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閲覧 Ken Morita, Kohei M Itoh, Junichirou Muto, Koji Mizoguchi, Noritaka Usami, Yasuhiro Shiraki and Eugene E Haller : Growth and Characterization of 70Gen/74GenIsotope Superlattices, Thin Solid Films, Vol.369, 405-408, 2000..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Kohei Itoh, Makoto Nakajima, Hiroshi Harima, Koji Mizoguchi, Yasuhiro Shiraki and Eugene E Haller : First- and Second-Order Raman Spectroscopy of 70Gen/76Gen Isotope Superlattices, Proceedings of 25th International Conference on Physics of Semiconductors, (都市), (month)2000..[著者] ...
閲覧 Makoto Nakajima, Koji Mizoguchi, Ken Morita, Kohei M Itoh, Hiroshi Harima and Shinichi Nakashima : Comparison of Coherent and Incoherent LO Phonons in Isotopic 70Ge/74Ge Superlattices, Journal of Luminescence, Vol.87-89, 942-944, 2000..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Kohei M Itoh, L Hoffmann, B B Nielsen, Hiroshi Harima, Koji Mizoguchi and Eugene E Haller : Raman Investigation of the Localized Vibrational Mode of Carbon in Strain-Relaxed Si1-xGex:C, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.40, No.10, 5905-5096, 2001..[著者] ...
閲覧 Makoto Nakajima, Hiroshi Harima, Ken Morita, Kohei M Itoh, Koji Mizoguchi and Eugene E Haller : Coherent Confined LO Phonons in 70Ge/74Ge isotope superlattices generated by ultrafast laser pulses, Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.63, No.16, 161304(R), 2001..[著者] ...
閲覧 Alex Kolobov, Ken Morita, Kohei Itoh and Eugene E Haller : A Raman Scattering Study of Self-Assembled Pure Isotope Ge/Si(100) Quantum Dots, Applied Physics Letters, Vol.81, No.20, 3855-3857, 2002..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Kohei M Itoh, Makoto Nakajima, Hiroshi Harima, Koji Mizoguchi, Yasuhiro Shiraki and Eugene E Haller : Raman Spectra of 70Ge/76Ge Isotope Heterostructures with Argon 488nm and 514.5nm Excitations, Physica B, Vol.316, 561-564, 2002..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Kohei M Itoh, Makoto Nakajima, Koji Mizoguchi, Yasuhiro Shiraki and Eugene E Haller : Origin of forbidden modes in Raman spectra of Ge isotope superlattices, Proceedings of 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, (都市), (month)2002..[著者] ...
閲覧 Haruki Sanada, Shunichirou Matsuzaka, Ken Morita, Cheng-yong Hu, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Hysteretic dynamic nuclear polarization in GaAs/AlxGa1-xAs (110) quantum wells, Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.68, No.24, 241303-1-241303-4, 2003..[著者] ...
閲覧 Shunichirou Matsuzaka, Haruki Sanada, Ken Morita, Cheng-yong Hu, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Anisotropic g-factor dependence of dynamic nuclear polarization, Proceedings of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, (都市), (month)2004..[著者] ...
閲覧 Cheng-yong Hu, Ken Morita, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Time-resolved differential reflectance in Silicon in the 3.4-5.0 eV range, Proceedings of 27th International Conference on Physics of Semiconductors, (都市), (month)2004..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Haruki Sanada, Shunichirou Matsuzaka, Cheng-yong Hu, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Electron Spin Dynamics in InGaAs Quantum Wells, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.21, No.2-4, 1007-1010, 2004..[著者] ...
閲覧 森田 健, 松坂 俊一郎, 眞田 治樹, 大野 裕三, 大野 英男 : n型InGaAs多重量子井戸における動的核スピン分極の井戸幅依存性, 第65回応用物理学関係学術講演会, 2004年9月..[著者] ...
閲覧 眞田 治樹, 松坂 俊一郎, 森田 健, Chen-yong Hu, 大野 裕三, 大野 英男 : 円偏光励起下における半導体量子井戸中のスピンダイナミクスの電界制御, 第65回応用物理学関係学術講演会, 2004年9月..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Haruki Sanada, Shunichirou Matsuzaka, Cheng-yong Hu, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Strong Anisotropic Spin Dynamics in Narrow n-InGaAs/AlGaAs Quantum Wells, Applied Physics Letters, Vol.87, No.17, 171905-171908, 2005..[著者] ...
閲覧 Cheng-yong Hu, Ken Morita, Haruki Sanada, Shunichirou Matsuzaka, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Spin Precession of Holes in Wurtzite GaN Studied using the time-resolved Kerr rotation technique, Physical Review B, Condensed Matter and Materials Physics, Vol.72, No.12, 121203-1-121203-4, 2005..[著者] ...
閲覧 森田 健, 眞田 治樹, 松坂 俊一郎, 大野 裕三, 大野 英男 : n型InGaAs(110)多重量子井戸におけるスピン緩和, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年3月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 松坂 俊一郎, 大野 裕三, 大野 英男 : 円偏光励起下における半導体量子井戸中のスピンダイナミクスの電界制御, 第52回応用物理学関係連合講演会, 2005年3月..[著者] ...
閲覧 Haruki Sanada, Shunichirou Matsuzaka, Ken Morita, Cheng-yong Hu, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Gate Control of Dynamic Nuclear Polarization in GaAs Quantum Wells, Physical Review Letters, Vol.94, No.9, 097601-1-097601-4, 2005..[著者] ...
閲覧 Haruki Sanada, Shunichirou Matsuzaka, Ken Morita, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Optical Pump-Probe Measurements of Local Nuclear Spin Coherence in Semiconductor Quantum Wells, Physical Review Letters, Vol.96, No.6, 067602-1-067602-4, 2006..[著者] ...
閲覧 森田 健, 眞田 治樹, 松坂 俊一郎, 大野 裕三, 大野 英男 : 光励起されたスピンによるGaAs量子井戸励起準位の円偏光吸収スペクトルの変調と時間分解測定, 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月..[著者] ...
