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PERM=閲覧 徳島大学.大学院ソシオテクノサイエンス研究部.先進物質材料部門.量子物質科学 (2006年4月1日〜2016年3月31日)

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閲覧 月原 政志, 住吉 和英, 閻 発旺, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 高品質AlGaNへ向けての低温成長AlGaN層の検討, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 274, 2005年9月..[組織] ...
閲覧 直井 美貴, 中村 晃啓, 小野 耕大, 酒井 士郎, 木村 真大, 納田 卓 : p-AlGaN/GaN 超格子構造における不純物ドーピングによる混晶化, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 279, 2005年9月..[組織] ...
閲覧 住吉 和英, 月原 政志, 河道 修一, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 低温GaNPバッファー層を用いた加工サファイア基板上のAlGaN MOCVD成長, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 269, 2005年9月..[組織] ...
閲覧 閻 発旺, 住吉 和英, 月原 政志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : MOCVD法によるサファイア基板上へのSb添加AlNの成長, 第66回応用物理学会学術振興会講演予稿集, 269, 2005年9月..[組織] ...
閲覧 山本 真美子, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス法によるBP結晶成長, 電気関係学会四国支部連合大会, 151, 2005年9月..[組織] ...
閲覧 河道 修一, 住吉 和英, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価, 電気関係学会四国支部連合大会, 150, 2005年9月..[組織] ...
閲覧 沖本 聖, 月原 政志, 住吉 和英, 直井 美貴, 酒井 士郎 : AlGaN-MOCVD成長における GaNPバッファ層の効果, 電気関係学会四国支部連合大会, 149, 2005年9月..[組織] ...
閲覧 住吉 和英, 酒井 士郎, 直井 美貴, 西野 克志 : 窒化物半導体と紫外発光デバイス, 第7回IEEE広島支部学生シンポジウム(HISS), 2005年11月..[組織] ...
閲覧 山本 真美子, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス成長BP結晶上へのGaN成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.22, 346, 2006年3月..[組織] ...
閲覧 住吉 和英, 月原 政志, 沖本 聖, 河道 修一, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl0.17Ga0.83N MOCVD成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, 378, 2006年3月..[組織] ...
閲覧 池田 賢司, Choi Rak-Jun, 福本 哲也, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎, Lee Min Soo, 小池 正好 : AlInN-buffer層上のALEによるa面GaNの高品質化, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.26, 401, 2006年3月..[組織] ...
閲覧 R.J. Choi, Shiro Sakai, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, M. Koike and S.M. Lee : Efficient non-polar a-plane light-emitting-diodes grown using AlInNbuffer and intermediate layer, 6th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Montpellier, May 2006..[組織] ...
閲覧 K. Sumiyoshi, M. Tsukihara, K. Kataoka, S. Kawamichi, T. Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Al0.17Ga0.83N film with middle temperature intermediate layer grown on trenched sapphire substrate by MOCVD, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006..[組織] ...
閲覧 K. Ikeda, R.J. Choi, T. Fukumoto, K. Ono, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Visible light emitting diode using a-plane GaN on r-sapphire substrate with an InAlN buffer layer and a high temperature atomic layer epitaxy, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006..[組織] ...
閲覧 S. Kawamichi, Katsushi Nishino, K. Sumiyoshi, M. Tsukihara and Shiro Sakai : Inversion domains in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006..[組織] ...
閲覧 M. Tsukihara, K. Sumiyoshi, T. Okimoto, K. Kataoka, S. Kawamichi, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Effect of middletemperature intermediate layer on crystal quality of AlGaN grown on sapphire substrates by metal organic chemical vapor deposition, First International Symposium on Growth of III-Nitrides, Linkoping, June 2006..[組織] ...
閲覧 F.W. Yan, Yoshiki Naoi, M. Tsukihara, S. Kawamichi, T. Yadani, K. Sumiyoshi and Shiro Sakai : Diffusion effect-induced InNAs films growth on GaAs(100) substrates by MOCVD, Physica B : Condensed Matter, Vol.376-377, 595-597, 2006..[組織] ...
