲覧 白石 孝之, 李 柳暗, 岸 明徳, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaNデバイスにおけるゲート・ファースト・プロセスの検討, 第73回応用物理学会学術講演会, 2012年9月..[著者] ...
閲覧 木尾 勇介, 井川 裕介, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETにおけるサイドゲート効果の観測, 第73回応用物理学会学術講演会, 2012年9月..[著者] ...
閲覧 林野 耕平, 岩崎 裕一, 福居 和人, 敖 金平, 大野 泰夫 : マイクロ波電力伝送用レクテナ回路の比較, 2011年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2012年9月..[著者] ...
閲覧 Jiang Ying, Wang Qingpeng, Tamai Kentaro, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi, Wang Dejun, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : GaN MOSFET with Boron Trichloride-Based Dry Recess Process, 11th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology and 25th Symposium on Plasma Science for Materials, Kyoto, Oct. 2012..[著者] ...
閲覧 Kio Yusuke, Hosokawa Taishi, Ikawa Yusuke, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Analysis of AlGaNGaN HFET Current Collapse Recovery Process, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, Sapporo, Oct. 2012..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno, Kio Yusuke, Ikawa Yusuke and Jin-Ping Ao : Observation of Side-gating Effect in AlGaN/GaN HFETs, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, Sapporo, Oct. 2012..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Shiraishi Takauki, Li Liuan, Kishi Akinori and Yasuo Ohno : Synthesis and Application of Metal Nitrides as Schottky Electrodes for Gallium Nitride Electron Devices, the first international conference on emerging advanced nanomaterials (2012), Brisbane, Oct. 2012..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Yoshiki Naoi and Yasuo Ohno : Thermally stable TiN Schottky contact on AlGaN/GaN heterostructure, Vacuum, Vol.87, No.1, 150-154, 2013..[著者] ...
閲覧 Jiang Ying, Wang Qingpeng, Tamai Kentaro, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi, Wang Dejun, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : GaN MOSFET with Boron Trichloride-Based Dry Recess Process, Journal of Physics: Conference Series, Vol.441, (号), 012025, 2013..[著者] ...
閲覧 Wang Qingpeng, Tamai Kentaro, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi, Wang Dejun, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Influence of Dry Recess Process on Enhancement-Mode GaN Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.1, 01AG02-1-01AG02-5, 2013..[著者] ...
閲覧 Jiang Ying, Wang Qingpeng, Tamai Kentaro, Shinkai Satoko, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-Ichi, Wang Dejun, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Device Isolation for GaN MOSFETs With Boron Ion Implantation, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials, Nagoya, Jan. 2013..[著者] ...
閲覧 Li Liuan, Shiraishi Takayuki, Kishi Akinori, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Evaluation of a Gate-First process for AlGaN/GaN HFETs, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials, Nagoya, Jan. 2013..[著者] ...
閲覧 久米 保奈美, 林野 耕平, 岩崎 裕一, 福井 和人, 敖 金平, 大野 泰夫 : 高調波反射を遮断した GaN SBD レクテナ回路の特性, 2013年電子情報通信学会総合大会, 2013年3月..[著者] ...
閲覧 林野 耕平, 久米 保奈美, 福居 和人, 岩崎 裕一, 敖 金平, 大野 泰夫 : 高調波遮断フィルタを用いたGaN SBDレクテナ回路の反射抑制, 2013年電子情報通信学会総合大会, 2013年3月..[著者] ...
閲覧 Jiang Ying, Wang Qingpeng, Tamai Kentaro, Shinkai Satoko, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-Ichi, Wang Dejun, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Field Isolation of GaN MOSFET by Boron Ion Implantation, 第60回応用物理学関係連合講演会, March 2013..[著者] ...
閲覧 Wang Qingpeng, Jiang Ying, Tamai Kentaro, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi, Wang Dejun, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Oxide Thickness Dependency on Threshold Voltage of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure, 第60回応用物理学関係連合講演会, March 2013..[著者] ...
閲覧 木尾 勇介, 井川 祐介, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETサイドゲート効果における光照射・温度の影響, 第60回応用物理学関係連合講演会, 2013年3月..[著者] ...
閲覧 Li Liuan, Kishi Akinori, Shiraishi Takayuki, Jiang Ying, Wang Qingpeng, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Evaluation of a Gate-First Process for AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 11NH01, 2013..[著者] ...
閲覧 Yasuo Ohno, Kio Yusuke, Ikawa Yusuke and Jin-Ping Ao : Observation of Side-Gating Effect in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.7, 08JN28, 2013..[著者] ...