閲覧 松坂 俊一郎, 眞田 治樹, 森田 健, 大野 裕三, 大野 英男 : GaAs/AlGaAsにおける異方性g因子と動的核スピン分極の双安定性, 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月..[著者] ...
閲覧 眞田 治樹, 近藤 裕佑, 松坂 俊一郎, 森田 健, 大野 裕三, 大野 英男 : GaAs/AlGaAs量子井戸構造におけるコヒーレント核スピンダイナミクスの光検出(1), 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月..[著者] ...
閲覧 近藤 裕佑, 眞田 治樹, 松坂 俊一郎, 森田 健, 大野 裕三, 大野 英男 : GaAs/AlGaAs量子井戸構造におけるコヒーレント核スピンダイナミクスの光検出(2), 第53回応用物理学関係連合講演会, 2006年3月..[著者] ...
閲覧 井須 俊郎, 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 赤羽 浩一, 山本 直克 : InP(311)B上のInAs量子ドットの光学異方性, 第3回量子ナノ材料セミナー, 1-4, 2007年6月..[著者] ...
閲覧 T Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada, K Akahane, N Yamamoto and Toshiro Isu : Optical anisotropy of InAs quantum dots on an InP(113)B substrate, 26th Electron Material Symposium, Vol.G6, 161-162, July 2007..[著者] ...
閲覧 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : PLによる高指数面上InGaAs歪量子井戸の光学異方性評価, 応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-5, 92, 2007年8月..[著者] ...
閲覧 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 大きな非線形光学応答を実現するGaAs/AlAs多層膜構造の検討, 応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-6, 93, 2007年8月..[著者] ...
閲覧 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 赤羽 浩一, 山本 直克, 井須 俊郎 : (113)B InAs量子ドットのフォトルミネッセンスによる光学異方性, 応用物理学会中国四国支部2007年度支部学術講演会, Vol.Ea-7, 94, 2007年8月..[著者] ...
閲覧 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 赤羽 浩一, 山本 直克 : InP(113)B上の積層InAs量子ドットの光学異方性, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.6a-N12, 1413, 2007年9月..[著者] ...
閲覧 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜構造における光電場強度の増大効果, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.7a-N-2, 1418, 2007年9月..[著者] ...
閲覧 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 高指数(11n)面上のInGaAs歪量子井戸の光学異方性, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.7a-N-3, 1418, 2007年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 楠 慎一郎, 木内 将登, 森田 健, 下村 哲, 井須 俊郎 : (411)A InGaAs/InAlAs 変調ドープ歪量子井戸構造における界面ラフネスの異方性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, Vol.8a-H-2, 345, 2007年9月..[著者] ...
閲覧 N Niki, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Strained Quantum Wells on High Index Substrates, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (iscs2007), Vol.ThD P6, 341, Kyoto, Oct. 2007..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, S Kusunoki, M Kinouchi, Ken Morita, Toshiro Isu and S Shimomura : Isotropic Interface Roughness of Pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As Quantum Wells Grown on (411)A InP Substrates by Molecular Beam Epitaxy, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (iscs2007), Vol.ThD P5, 340, Kyoto, Oct. 2007..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 森田 健, 井須 俊郎 : 面型超高速光スイッチに向けた半導体多層膜のMBE成長, 応用物理学会中国四国支部研究会, 2007年12月..[著者] ...
閲覧 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎, 赤羽 浩一, 山本 直克 : InP(113)B基板上InAs量子ドットのフォトルミネッセンス光学異方性, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-11, 2007年12月..[著者] ...
閲覧 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 高指数GaAs面上InGaAs歪量子井戸の光学異方性, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-12, 2007年12月..[著者] ...
閲覧 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 大きな非線形光学応答のためのGaAs/AlAs 多層膜構造の光電場強度増大効果, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-13, 2007年12月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 楠 真一郎, 木内 将登, 森田 健, 下村 哲, 井須 俊郎 : 電子移動度によるInGaAs/InAlAs へテロ界面の異方性評価, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P-14, 2007年12月..[著者] ...
閲覧 Yusuke Kondo, Masaaki Ono, Shunichirou Matsuzaka, Ken Morita, Haruki Sanada, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Multi Pulse Operation and Optical Detection of Nuclear Spin Coherence in a GaAs/AlGaAs Quantum Wells, Physical Review Letters, Vol.101, No.20, 207601, 2008..[著者] ...
閲覧 向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs (001)および(113)B基板上へのInAs量子ドットのMBE成長と光学特性評価, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 神原 敏之, 仲野 翔也, 矢野 慎介, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜における時間分解非線形光学応答, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[著者] ...
閲覧 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 有限障壁ポテンシャルを考慮した高指数GaAs (11n)A基板上のInGaAs歪量子井戸の光学異方性評価, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[著者] ...
閲覧 神原 敏之, 仲野 翔也, 矢野 慎介, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : AlAs/Al0.3Ga0.7Asダブルエッチストッパー構造を有するGaAs/AlAs多層膜構造の作製, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 神原 敏之, 森田 健, 井須 俊郎 : マトリックス法によるGaAs/AlAs多層膜構造の光カー信号強度のシミュレーション, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, S Kusunoki, M Kinouchi, Ken Morita, Toshiro Isu and S Shimomura : Isotropic Interface Roughness of Pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As Quantum Wells Grown on (411)A InP Substrates by Molecular Beam Epitaxy, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 2753-2755, 2008..[著者] ...
閲覧 Nobuyoshi Niki, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Strained Quantum Wells on High Index Substrates, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 2756-2759, 2008..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Toshiyuki Kanbara, Shoya Nakano, Shinsuke Yano, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Asymmetric temporal profile of optical Kerr signal from GaAs/AlAs multilayer with λ/2 phase shift layer, The 8th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter (EXCON2008), Vol.OP-IV-03, Kyoto, June 2008..[著者] ...
閲覧 Toshiyuki Kanbara, Shoya Nakano, Shinsuke Yano, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Time-resolved two-photon absorption measurements of GaAs/AlAs multilayer with λ/2 GaAs layer, 27th Electronic Materials Symposium(EMS27), No.J13, 211, July 2008..[著者] ...
閲覧 Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Fabrication and optical properties of self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs(001) and (113)B substrates, 27th Electronic Materials Symposium(EMS27), No.K9, 235, July 2008..[著者] ...