閲覧 濱 敬重, 南部 紗織, 沖本 聖, 月原 政志, 片岡 研, 住吉 和英, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 高Al組成窒化物系UV-LED用Ni/Au系透明電極の解析, 応用物理学会中国四国支部,日本物理学会中国支部・四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 137, 2006年7月..[組織] ...
閲覧 沖本 聖, 月原 政志, 住吉 和英, 片岡 研, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎, 酒井 士郎 : 低温成長層の導入によるAlGaNの高品質化, 応用物理学会中国四国支部,日本物理学会中国支部・四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 142, 2006年7月..[組織] ...
閲覧 住吉 和英, 月原 政志, 片岡 研, 沖本 聖, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 低温中間層による凸凹サファイア基板上Al0.17Ga0.83NのMOCVD, 応用物理学会中国四国支部,日本物理学会中国支部・四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 143, 2006年7月..[組織] ...
閲覧 仁木 貴敏, 月原 政志, 沖本 聖, 住吉 和英, 片岡 研, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 中間温度成長AlGaN層と多重量子井戸(MQW)層によるMOCVD成長AlGaN中の転位低減, 応用物理学会中国四国支部,日本物理学会中国支部・四国支部,日本物理教育学会四国連絡会議2006年度支部学術講演会講演予稿集, 144, 2006年7月..[組織] ...
閲覧 西野 克志, 坂本 旭, 酒井 士郎 : 直接合成法によるr面サファイア上へのバルクa-GaN成長, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月..[組織] ...
閲覧 西野 克志, 宮村 高史, 酒井 士郎 : TMA添加直接合成法によるバルクAlGaNの結晶成長, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月..[組織] ...
閲覧 池田 賢司, Rakjun Choi, 福本 哲也, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎, 小池 正好, S.M. Lee : a面成長InGaN/GaN LEDにおけるInGaN活性層の解析, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月..[組織] ...
閲覧 片岡 研, 沖本 聖, 仁木 貴敏, 住吉 和英, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : SiNを用いたAlInGaN系紫外LED高出力化の検討, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年9月..[組織] ...
閲覧 濱 敬重, 小野 耕大, 池田 賢司, Rakjun Choi, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎, S.M. Lee, 小池 正好 : a面バルクGaNおよびr面サファイア上a面GaNに作製した青色発光ダイオード, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年9月..[組織] ...
閲覧 Yoshiki Naoi, K. Ono, K. Ikeda, R.J. Choi, T. Fukumoto, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, M. Koike and S.M. Lee : Blue light emitting diode fabricated on a-plane GaN film over r-sapphire substrate and on a-plane bulk GaN substrate, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006..[組織] ...
閲覧 Yoshiki Naoi, K. Ikeda, T. Hama, R.J. Choi, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, M. Koike and S.M. Lee : Investigation of InGaN films on a-plane GaN grown by metal organic chemical vapor deposition technique, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006..[組織] ...
閲覧 Katsushi Nishino, A. Sakamoto and Shiro Sakai : Growth of Thick a-plane GaN on r-plane Sapphire by Direct Synthesis Method, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006..[組織] ...
閲覧 K. Sumiyoshi, M. Tsukihara, K. Kataoka, S. Kawamichi, T. Okimoto, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Al0.17Ga0.83N Film Using Middle-Temperature Intermediate Layer Grown on (0001) Sapphire Substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.46, No.2, 491-495, 2007..[組織] ...
閲覧 K. Ikeda, R. Matsuoka, T. Hama, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, M. Koike and S.M. Lee : An a-GaN and an a-InGaN on r-Sapphire by Relatively High Temperature Metal organic Chemical Vapor Deposition, The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Jeonju, March 2007..[組織] ...
閲覧 松岡 遼, 池田 賢司, 濱 敬重, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎, Rakjun Choi, S.M. Lee, 小池 正好 : MOCVDにより直接高温成長した高品質a面GaN・InGaN結晶成長, 第54回応用物理学会学術講演会, 2007年3月..[組織] ...
閲覧 M Yamamoto, Y Hamazaki, M Tsukihara, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Growth of AlN and GaN by metalorganic chemical vapor deposition on BP synthesized by flux method, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.46, No.14, L323-L325, 2007..[組織] ...