閲覧 Wang Qingpeng, Jiang Ying, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi, Li Liuan, Wang Dejun, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Process Dependency on Threshold Voltage of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure, 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, Hakodate, Sep. 2013..[著者] ...
閲覧 福居 和人, 劉 強, 板井 勇樹, 岸 明徳, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaN SBDを用いたレクテナ回路の特性比較, 2013年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2013年9月..[著者] ...
閲覧 板井 勇樹, 岸 明徳, 李 柳暗, 白石 孝之, 福居 和人, 劉 強, 敖 金平, 大野 泰夫 : TiN電極を有するマイクロ波整流用GaNショットキーバリアダイオード, 第74回応用物理学会学術講演会, 2013年9月..[著者] ...
閲覧 Kishi Akinori, Itai Yuki, Li Liuan, Shiraishi Takayuki, Fukui Kazuhito, Liu Qiang, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : GaN Schottky Barrier Diodes with TiN Electrode for High Efficiency Microwave Power Rectification, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials, Fukuoka, Sep. 2013..[著者] ...
閲覧 井川 裕介, 李 根三, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETサイドゲート効果の2次元デバイスシミュレーション, 電子情報通信学会電子デバイス研究会, 2014年1月..[著者] ...
閲覧 Wang Qingpeng, Jiang Ying, Li Liuan, Wang Dejun, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Characterization of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure With Variation in Channel Dimensions, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol.61, No.2, 498-504, 2014..[著者] ...
閲覧 Shinohara Naoki, Niwa Naoki, Takagi Kenji, Hamamoto Kenniti, Ujigawa Satoshi, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Microwave building as an application of wireless power transfer, Wireless Power Transfer, Vol.1, No.1, 1-9, 2014..[著者] ...
閲覧 井川 裕介, 李 根三, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN HFETサイドゲート効果における光照射・温度の影響, 第61回応用物理学関係連合講演会, 2014年3月..[著者] ...
閲覧 Jiang Ying, Wang Qingpeng, Tamai Kentaro, Li Liuan, Shinkai Satoko, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi, Wang Dejun, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Field isolation for GaN MOSFETs on AlGaN/GaN heterostructure with boron ion implantation, Semiconductor Science and Technology, Vol.29, No.5, 055002, 2014..[著者] ...
閲覧 Jin-Ping Ao, Shiraishi Takauki, Li Liuan, Kishi Akinori and Yasuo Ohno : Synthesis and Application of Metal Nitrides as Schottky Electrodes for Gallium Nitride Electron Devices, Science of Advanced Materials, Vol.6, No.7, 1645-1649, 2014..[著者] ...
閲覧 Liu Qiang, Li Liuan, Fujihara Ryota, Itai Yuki, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Size Dependence of GaN Schottky Barrier Diode Characteristics for Microwave Power Rectification, 平成26年度電気関係学会四国支部連合大会, Sep. 2014..[著者] ...
閲覧 藤原 諒太, 劉 強, 李 柳暗, 板井 勇樹, 大野 泰夫, 敖 金平 : マイクロ波無線電力伝送用GaNショットキーダイオード, 2014年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 2014年9月..[著者] ...
閲覧 藤原 諒太, 板井 勇樹, 劉 強, 李 柳暗, 大野 泰夫, 敖 金平 : TiN 電極マイクロ波整流用 GaN SBD の温度特性, 第75回応用物理学会学術講演会, 2014年9月..[著者] ...
閲覧 Fujihara Ryota, Itai Yuki, Li Liuan, Liu Qiang, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Temperature Dependence of TiN-Anode GaN Schottky Barrier Diode Characteristics for Microwave Power Rectification, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, Sep. 2014..[著者] ...
閲覧 Wang Qingpeng, Jiang Ying, Miyashita Takahiro, Motoyama Shin-ichi, Li Liuan, Wang Dejun, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Process dependency on threshold voltage of GaN MOSFET on AlGaN/GaN heterostructure, Solid-State Electronics, Vol.99, 59-64, 2014..[著者] ...
閲覧 Ikawa Yusuke, Lee Keunsam, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Two-dimensional device simulation of GaN/GaN heterojunction FET side-gating effect, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.11, 114302, 2014..[著者] ...
閲覧 Li Liuan, Kishi Akinori, Liu Qiang, Itai Yuki, Fujihara Ryota, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : GaN Schottky Barrier Diode with TiN Electrode for Microwave Rectification, IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol.2, No.6, 168-173, 2014..[著者] ...
閲覧 Fujihara Ryota, Hamaguchi Keiko, Yasuo Ohno and Jin-Ping Ao : Characteristics of GaN Schottky barrier diode on Si substrate for microwave power rectification, 2015年度応用物理学会中国四国支部若手半導体研究会, Aug. 2015..[著者] ...

過去3日以内に登録・変更された情報

(なし)

本データベースでは情報の登録,保守作業の分散を主たる目的の一つとしております.したがって,上記にリストアップされている情報の保守は個々の情報の当事者に委ねられます.

ある情報を保守する義務があるかないかは,その情報に対して権限を持っているかどうかで判断してください.もちろん情報の所有者が主に管理しなくてはならないことになりますが,権限を持っている利用者が連帯してその情報の保守を行なう義務を負っていると考えてください.

貴方がどの情報について権限を持っているかは,貴方自身の情報を閲覧してください.

Number of session users = 0, LA = 0.57, Max(EID) = 364736, Max(EOID) = 976762.