閲覧 向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットの分子線エピタキシャル成長と光学特性評価, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Ep-05, 2008年8月..[著者] ...
閲覧 神原 敏之, 矢野 慎介, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器構造の作製と二光子吸収特性評価, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-07, 2008年8月..[著者] ...
閲覧 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlGaAs 量子井戸の二光子励起フォトルミネッセンス, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-05, 2008年8月..[著者] ...
閲覧 高橋 朋也, 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs 基板上InAs 量子ドットの分子線エピタキシャル成長とフォトルミネッセンス測定, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Ep-06, 2008年8月..[著者] ...
閲覧 矢野 慎介, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜共振器構造におけるQ値と光カー信号強度, 応用物理学会中国四国支部2008年度支部学術講演会, Vol.Fa-09, 2008年8月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, T. Mukai, T. Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Fast carrier relaxation of self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barriers for ultrafast nonlinear optical switching applications, 15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2008), No.3-V FA1.6, Vancouver, Aug. 2008..[著者] ...
閲覧 高橋 朋也, 向井 拓也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットのMBE成長, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(2a-CF-16), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 神原 敏之, 矢野 慎介, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 二光子共鳴量子井戸を有するGaAs/AlAs 多層膜共振器構造の作製, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-2), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 神原 敏之, 矢野 慎介, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器の非対称時間分解光カー信号, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-3), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 矢野 慎介, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器構造における光カー信号強度の層数依存性, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-4), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 神原 敏之, 矢野 慎介, 森田 健, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器構造の光カー信号強度のQ 値依存性のシミュレーション, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-5), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (001)量子井戸における二光子吸収の光学異方性, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(3a-ZQ-6), 2008年9月..[著者] ...
閲覧 向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットの高速キャリア緩和, 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会(4p-ZQ-16), Vol.Ep-05, 2008年9月..[著者] ...
閲覧 T. Mukai, T. Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Excitation wavelength dependence of carrier relaxation in self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barrier layers, 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2008), Vol.E-1-4, Tsukuba, Sep. 2008..[著者] ...
閲覧 T. Kanbara, S. Nakano, S. Yano, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Enhanced two-photon absorption in a GaAs/AlAs multilayer cavity, 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2008), Vol.E-2-5, Tsukuba, Sep. 2008..[著者] ...
閲覧 T. Takahashi, .T Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Molecular beam epitaxy of self-assembled InAs quantum dots on (001) and (113)B GaAs substrates under a slow growth rate condition, 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2008), Vol.F-5-2, Tsukuba, Sep. 2008..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, T. Kanbara, S. Yano, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities for a short pulse, 35th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2008), Vol.P35, Rust,Germany, Sep. 2008..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Toshiyuki Kanbara, Ken Morita and Toshiro Isu : A GaAs/AlAs Multilayer Cavity with Self-Assembled InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Ultrafast All-Optical Switching Applications, Applied Physics Express, Vol.1, No.9, 092302, 2008..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Nobuyoshi Niki, Ken Morita and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of(11n)-Oriented InGaAs Strained Quantum Wells with Finite Barrier Potential Calculated with Mixing Effects of the Spin-Orbit Split-Off Band, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.47, No.10, 7839-7841, 2008..[著者] ...
閲覧 森田 健, 仁木 伸義, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 二光子励起フォトルミネッセンス分光におけるGaAs/AlGaAs量子井戸の光学異方性, 第19回光物性研究会, Vol.3B-100, 402-405, 2008年12月..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Kanbara Toshiyuki, Yano Shinsuke, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Asymmetric temporal profile of optical Kerr signal from GaAs/AlAs multilayer with /2 phase shift layer, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.1, 137-140, 2009..[著者] ...
閲覧 向所 明里, 向井 拓也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和In0.35Ga0.65As 層に埋め込んだInAs量子ドットの作製とその光学特性, 第29回レーザー学会学術講演会, No.F-10pVI-2, 2009年1月..[著者] ...
閲覧 仁木 伸義, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs量子井戸における二光子吸収の偏光方向異方性, 第29回レーザー学会学術講演会, No.F-10pVI-3, 2009年1月..[著者] ...
閲覧 熊井 亮太, 富田 卓朗, 森田 健, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 井須 俊郎 : 100kHzフェムト秒レーザーを用いた半導体へのナノ周期構造の作製, レーザー学会学術講演会第29回年次大会講演予稿集, Vol.29, 125, 2009年1月..[著者] ...
閲覧 森田 健 : GaAs/AlAs多層膜共振器構造の非線形光学応答, 第2回フロンティア研究センターシンポジウム, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 井須 俊郎, 田中 文也, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘 : 2つの共振器モードを実現するGaAs/AlAs多層膜結合共振器構造, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 田中 文也, 神原 敏之, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造における第二高調波・和周波発生, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 向井 拓也, 高橋 朋也, 向所 明里, 森田 健, 井須 俊郎 : 歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだInAs量子ドットのキャリア緩和におけるドーピング効果, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 向井 拓也, 高橋 朋也, 向所 明里, 森田 健, 井須 俊郎 : 共振器層に過飽和吸収特性を有するGaAs/AlAs多層膜共振器構造, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 高橋 朋也, 神原 敏之, 向井 拓也, 矢野 慎介, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層中のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器における光カー信号, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 高橋 朋也, 向井 拓也, 向所 明里, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器のMBE成長, 第56回応用物理学関係連合講演会, 2009年3月..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Haruki Sanada, Shunichirou Matsuzaka, Yuzo Ohno and Hideo Ohno : Intersubband exchange interaction induced by optically excited electron spins in GaAs/AlGaAs quantum wells, Applied Physics Letters, Vol.94, No.16, 162104, 2009..[著者] ...
閲覧 野村 英矩, 熊井 亮太, 富田 卓朗, 森田 健, 松尾 繁樹, 橋本 修一, 井須 俊郎 : シリコン表面上で生成されるリップル構造のパルス数及びフルエンス依存性, 第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, Vol.56, No.3, 1180, 2009年4月..[著者] ...