閲覧 R Matsuoka, K Ikeda, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : Chracterization of a-plane MOCVD-grown GaN on off-angle r-plane sapphire substrates, 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26), Vol.E12, July 2007..[組織] ...
閲覧 K Kataoka, M Tsukihara, T Niki, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : The segragation and saturation phenomena of Mg concentration in AlGaN, 26th Electronic Materials Symposium (EMS-26), Vol.H7, July 2007..[組織] ...
閲覧 平野 宏, 若松 美幸, 中村 浩一, 道廣 嘉隆, 森賀 俊広 : LiCoO2のメカニカルミリング法による構造変化と電気伝導度, 日本物理学会 中国支部・四国支部 応用物理学会 中国四国支部 日本物理教育学会 中国四国支部 2007年度支部学術講演会, 2007年8月..[組織] ...
閲覧 遠野 充明, 沖本 聖, 加藤 篤, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎, 楠浦 崇央, ミトラ アヌパム : ナノ・エッチングしたサファイア上へのGaNのMOCVD成長, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[組織] ...
閲覧 遠野 充明, 沖本 聖, 直井 美貴, 西野 克志, 楠浦 崇央, ミトラ アヌパム, 納田 卓, 木村 真大, 川野 俊輔, 村本 宣彦 : ナノ・エッチングしたサファイア基板上へのGaN-LEDのMOCVD成長, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-5, 2007年9月..[組織] ...
閲覧 加藤 篤, 月原 政志, 片岡 研, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : UV-LED用高Al組成AlGaN結晶の高品質化に関する研究, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-11, 2007年9月..[組織] ...
閲覧 松岡 遼, 池田 賢司, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : オフ角r面サファイア基板上にMOCVD法によるa面GaNのX線回折による評価, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-14, 2007年9月..[組織] ...
閲覧 仁木 貴敏, 片岡 研, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : MOCVD成長AlGaNのMgドーピングによる結晶性への影響, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-22, 2007年9月..[組織] ...
閲覧 南部 紗織, 直井 美貴, 酒井 士郎 : AlGaN系紫外LEDのエレクトロルミネッセンスの温度特性, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-11, 2007年9月..[組織] ...
閲覧 沖本 聖, 遠野 充明, 南部 紗織, 北村 政治, 月原 政志, 片岡 研, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : AlGaN系紫外発光ダイオードの光出力に及ぼす電極形状の影響に関する研究, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, Vol.11-29, 2007年9月..[組織] ...
閲覧 T Okimoto, M Tsukihara, K Kataoka, A Kato, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : GaN- and AlGaN-based UV-LEDs on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2007), Kyoto, Oct. 2007..[組織] ...
閲覧 M Tohno, T Okimoto, Yoshiki Naoi, Katsushi Nishino, Shiro Sakai, T Kusuura, A Mitra, S Nouda, M Kimura, S Kawano and Y Muramoto : GaN-LED's on nano-etched sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition, The first International conference on White Light-Emitting Diodes(LEDs) and Solid State Lighting (SSL), Tokyo, Nov. 2007..[組織] ...
閲覧 北村 政治, 沖本 聖, 遠野 充明, 南部 紗織, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 340nm帯ナイトライド系 UV-LEDの自己発熱と電流集中効果による発光特性への影響, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P1, 2007年12月..[組織] ...
閲覧 松岡 遼, 池田 賢司, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : オフ角r面サファイア上MOCVD成長a面GaNのX線回折評価, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P2, 2007年12月..[組織] ...
閲覧 遠野 充明, 沖本 聖, 直井 美貴, 西野 克志, 酒井 士郎, 楠浦 崇央, ミトラ アムパム, 納田 卓, 木村 真大, 川野 俊輔, 村本 宣彦 : ナノ微細加工サファイア基板上へのGaN系発光ダイオードの作製, 第1回フロンティア研究センターシンポジウム, Vol.P3, 2007年12月..[組織] ...
