『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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PERM=閲覧 徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座 (2006年4月1日〜) または
閲覧 徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座 (->組織[徳島大学.先端技術科学教育部.システム創生工学専攻.電気電子創生工学コース.物性デバイス講座])

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抽出結果のリスト

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閲覧 金子 悠祐, 小林 利成, 村井 寛幸, 宮本 佳典, 富永 喜久雄, 村井 啓一郎, 森賀 俊広 : RFスパッタリング法によるTiO2薄膜の作製とその評価, 化学工学会 徳島大会, 2006年10月..[組織] ...
閲覧 金子 悠祐, 小林 利成, 村井 寛幸, 宮本 佳典, 富永 喜久雄, 村井 啓一郎, 森賀 俊広 : RFスパッタリング法により作製したTiO2:NbおよびTiO2:Ta薄膜の熱処理効果, 第54回応用物理学関連連合講演会, 2007年3月..[組織] ...
閲覧 瀧田 啓介, 渡邊 隆之, 下村 幸司, 富永 喜久雄, 村井 啓一郎, 森賀 俊広 : PC基板上に製膜した酸化亜鉛-酸化インジウム系アモルファス薄膜へのAlドーピングによる特性向上, 第46回セラミックス基礎科学討論会, 2008年1月..[組織] ...
閲覧 坂本 晃彦, 富永 喜久雄, 下村 幸司, 植野 貴大, 瀧田 啓介, 渡邊 隆之, 森賀 俊広, 中林 一朗 : In2O3-ZnO系酸化物透明導電膜へのGa2O3添加の影響, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[組織] ...
閲覧 續木 貴志, 富永 喜久雄, 井上 研一, 三河 通男, 森賀 俊広, 中林 一朗 : PLD法によるIn-Ga-Zn系酸化物透明導電性薄膜, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[組織] ...
閲覧 Toshihiro Moriga, Koji Shimomura, Daisuke Takada, Hiroshi Suketa, Keisuke Takita, Kei-ichiro Murai and Kikuo Tominaga : In2O3-ZnO transparent conductive oxide film deposition on polycarbonate substrates, Vacuum, Vol.83, No.3, 557-560, 2008..[組織] ...
閲覧 Kikuo Tominaga, Daisuke Takada, Koji Shimomura, Hiroshi Suketa, Keisuke Takita, Kei-ichiro Murai and Toshihiro Moriga : Influence of Ga2O3 addition on transparent conductive oxide films of In2O3-ZnO, Vacuum, Vol.83, No.3, 561-563, 2008..[組織] ...
閲覧 Kenichi Inoue, Kikuo Tominaga, Takashi Tsuduki, Michio Mikawa and Toshihiro Moriga : The properties of transparent conductive In-Ga-Zn oxide films produced by pulsed laser deposition, Vacuum, Vol.83, No.3, 552-556, 2008..[組織] ...
閲覧 渡邊 隆之, 丸尾 洋一, 坂本 晃彦, 植野 貴大, 河村 亮輔, 富永 喜久雄, 村井 啓一郎, 森賀 俊広 : 対向ターゲット式DCマグネトロンスパッタリング法によりPET基板上に作製した酸化亜鉛-酸化インジウム系透明導電膜, 第47回セラミックス基礎科学討論会, 2009年1月..[組織] ...
閲覧 Kikuo Tominaga, Takashi Tsuzuki, Takayuki Maruyama, Michio Mikawa and Toshihiro Moriga : Properties of Amorphous Transparent Conductive In-Ga-Zn Oxide Films Deposited on Fused Quartz by PLD Method, e-Journal of Surface Science and Nanotechnology, Vol.7, 273-276, 2009..[組織] ...
閲覧 大森 悠丘, 丸尾 洋一, 村井 啓一郎, 富永 喜久雄, 森賀 俊広 : 対向ターゲット式DCスパッタリング装置を用い電流比を変化させて作製したIZO薄膜の特性, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2010年度支部学術講演会, 2010年7月..[組織] ...
閲覧 加藤 保洋, 中内 潤, 西野 克志, 月原 政志, 酒井 士郎 : 昇華法によるバルクAlNの成長, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-3, 2010年9月..[組織] ...
閲覧 Yusuke Takidani, Kazuki Morimoto, Kenta Kondo, Tomoyuki Ueki, Takuro Tomita, Yasuhiro Tanaka and Tatsuya Okada : Low-Temperature Diffusion at Ni/SiC Interface with the Aid of Femtosecond Laser-Induced Strain, Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.10, No.3, 314-319, 2015..[組織] ...
閲覧 板東 洋太, 竹中 一将, 滝谷 悠介, 田中 康弘, 中島 信一, 岡田 達也, 富田 卓朗 : 極薄SiCにおけるラマンスペクトルの極性面依存性, 2016年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, (巻), (号), 44, 2016年7月..[組織] ...
閲覧 板東 洋太, 滝谷 悠介, 田中 康弘, 中島 信一, 岡田 達也, 富田 卓朗 : 極薄SiCにおけるラマンスペクトルの極性面及び膜厚依存性, 第27回光物性研究会論文集, Vol.27, 19-22, 2016年12月..[組織] ...
閲覧 Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Yuki Masai, Yota Bando and Yasuhiro Tanaka : Femtosecond laser-induced modification at aluminum/diamond interface, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.56, No.2, 026601-1-026601-5, 2017..[組織] ...
閲覧 二村 大, 川上 博貴, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘 : ダイヤモンド単結晶表面におけるフェムト秒レーザ照射誘起改質, 2017年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演概要集, (巻), (号), 55, 2017年7月..[組織] ...
閲覧 二村 大, 川上 博貴, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘 : ダイヤモンド単結晶表面へのフェムト秒レーザ照射による改質導入, 日本金属学会第57回中国四国支部講演大会講演概要集, (巻), (号), A21, 2017年8月..[組織] ...
閲覧 二村 大, 川上 博貴, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也, 田中 康弘 : フェムト秒レーザ照射によるダイヤモンド単結晶表面への改質導入とアニールに伴う変化, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, (巻), (号), 7p-S45-12, 2017年9月..[組織] ...
閲覧 Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Takuya Hashimoto, Hiroki Kawakami, Yuki Fuchikami, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka : Low-temperature diffusion assisted by femtosecond laser-induced modifications at Ni/SiC interface, Applied Physics Express, Vol.11, No.1, 016502-1-016502-4, 2018..[組織] ...
閲覧 Ryo Hiramura and Katsushi Nishino : Crystal Growth of Gallium Oxide by Direct Synthesis Method, 4th International Forum on Advanced Technologies, (巻), (号), (頁), Tokushima, March 2018..[組織] ...
閲覧 Takaya Shimada and Katsushi Nishino : Characterization of dislocations in sublimation-grown AlN crystals, 4th International Forum on Advanced Technologies, (巻), (号), (頁), Tokushima, March 2018..[組織] ...
閲覧 Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Tomoyuki Ueki, Takuya Hashimoto, Yuki Fuchikami, Hiroyuki Katayama, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka : Femtosecond-laser-induced modifications on a 4H-SiC surface and their application to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.57, No.11, 116501-1-116501-7, 2018..[組織] ...
閲覧 Tatsuya Okada, Takuro Tomita, Hiroyuki Katayama, Yuki Fuchikami, Tomoyuki Ueki, Hiromu Hisazawa and Yasuhiro Tanaka : Local melting of Au/Ni thin films irradiated by femtosecond laser through GaN, Applied Physics. A, Materials Science & Processing, Vol.125, No.10, 690-1-690-6, 2019..[組織] ...

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