閲覧 Takuya Mukai, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Excitation wavelength dependence of carrier relaxation in self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed In0.35Ga0.65As barrier layers, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C106, 2009..[著者] ...
閲覧 Toshiyuki Kanbara, Shoya Nakano, Shinsuke Yano, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Enhanced two-photon absorption in a GaAs/AlAs multilayer cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C105, 2009..[著者] ...
閲覧 Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Photoluminescence Properties of Self-Assembled InAs Quantum Dots Grown on (001) and (113)B GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy under a Slow Growth Rate Condition, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.48, No.4, 04C128, 2009..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Toshiyuk Kanbara, Shinsuke Yano, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities for a short pulse, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.6, No.6, 1420-1423, 2009..[著者] ...
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閲覧 Toshiro Isu, Kanbara Toshiyuki, Takahashi Tomoya, Ken Morita and Takahiro Kitada : Optical Kerr signals of GaAs/AlAs multilayer cavities with two-photon resonant quantum wells in the half-wavelength layer, The 36th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2009), No.p1.15, 123, University of California, Santa Barbara, USA, Sep. 2009..[著者] ...
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閲覧 高橋 朋也, 田中 文也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/Air 多層膜共振器の光カー信号強度のシミュレーション, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-2, 1285, 2009年9月..[著者] ...
閲覧 田中 文也, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs (113)B 結合共振器における和周波信号強度の励起偏光方向依存性, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-6, 1287, 2009年9月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 高橋 朋也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜共振器におけるps パルスを用いた光カー信号のQ 値依存性, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.9p-TH-1, 1285, 2009年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 向井 拓也, 高橋 朋也, 向所 明里, 森田 健, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだSi ドープInAs 量子ドットにおけるキャリア緩和の励起波長依存性, 2009年秋季・第70回応用物理学会学術講演会, No.10p-C-14, 315, 2009年9月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 高橋 朋也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜共振器における光カー信号の励起光強度依存性, 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会, No.10p-C-13, 314, 2009年9月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures for terahertz emission devices, Applied Physics Letters, Vol.95, No.11, 111106, 2009..[著者] ...
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閲覧 Tanaka Fumiya, Takahashi Tomoya, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strong sum frequency generation in a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity grown on a (113)B-oriented GaAs substrate, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2009), Vol.I-9-2, Sendai, Oct. 2009..[著者] ...
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閲覧 北田 貴弘, 高橋 朋也, 森田 健, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットにおける高速キャリア緩和, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.17p-TW-14, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 田中 文也, 高橋 朋也, 滝本 隼主, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 2つの共振器モードを有する(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器の時間分解和周波信号測定, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.17a-TM-22, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 田中 文也, 高橋 朋也, 滝本 隼主, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 2パルスによる(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の和周波・第二高調波スペクトルの遅延時間依存性, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-M-1, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 高橋 朋也, 田中 文也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : ピコ秒パルスを用いたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器構造の光カー信号, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-N-7, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 高橋 朋也, 田中 文也, 張 ミン, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 選択エッチングによるGaAs/Air多層膜共振器構造の作製, 第57回応用物理学関係連合講演会, No.18a-TM-24, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 森田 健 : GaAs/AlAs非結合・結合共振器構造を利用した非線形ダイナミクス, イーグル若手研究会, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 森田 健 : 多層膜結合光共振器構造による周波数混合信号の発生, 第4回フロンティア研究センターシンポジウム, 2010年3月..[著者] ...
閲覧 Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strong Sum Frequency Generation in a GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity Grown on a (113)B-Oriented GaAs Substrate, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DG01, 2010..[著者] ...
閲覧 Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers for Planar-Type Optical Kerr Gate Switches, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.49, No.4, 04DG02, 2010..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strong optical Kerr gate signal in InAs-dot-buried GaAs/AlAs multilayer cavity using a picosecond laser pulse, Quantum Dot 2010, No.p.57, East Midlands Conference Center,Nottingham,UK, April 2010..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu : Excitation Wavelength Dependence of Photocarrier Relaxation in Si-Doped InAs Quantum Dots with Strain-Relaxed InGaAs Barriers, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010), No.FrP15, 377, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, June 2010..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Enhanced Sum-Frequency Generation Signal in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2010), No.FrP18, 379, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan, June 2010..[著者] ...
閲覧 Toshiro Isu, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Toshikazu Takimoto, Ken Morita and Takahiro Kitada : Frequency-M-xing-Signal Generation on a GaAs/AlAs Coupled Multilayer-Cavity, 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processws in Condensed and Nano Materials (EXCON'10), Vol.13O02, Novotel Hotel, Brisbane, Australia, July 2010..[著者] ...
閲覧 Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical anisotropy of sum-frequency generation in a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity, 29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), No.We3-5, 57, July 2010..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Kerr gate switching in InAs-dot-buried GaAs/AlAs multilayer cavity using a wavelength restricted picosecond laser pulse, 29th Electronic Materials Symposium (EMS-29), No.We3-7, 61, July 2010..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Anisotropy of Strongly Enhanced Sum Frequency Generation in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, Applied Physics Express, Vol.3, No.7, 072801, 2010..[著者] ...
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閲覧 上山 日向, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの電気特性, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.15a-ZV-4, 15-058, 2010年9月..[著者] ...
閲覧 田中 文也, 滝本 隼主, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 非対称なGaAs/AlAs多層膜結合共振器の作製とその光学特性, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.16a-NC-7, 14-070, 2010年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 田中 文也, 滝本 隼主, 森田 健, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜結合共振器における非線形分極構造の制御, 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会, No.16a-NC-6, 14-069, 2010年9月..[著者] ...
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閲覧 Fumiya Tanaka, Toshikazu Takimoto, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Time-Resolved Measurements on Sum Frequency Generation Strongly Enhanced in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), No.D-2-1, 61-62, Tokyo, Sep. 2010..[著者] ...