閲覧 T Okimoto, M Tsukihara, K Kataoka, A Kato, Katsushi Nishino, Yoshiki Naoi and Shiro Sakai : GaN- and AlGaN-based UV-LEDs on Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, Vol.5, No.9, 3066-3068, 2008..[組織] ...
閲覧 成行 祐児, 松本 将和, 遠野 充明, 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚 : ナノ加工を用いたGaNのC-V特性, 第56回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZJ-3, 2009年3月..[組織] ...
閲覧 北村 政治, 川崎 晃一, 吉田 博紀, 直井 美貴, 酒井 士郎 : MOCVD法によるSi基板上へのSi1-x-yGexCy薄膜の成長, 第56回応用物理学関係連合講演会, 30p-E-6, 2009年3月..[組織] ...
閲覧 野田 丈嗣, 松岡 遼, 直井 美貴, 酒井 士郎 : MOCVD-GaN on Sapphire上AlGaNのクラックの低減に関する研究, 第56回応用物理学関係連合講演会, 1a-ZJ-14, 2009年4月..[組織] ...
閲覧 張 晶, 遠野 充明, 奥野 誠亮, 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚 : GaNナノ加工pnダイオード光検出器, 第56回応用物理学関係連合講演会, 1a-ZJ-30, 2009年4月..[組織] ...
閲覧 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚, 納田 卓, 木村 真大, 川野 俊輔, 村本 宜彦 : サファイア上周期的ナノ構造を形成するためのナノインプリント技術開発とGaN系LED, 第56回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZJ-10, 2009年4月..[組織] ...
閲覧 遠野 充明, 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚 : ナノインプリント技術により周期的ナノ構造を形成したGaN系光デバイスからのEL特性, 第56回応用物理学関係連合講演会, 1p-ZJ-11, 2009年4月..[組織] ...
閲覧 成行 祐児, 松本 将和, 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚 : ナノ加工を施したGaN上への再成長及びその評価, 第70回応用物理学会学術講演会, 8p-F-2, 2009年9月..[組織] ...
閲覧 張 晶, 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚 : 裏面入射GaN系表面ナノ構造光検出器, 第70回応用物理学会学術講演会, 10a-E-9, 2009年9月..[組織] ...
閲覧 原 航平, 直井 美貴, 酒井 士郎 : Taマスクを用いた下地層エッチングによるGaN再成長, 第70回応用物理学会学術講演会, 11a-E-9, 2009年9月..[組織] ...
閲覧 野田 丈嗣, 直井 美貴, 酒井 士郎 : MOCVD-GaN on Sapphire上AlGaNのクラックの低減に関する研究(2), 第70回応用物理学会学術講演会, 11a-E-10, 2009年9月..[組織] ...
閲覧 直井 美貴, 松本 将和, 譚 天亜, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚 : 表面ナノ周期構造を有するInGaN-LEDからの輻射光空間分布特性, 第70回応用物理学会学術講演会, 11a-X-8, 2009年9月..[組織] ...
閲覧 Toshihiro Moriga, Ruili Zhang, Naomichi Matsuura, Tomonori Maeda, Kei-ichiro Murai and Koichi Nakamura : Peak Shift Due to Barium Deficiency in 27Al MAS-NMR Spectrum for Eu2+-Activated Barium Aluminum Silicon Oxynitride Phosphors, International Symposium for Phosphor Materials 2009, Niigata, Nov. 2009..[組織] ...
閲覧 Koichi Nakamura, Ueki Akio, Yoshitaka Michihiro and Toshihiro Moriga : Effect of milling process on local structure and lithium ion dynamics in lithium tantalate and lithium niobate, Meeting Abstract - The 15th International Meeting on Lithium Batteries (IMLB 2010), Vol.MA2010-03, 439, Montreal, June 2010..[組織] ...
閲覧 坂本 洋一, 下北 晃輔, 中村 浩一, 道廣 嘉隆, 森賀 俊広 : オリビン型LixMnPO4のLi濃度に対する電気伝導度変化, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2010年度支部学術講演会, 2010年7月..[組織] ...
閲覧 下北 晃輔, 坂本 洋一, 中村 浩一, 道廣 嘉隆, 森賀 俊広 : メカニカルミリング法によるLiMn1.95Al0.05O4のLiイオン拡散, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2010年度支部学術講演会, 2010年7月..[組織] ...
閲覧 Koichi Nakamura, Shimokita Kosuke, Sakamoto Yoichi, Yoshitaka Michihiro and Toshihiro Moriga : Non-Debye like behavior in electrical conductivities in lithium manganese oxides, --- 21st IUPAC International Conference on Chemical Thermodynamics ---, Program & Abstracts of 21st IUPAC International Conference on Chemical Thermodynamics ICCT-2010, 296, Tsukuba, Aug. 2010..[組織] ...
閲覧 Yoshiki Naoi and Yoshifumi Nishio : Current Challenges of the Double Degree Master Program in Electrical and Electronic Engineering, Proceedings of the Fifth International Symposium on the Development of the Global Double Degree Program (GDDP), 15, Tokushima, Aug. 2010..[組織] ...
閲覧 原 航平, 直井 美貴, 酒井 士郎 : Taマスクを用いたMOCVD再成長GaNの表面モフォロジー改善, 第71回応用物理学会学術講演会, 15p-C-8, 2010年9月..[組織] ...
閲覧 堀江 郁哉, 直井 美貴, 酒井 士郎 : MOCVD法によるAlC薄膜の成長, 第71回応用物理学会学術講演会, 16a-ZT-11, 2010年9月..[組織] ...
閲覧 Toshihiro Moriga, Ruili Zhang, Naomichi Matsuura, Tomonori Maeda, Manaka Numata, Kei-ichiro Murai and Koichi Nakamura : Peak Shift due to a barium deficiency in the 27Al MAS-NMR spectrum for Eu2+-activated barium aluminum silicon oxynitride phosphors, Journal of Ceramic Processing Research, Vol.12, No.1, S23-S25, 2011..[組織] ...
閲覧 Choi Yun Jeong, 藤本 拓生, 堀江 郁哉, 直井 美貴, 酒井 士郎 : Study of phosphorus incorporated DLC films grown by CVD technique, 第59回応用物理学関係連合講演会, GP5, 2012年3月..[組織] ...
閲覧 中村 浩一 : リチウム二次電池部材の測定・分析データ集, --- 第3章 第23節 広帯域NMRによるリチウム遷移金属酸化物におけるイオン拡散の観測 ---, 株式会社 技術情報協会, 東京, 2012年6月..[組織] ...
閲覧 Yoshitaka Michihiro, Kazuya Itsuki, Shigeki Endo, Masahiko Isono, Koichi Nakamura and Takashi Ohno : Effects of the indirect ionic interaction on the diffusion of the cation in the silver halide crystals with the rock-salt structure, Proceedings of the 13th Asian Conference on Solid State Ionics, 651-660, Sendai, July 2012..[組織] ...
閲覧 Koichi Nakamura, Shimokita Kosuke, Sakamoto Yoichi, Yoshitaka Michihiro and Toshihiro Moriga : Milling effects on local structure and electrical conduction in Aluminum doped lithium manganese oxides, Proceedings of the 13th Asian Conference on Solid State Ionics, 289-298, Sendai, Sep. 2012..[組織] ...
閲覧 髙島 祐介, 馬渕 良, 直井 美貴, 下村 直行, 大来 雄二 : 技術者倫理科目におけるアンケートによる教育改善とTAの教育寄与, 電気学会研究会資料, Vol.FIE-12, No.3, 41-46, 2012年12月..[組織] ...
閲覧 下村 直行, 直井 美貴, 橋爪 正樹 : 初年度教育・導入教育としてのエンジニアリング入門教育の導入, 電気学会研究会資料, Vol.FIE-13, No.2, 25-28, 2013年9月..[組織] ...
閲覧 Shin-ichi Nakashima, Takuro Tomita, Natsuki Kuwahara, Takeshi Mitani, Ken Tomobe, Shin-ichi Nishizawa and Hajime Okumura : Raman intensity profiles of zone-folded modes in SiC: Identification of stacking sequence of 10H-SiC, Journal of Applied Physics, Vol.114, No.19, 193510-1-193510-7, 2013..[組織] ...