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閲覧 Ken Morita, Tomoya Takahashi, Toshiyuki Kanbara, Shinsuke Yano, Takuya Mukai, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Large optical Kerr signal of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Vol.42, No.10, 2505-2508, 2010..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Novel terahertz emission devices based on efficient optical frequency conversion in GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates, SPIE Photonics West2011, No.OPTO7937-52, The Moscone Center San Francisco, California, USA, Jan. 2011..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Akari Mukaijo, Tomoya Takahashi, Takuya Mukai, Ken Morita and Toshiro Isu : Excitation wavelength dependence of photocarrier relaxation in Si-doped InAs quantum dots with strain-relaxed InGaAs barriers, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.8, No.2, 334-336, 2011..[著者] ...
閲覧 森田 健 : 量子ドットを用いた面型多層膜超高速全光スイッチ, 第5回フロンティア研究センターシンポジウム, 2011年2月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 加藤 翔, 滝本 隼主, 田中 文也, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 多層膜結合共振器構造へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.24a-KF-4, 04-157, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 上山 日向, 高橋 朋也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットの作製とその光学特性, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.24p-BQ-4, 15-061, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 安長 千徳, 上山 日向, 森田 健, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜三結合共振器の面型波長変換素子への応用, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KV-8, 14-041, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 滝本 隼主, 加藤 翔, 田中 文也, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : ウエハ接合により作製したGaAs/AlAs多層膜結合共振器, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.25a-KV-9, 14-042, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 加藤 翔, 滝本 隼主, 田中 文也, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造の二つの共振器モードを利用したテラヘルツ帯差周波発生, 第58回応用物理学関係連合講演会, No.26a-KB-2, 05-106, 2011年3月..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Tomoya Takahashi, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Optical Kerr Signals Markedly Enhanced by Increasing Quality Factor in a GaAs/AlAs Multilayer Cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.4, 04DG02, 2011..[著者] ...
閲覧 Fumiya Tanaka, Toshikazu Takimoto, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Time-Resolved Measurements on Sum-Frequency Generation Strongly Enhanced in (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.4, 04DG03, 2011..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Fumiya Tanaka, Tomoya Takahashi, Ken Morita and Toshiro Isu : Novel terahertz emission devices based on efficient optical frequency conversion in GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures on high-index substrates, Proceedings of SPIE, Vol.7937, (号), 1H-1, 2011..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Toshikazu Takimoto, Shou Katoh, Fumiya Tanaka, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with polarization inverted structure fabricated by wafer-bonding method, The 38th International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS2011), No.P4.102, Berlin, Germany Maritim proArte Hotel, May 2011..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Tomoya Takahashi, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu : Marked reduction in photocarrier lifetime by erbium doping into self-assembled InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, Journal of Crystal Growth, Vol.323, No.1, 241-243, 2011..[著者] ...
閲覧 Takuro Tomita, Ryota Kumai, Hidenori Nomura, Shigeki Matsuo, Shuichi Hashimoto, Ken Morita and Toshiro Isu : Surface roughness assisted 100 kHz femtosecond laser induced nanostructure formation on silicon surface, Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.105, No.1, 89-94, 2011..[著者] ...
閲覧 Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Optical properties of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers for an all-optical switch with a multilayer cavity structure, 第30回電子材料シンホ シ ウム(EMS-30), No.Th1-8, 2011年6月..[著者] ...
閲覧 Syo Katoh, Toshikazu Takimoto, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Terahertz Difference-frequency Generation of two cavity modes in a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity, 第30回電子材料シンホ シ ウム(EMS-30), No.Th1-17, 2011年6月..[著者] ...
閲覧 安長 千徳, 上山 日向, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs 多層膜三結合共振器構造を用いた四光波混合による波長変換素子, 2011年度応用物理学会中国四国支部学術講演会, No.Bp2-1, 2011年7月..[著者] ...
閲覧 張 ミン, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/Air 微小光共振器構造の選択エッチングによる作製, 2011年度応用物理学会中国四国支部学術講演会, No.Ea2-4, 2011年7月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 滝本 隼主, 加藤 翔, 森田 健, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs結合共振器に生じる非線形分極とテラヘルツ帯差周波発生, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31a-F-6, 04-135, 2011年8月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 加藤 翔, 滝本 隼主, 田中 文也, 中河 義典, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs結合共振器における二つの共振器モードを利用したテラヘルツ帯差周波発生, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31a-F-7, 04-136, 2011年8月..[著者] ...
閲覧 滝本 隼主, 加藤 翔, 田中 文也, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs多層膜結合共振器のテラヘルツ帯差周波発生の分極反転効果, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-6, 14-037, 2011年8月..[著者] ...
閲覧 張 ミン, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 超高速光スイッチに向けたGaAs/Air 共振器構造の作製, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-5, 14-036, 2011年8月..[著者] ...
閲覧 安長 千徳, 上山 日向, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 波長変換機能を実現するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器中の非線形分極, 第72回応用物理学会学術講演会, No.31p-P16-4, 14-035, 2011年8月..[著者] ...
閲覧 上山 日向, 高橋 朋也, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器の作製と光学特性, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1a-ZA-15, 15-108, 2011年9月..[著者] ...
閲覧 加藤 翔, 滝本 隼主, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造におけるテラヘルツ帯差周波信号の励起偏光方向依存性, 第72回応用物理学会学術講演会, No.1p-ZN-4, 05-073, 2011年9月..[著者] ...
閲覧 Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz radiation from a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity by ultrashort laser pulse excitation, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), No.I-4-2, Nagoya, Sep. 2011..[著者] ...
閲覧 Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), No.I-5-1, Nagoya, Sep. 2011..[著者] ...
閲覧 井須 俊郎, 北田 貴弘, 森田 健 : 半導体多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ波発生素子, 学振第182委員会第11回研究会 (テラヘルツ波科学技術と産業開拓委員会), (号), (頁), 2011年10月..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Fumiya Tanaka, Yoshinori Nakagawa, Shingo Saito, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Generation of Terahertz Radiation from Two Cavity Modes of a GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity, Applied Physics Express, Vol.4, No.10, 102102, 2011..[著者] ...
閲覧 井須 俊郎, 北田 貴弘, 森田 健, 中河 義典 : GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ発光素子, (社)レ-ザー学会学術講演会第32回年次大会, No.F-431pIV01, 169, 2012年1月..[著者] ...