閲覧 髙島 祐介, 清水 亮, 北村 彩人, 西野 克志, 直井 美貴, 下村 直行, 大来 雄二 : 学習者の地域性に即した事例を用いた技術者倫理教育の学習効果, 電気学会研究会資料, Vol.FIE-13, No.3, 31-35, 2013年12月..[組織] ...
閲覧 富田 卓朗 : (invited) レーザーアブレーションダイナミクスのイメージング, 第9回励起ナノプロセス研究会, A-4-1-A-4-6, 2013年12月..[組織] ...
閲覧 Manato Deki, Takahiro Makino, Naoya Iwamoto, Shinobu Onoda, Kazutoshi Kojima, Takuro Tomita and Takeshi Ohshima : Linear energy transfer dependence of single event gate rupture in SiC MOS capacitors, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol.319, 75-78, 2014..[組織] ...
閲覧 錦野 将元, 長谷川 登, 富田 卓朗, 江山 剛史, 柿本 直也, 羽富 大起, 大西 直文, 馬場 基芳, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : 軟X線レーザーによる金のフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測, レーザー学会創立40周年記念学術講演会 第34回年次大会, Vol.34, 21aIII-9, 2014年1月..[組織] ...
閲覧 長谷川 登, 富田 卓朗, 錦野 将元, 武井 亮太, 馬場 基芳, 江山 剛史, 柿本 直也, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : 軟X線レーザープローブを用いた金属のフェムト秒レーザーアブレーション過程の時間分解計測, レーザー学会創立40周年記念学術講演会 第34回年次大会, Vol.34, 21aVIII-6, 2014年1月..[組織] ...
閲覧 Manato Deki, Tomoki Oka, Shodai Takayoshi, Yoshiki Naoi, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima and Takuro Tomita : Temperature Dependence of Electric Conductivities in Femtosecond Laser Modified Areas in Silicon Carbide, Materials Science Forum, Vol.778-780, 661-664, 2014..[組織] ...
閲覧 Manato Deki, Takahiro Makino, Kazutoshi Kojima, Takuro Tomita and Takeshi Ohshima : Single Event Gate Rupture in SiC MOS Capacitors with Different Gate Oxide Thicknesses, Materials Science Forum, Vol.778-780, 440-443, 2014..[組織] ...
閲覧 Takuro Tomita, Noboru Hasegawa, Masaharu Nishikino, Takashi Eyama, Yasuo Minami, Ryota Takei, Motoyoshi Baba, Takeshi Kaihori, Toshimasa Morita, Yusuke Hirano, Tetsuya Kawachi, Mitsuru Yamagiwa and Tohru Suemoto : Observation of the transient state of the femtosecond laser ablation phenomena on various metals, 8th International Conference on Reactive Plasmas 31st Symposium on Plasma Processing, 6P-PM-S14-P34, Fukuoka, Feb. 2014..[組織] ...
閲覧 富田 卓朗 : 電気電子工学科における研究室教育, 工学教育シンポジウム2014, 4, 2014年3月..[組織] ...
閲覧 岡 知輝, 出来 真斗, 直井 美貴, 牧野 高紘, 大島 武, 富田 卓朗 : SiCのフェムト秒レーザー改質部における電気伝導度の温度依存性, 第 61 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, Vol.61, 04-262, 2014年3月..[組織] ...
閲覧 柿本 直也, 江山 剛史, 富田 卓朗, 長谷川 登, 錦野 将元, 南 康夫, 馬場 基芳, 海堀 岳史, 守田 利昌, 平野 祐介, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : 軟 X 線シャドウグラフを用いたナノ秒スケールにおける金のフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測, 第 61 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, Vol.61, 04-286, 2014年3月..[組織] ...
閲覧 長谷川 登, 錦野 将元, 富田 卓朗, 江山 剛史, 柿本 直也, 大西 直文, 羽富 大起, 伊藤 篤史, 南 康夫, 武井 亮太, 馬場 基芳, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : 軟X線レーザーを用いた金属表面のフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測I, 日本物理学会年次大会, Vol.69, 2014年3月..[組織] ...