閲覧 井須 俊郎, 北田 貴弘, 森田 健 : 半導体多層膜結合共振器構造によるテラヘルツ波発生, 第7回宇宙用高感度赤外センサ研究会, (号), (頁), 2012年2月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 上山 日向, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による超高速全光スイッチ, 光エレクトロニクス研究会(OPE), Vol.111, No.448-449, 31-34, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 上山 日向, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを1層有するGaAs/AlAs多層膜共振器のMBE成長, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, No.16p-A8-8, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 滝本 隼主, 加藤 翔, 森田 健, 井須 俊郎 : 超短パルス光照射によるGaAs/AlAs結合共振器からのテラヘル帯差周波発生とそのシミュレーション, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, No.16p-GP6-10, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 上山 日向, 安長 千徳, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜共振器の四光波混合信号測定, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, No.17a-E1-7, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 滝本 隼主, 加藤 翔, 中河 義典, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 分極反転したGaAs/AlAs結合共振器によるテラヘルツ帯差周波発生, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, No.18a-E8-11, 2012年3月..[著者] ...
閲覧 Hyuga Ueyama, Tomoya Takahashi, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : A GaAs/AlAs Multilayer Cavity with Er-Doped InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed InGaAs Barriers for Ultrafast All-Optical Switches, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.4, 04DG06, 2012..[著者] ...
閲覧 Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz Radiation from a (113)B GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity by Ultrashort Laser Pulse Excitation, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.51, No.4, 04DG05, 2012..[著者] ...
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閲覧 安長 千徳, 上山 日向, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : InAs量子ドット共振器による四光波混合信号の増強, 応用物理学会学中国四国支部2012 年度支部学術講演会, No.Cp-4, 2012年7月..[著者] ...
閲覧 小松 秀士, 張 ミン, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜光共振器の反射率スペクトル測定, 応用物理学会学中国四国支部2012 年度支部学術講演会, No.Cp-3, 2012年7月..[著者] ...
閲覧 森田 健 : 半導体結合共振器による面型テラヘルツ波発生素子, 和歌山大学-徳島大学 光・ナノテクノロジー研究会, 2012年8月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 上山 日向, 森田 健, 井須 俊郎 : 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs 量子ドットにおける超高速キャリア緩和の励起波長依存性, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.11p-F1-1, 2012年9月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 北田 貴弘, 赤羽 浩一, 井須 俊郎 : 通信波長帯多重積層InAs 量子ドット中のスピン緩和, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.11p-F1-2, 2012年9月..[著者] ...
閲覧 安長 千徳, 上山 日向, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 波長変換機能を実現するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号の時間分解測定, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12a-F1-2, 2012年9月..[著者] ...
閲覧 加藤 翔, 安長 千徳, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (113)B GaAs基板上に作製した歪緩和In0.45Ga0.55Asバリア層に埋め込んだInAs量子ドット, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12a-J-9, 2012年9月..[著者] ...
閲覧 富田 卓朗, 尾崎 信彦, 菅野 智士, 江山 剛史, 高吉 翔大, 森田 健, 井須 俊郎 : GaAs/AlGaAs多重量子井戸におけるフェムト秒レーザーアブレーション, 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会, No.12p-PA4-6, 2012年9月..[著者] ...
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閲覧 Ken Morita, Hyuga Ueyama, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast alloptical switches, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012), No.A-6-4, Kyoto, Sep. 2012..[著者] ...
閲覧 S Katoh, Y Yasunaga, Y Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs barriers on (113)B GaAs substrates, International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.P2-084, Brisbane,Austraria, Oct. 2012..[著者] ...
閲覧 Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Four-wave mixing signal measurements of GaAs/AlAs multilayer cavity with InAs QDs embedded in strain-relaxed barriers, International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials(ICEAN2012), No.P2-105, Brisbane,Austraria, Oct. 2012..[著者] ...
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閲覧 小松 秀士, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造の反射率面内分布, 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, No.30a-G20-12, 2013年3月..[著者] ...
閲覧 Yukinori Yasunaga, Hyuga Ueyama, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Strongly Enhanced Four-Wave Mixing Signal from GaAs/AlAs Cavity with InAs Quanynm Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, No.4, 04CG09, 2013..[著者] ...
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閲覧 Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Terahertz Waveforms Generated by Second-Order Nonlinear Polarization in GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities Using Ultrashort Laser Pulses, IEEE Photonics Journal, Vol.5, No.3, 6500308, 2013..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Sho Katoh, Toshikazu Takimoto, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Terahertz emission from a GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with nonlinear optical susceptibility inversion, Applied Physics Letters, Vol.102, No.25, 251118, 2013..[著者] ...
閲覧 Hidetada Komatsu, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Clear observation of cavity mode of GaAs/air multilayer structure, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-3, 2013年7月..[著者] ...
閲覧 Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Two-color lasing from wafer-bonded GaAs/AlAs coupled multilayer cavity by optical pumping, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-4, 2013年7月..[著者] ...
閲覧 Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Terahertz emission from a (113)B GaAs/AlAs coupled multilayer cavity with self-assembled InAs quantum dots, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.We2-8, 2013年7月..[著者] ...
閲覧 Sho Katoh, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Optical properties of InAs QDs embedded in strain-relaxed InGaAs barriers on (113)B GaAs substrate, 第32回電子材料シンポジウム(EMS-32), No.Fr1-3, 2013年7月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Hyuga Ueyama, Ken Morita and Toshiro Isu : Ultrafast photocarrier relaxation processes in Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed InGaAs barriers, Journal of Crystal Growth, Vol.378, (号), 485-488, 2013..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Wavelength conversion via four-wave mixing in a triple-coupled multilayer cavity, Applied Physics Letters, Vol.103, No.10, 101109, 2013..[著者] ...
閲覧 大柄根 斉宣, 加藤 翔, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : (113)B基板上のInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs結合共振器へのフェムト秒パルス照射によるテラヘルツ帯差周波発生, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-D6-13, 2013年9月..[著者] ...
閲覧 原山 千穂, 加藤 翔, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : InAs量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器のウエハ直接結合による作製と光学特性評価, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-D6-14, 2013年9月..[著者] ...
閲覧 小松 秀士, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 微小開口部アレイからの選択エッチングにより作製したGaAs/Air多層膜共振器構造, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19a-D6-4, 2013年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 安長 千徳, 中河 義典, 森田 健, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs三結合共振器への波長帯域制限したパルス光照射による四光波混合信号光のスペクトル形状, 2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会, No.19a-D6-3, 2013年9月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Four-wave mixing in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity for novel ultrafast wavelength conversion devices, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), No.K-5-3, Fukuoka, Sep. 2013..[著者] ...
閲覧 Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavity by Wafer-Bonding for Two-Color Emission Devices, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), No.K-4-4, Fukuoka, Sep. 2013..[著者] ...
閲覧 井須 俊郎, 北田 貴弘, 森田 健, 盧 翔孟, 中河 義典 : 半導体多層膜結合共振器構造の非線形光学応答とそのデバイス応用, 第9回量子ナノ材料セミナー, (巻), (号), (頁), 2013年11月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Chiho Harayama, Ken Morita and Toshiro Isu : Two-color lasing in a coupled multilayer cavity with InAs quantum dots by optical pumping, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.10, No.11, 1434-1437, 2013..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita and Toshiro Isu : Four-wave mixing in a GaAs/AlAs triple-coupled multilayer cavity for novel ultrafast wavelength conversion devices, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.4S, 04EG03, 2014..[著者] ...
閲覧 Chiho Harayama, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Wafer-bonded coupled multilayer cavity with InAs quantum dots for two-color emission, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, No.4S, 04EG11, 2014..[著者] ...
閲覧 大柄根 斉宣, 安長 千徳, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 超高速波長変換素子に向けたInAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の作製, 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, No.17a-E15-3, 2014年3月..[著者] ...
閲覧 森田 健, 小田 達也, 石谷 善博, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 通信波長帯InGaAs量子井戸中のスピン緩和, 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会, No.18a-E15-3, 2014年3月..[著者] ...
閲覧 Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for novel ultrafast wavelength conversion devices, 第33回電子材料シンポジウム(EMS-33), No.Fr1-15, 2014年7月..[著者] ...
閲覧 Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz Emission from a Coupled Multilayer Cavity with InAs Quantum Dots, The 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2014), No.TuA2-2, Flagstaff, Arizona, Sep. 2014..[著者] ...
閲覧 Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots for an ultrafast wavelength conversion device via the four-wave-mixing, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), No.PS-7-7, Tsukuba, Sep. 2014..[著者] ...
閲覧 大柄根 斉宣, 安長 千徳, 中河 義典, 森田 健, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号測定, 2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.18p-A27-3, 2014年9月..[著者] ...
閲覧 森田 健, Ryota Kurosawa, Tatsuya Oda, Yoshihiro Ishitani, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : Room temperature spin relaxation in InGaAs quantum wells, 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会, No.19P-S2-11, 2014年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 井須 俊郎, 森田 健 : ウエハ接合による結合共振器の作製とテラヘルツ波発生素子への応用, 第5回集積光デバイス技術研究会(IPDA), (号), 2014年12月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 原山 千穂, 森田 健, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 井須 俊郎 : テラヘルツLED, LED総合フォーラム2014-2015, (号), (頁), 2015年1月..[著者] ...
閲覧 Masanori Ogarane, Yukinori Yasunaga, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Four-wave mixing in GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.54, 04DG05, 2015..[著者] ...
閲覧 Masanori Ogarane, Sho Katoh, Yoshinori Nakagawa, Ken Morita, Takahiro Kitada and Toshiro Isu : Terahertz emission from a coupled multilayer cavity with InAs quantum dots, Journal of Crystal Growth, Vol.425, 303-306, 2015..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Masanori Ogarane, Toshiaki Takamoto, Naoto Kumagai, Xiangmeng Lu, Ken Morita and Toshiro Isu : Enhancement of Terahertz Emission from GaAs/AlAs Coupled Multilayer Cavities by InAs Quantum Dots on (113)B-Oriented Substrates, The Second International Symposium on Frontiers in THz Technology (FTT2015), No.Pos1.24, Hamamatsu, Aug. 2015..[著者] ...
閲覧 森田 健, 奥村 朗人, 石谷 善博, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 時間分解ファラデー回転法によるInGaAs/InAlAs多重量子井戸における電子g因子測定, 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会, No.19p-W241-8, 2016年3月..[著者] ...
閲覧 高岩 悠, 森田 健, 石谷 善博, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : InGaAs/InAlAs(001)多重量子井戸中の電子スピン緩和時間の外部光照射強度依存性, 2016年度 第77回応用物理学会秋季学術講演会, No.14p-C41-11, 2016年9月..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Haruka Takaiwa, Takahiro Kitada and Yoshihiro Ishitani : Influence of the above-barrier illumination on spin relaxation time of InGaAs/InAlAs multiple quantum wells, 9th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology(SpinTECH ), No.B86, Fukuoka, June 2017..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入による室温ニ波長レーザー発振, 2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ep-6-P80, 2017年7月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InAs量子ドットをもつGaAs結合共振器からの電流注入によるレーザー発振, 2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, Vol.Ep-7-P81, 2017年7月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸をもつGaAs結合共振器からの電流注入による2波長レーザー発振, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-A405-11, 2017年9月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 : 高指数面上の副格子交換エピタキシーと面発光テラヘルツ素子, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8p-A203-1, 2017年9月..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, Haruka Takaiwa, Kohei Kawaguchi, Takahiro Kitada and Yoshihiro Ishitani : Spin relaxation time anisotropy of in-plane magnetic fields in InGaAs/InAlAs multiple quantum wells, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-A413-10, Sep. 2017..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Ken Morita : Room-Temperature Two-Color Lasing by Current Injection into a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity Fabricated by Wafer Bonding, 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017), Vol.57, No.4, G-3-07, Sendai, Sep. 2017..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : ウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による室温二波長レーザ発振, 電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会, Vol.117, No.406, OPE2017-118-P9-14, 2018年1月..[著者] ...
閲覧 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : テラヘルツLEDを実現するガリウムヒ素系結合共振器の室温赤外二波長レーザ発振, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成29年度第1回講演会・見学会 (平成29年度徳島大学日亜寄附講座研究交流会), P2, 2018年1月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs系の多層膜結合共振器を使ったテラヘルツLEDの研究開発, LED総合フォーラム2018 in 徳島, No.P-4, 83-88, 2018年2月..[著者] ...
閲覧 Takahiro Kitada, Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai and Ken Morita : Room-temperature two-color lasing by current injection into a GaAs/AlGaAs coupled multilayer cavity fabricated by wafer bonding, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.4S, 04FH03, 2018..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸を活性層とする結合共振器への電流注入によるニ波長レーザの温度特性, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 19p-C301-11, 2018年3月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : InGaAs量子井戸をもつGaAs結合共振器からの電流注入による室温での2波長レーザーの時間特性, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20p-A402-12, 2018年3月..[著者] ...
閲覧 川口 晃平, 深澤 俊樹, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健 : 波長切り出し系を利用した通信波長帯スピン時空間ダイナミクス計測, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20p-D104-6, 2018年3月..[著者] ...
閲覧 Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Simultaneous Oscillation of Two-Color Laser Lights from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity, The Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO 2018), JTu2A.20, San Jose, California, USA, May 2018..[著者] ...
閲覧 Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Temperature Tuning of Two-Color Lasing Using a Coupled GaAs/AlGaAs Multilayer Cavity by Current Injection, The Compound Semiconductor Week 2018 (CSW2018),, We2A2.4, Massachusetts Institute of Technology Cambridge, MA, USA,, May 2018..[著者] ...
閲覧 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs/AlGaAs結合共振器による二波長面発光レーザの時間分解スペクトル測定, 2018年度 応用物理・物理系学会 中国四国支部 合同学術講演会, Vol.Fa-5, 98, 2018年8月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 : 半導体多層膜結合共振器による赤外二波長レーザー発振, 2018年電子情報通信学会ソサイエティ大会, No.C-4-19, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 小楠 洸太朗, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による二波長発振の動的振る舞いの温度依存性, 2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 18a-232-6, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 川口 晃平, 深澤 俊樹, 志田 博貴, 齋藤 康人, 北田 貴弘, 石谷 善博, 森田 健 : InGaAs量子井戸中の拡散電子スピンに作用する内部有効磁場, 2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会, 21p-131-5, 2018年9月..[著者] ...
閲覧 Yasuo Minami, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Time Resolved Measurement of Two-Color Laser Lights Emitted from a GaAs/AlGaAs Coupled Multilayer Cavity, 23rd Microoptics Conference (MOC 2018), No.H-4, Taipei, Taiwan,, Oct. 2018..[著者] ...
閲覧 森田 健, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎 : 半導体結合共振器を利用したテラヘルツ波発生, テラヘルツ科学の最先端V, (巻), (号), Inv5, 2018年12月..[著者] ...
閲覧 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健, 北田 貴弘 : GaAs系の多層膜結合共振器を使ったテラヘルツLEDの作製を目指した基礎的研究, LED総合フォーラム2019 in 徳島, (巻), No.P-16, 89-92, 2019年2月..[著者] ...
閲覧 盧 翔孟, 小楠 洸太朗, 髙橋 美沙, 合田 剛史, 熊谷 直人, 森田 健, 南 康夫, 北田 貴弘 : (113)B GaAsウエハ接合で作製したGaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入によるレーザ発振, 2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 10p-PB4-7, 2019年3月..[著者] ...
閲覧 中山 政裕, 菅野 裕吾, 石谷 善博, 北田 貴弘, 森田 健 : 小型フーリエ変換赤外分光装置の製作と測定法の確立, 2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, 11p-PA7-25, 2019年3月..[著者] ...
閲覧 志田 博貴, 川口 晃平, 高澤 一朗太, 齋藤 康人, 北田 貴弘, 好田 誠, 石谷 善博, 森田 健 : 空間スキャン法によるInGaAs量子井戸スピン軌道相互作用係数の導出, 2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会, (巻), (号), 12a-M101-8, 2019年3月..[著者] ...
閲覧 Ken Morita, A. Okumura, H. Takaiwa, I Takazawa, T. Oda, Takahiro Kitada, M. Kohda and Y. Ishitani : Temperature and laser energy dependence of the electron g-factor in intrinsic InGaAs/InAlAs multiple quantum wells, Applied Physics Letters, Vol.115, 012404, 2019..[著者] ...
閲覧 Yasuo Minami, Kotaro Ogusu, Xiangmeng Lu, Naoto Kumagai, Ken Morita and Takahiro Kitada : Time-resolved measurements of two-color laser light emitted from GaAs/AlGaAs-coupled multilayer cavity, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.58, No.SJ, SJJC03, 2019..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 南 康夫, 盧 翔孟, 熊谷 直人, 森田 健 : 半導体結合共振器による面発光テラヘルツ素子, 光学, Vol.48, No.7, 274-280, 2019年7月..[著者] ...
閲覧 北田 貴弘, 盧 翔孟, 南 康夫, 熊谷 直人, 森田 健 : 高指数面上の副格子交換エピタキシーと面型非線形光デバイス, 材料, Vol.68, No.10, 739-744, 2019年10月..[著者] ...
閲覧 Kohei Kawaguchi, Toshiki Fukasawa, Ichirota Takazawa, Hiroki Shida, Yasuhito Saito, Daisuke Iizasa, Takahito Saito, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani, Makoto Kohda and Ken Morita : Transient diffusive spin dynamics in intrinsic InGaAs/InAlAs multiple quantum wells, Applied Physics Letters, Vol.115, 172406, 2019..[著者] ...
閲覧 Hiroki Shida, Kohei Kawaguchi, Yasuhito Saito, Ichirota Takazawa, Toshiki Fukasawa, Daisuke Iizasa, Takahito Saito, Takahiro Kitada, Yoshihiro Ishitani, Makoto Kohda and Ken Morita : Spin-orbit parameters derivation using single-frequency analysis of InGaAs multiple quantum wells in transient spin dynamics regime, Journal of Applied Physics, Vol.127, (号), 153901, 2020..[著者] ...

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