閲覧 錦野 将元, 長谷川 登, 富田 卓朗, 江山 剛史, 柿本 直也, 大西 直文, 羽富 大起, 伊藤 篤史, 南 康夫, 武井 亮太, 馬場 基芳, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : 軟X線レーザーを用いた金属表面のフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測II, 日本物理学会年次大会, Vol.69, 2014年3月..[組織] ...
閲覧 富田 卓朗, 江山 剛史, 柿本 直也, 長谷川 登, 錦野 将元, 南 康夫, 武井 亮太, 馬場 基芳, 大西 直文, 羽富 大起, 海堀 岳史, 守田 利昌, 平野 祐介, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : 軟X線イメージングによる金属表面におけるアブレーション過程の観測, 日本物理学会年次大会, Vol.69, No.4, 740, 2014年3月..[組織] ...
閲覧 山極 満, 長谷川 登, 錦野 将元, 富田 卓朗, 江山 剛史, 柿本 直也, 大西 直文, 羽富 大起, 伊藤 篤史, 南 康夫, 武井 亮太, 馬場 基芳, 河内 哲哉, 末元 徹 : 軟X線レーザープローブを用いた,金属表面のフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測, 日本物理学会年次大会, Vol.69, No.4, 874, 2014年3月..[組織] ...
閲覧 江山 剛史, 柿本 直也, 富田 卓朗, 長谷川 登, 錦野 将元, 南 康夫, 武井 亮太, 馬場 基芳, 大西 直文, 羽富 大起, 海堀 岳史, 守田 利昌, 平野 祐介, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : 軟X線ニュートンリングとシャドウグラフを用いた金属表面のフェムト秒レーザーアブレーション過程の観測, 日本物理学会年次大会, Vol.69, No.4, 875, 2014年3月..[組織] ...
閲覧 羽富 大起, 大西 直文, 錦野 将元, 長谷川 登, 富田 卓朗, 伊藤 篤史, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : フェムト秒レーザー照射に伴う金属表面剥離過程の分子動力学解析, 日本物理学会年次大会, Vol.69, No.4, 875, 2014年3月..[組織] ...
閲覧 馬場 基芳, 錦野 将元, 長谷川 登, 富田 卓朗, 南 康夫, 武井 亮太, 山極 満, 河内 哲哉, 末元 徹 : 斜入射型反射軟X線顕微鏡によるサブミクロン画像観察, 日本物理学会年次大会, Vol.69, No.4, 875, 2014年3月..[組織] ...
閲覧 Takashi Eyama, Naoya Kakimoto, Takuro Tomita, Noboru Hasegawa, Masaharu Nishikino, Yasuo Minami, Ryota Takei, Motoyoshi Baba, Takeshi Kaihori, Toshimasa Morita, Yusuke Hirano, Tetsuya Kawachi, Mitsuru Yamagiwa and Tohru Suemoto : Direct observation of femtosecond laser ablation on metals by plasma-based soft x-ray laser, International conference on HIGH ENERGY DENSITY SCIENCES 2014, HEDSp9-31, Yokohama, April 2014..[組織] ...
閲覧 Tetsuya Kawachi, Masaharu Nishikino, Akira Sasaki, Makoto Ishino, Noboru Hasegawa, Takashi Imazono, Pikuz Tatian, Anatoly Faenov, M. Magnitskiy, M. Maruyama, Takuro Tomita, Tohru Suemoto, Pirozhhkov Alexander, Sergei Bulanov, Hiromitsu Kiriyama, Mitsuru Yamagiwa, Masaki Kando, Mitsuru Yamagiwa, K. Kondo, P. Bolton and Yoshiaki Kato : Progress and Prospects of Coherent X-ray Research using High Power Lasers in JAEA, 14th International Conference for X-Ray Lasers 2014, Colorado, May 2014..[組織] ...
閲覧 Masaharu Nishikino, Noboru Hasegawa, Takashi Eyama, Naoya Kakimoto, Takuro Tomita, Daiki Hatomi, Naofumi Ohnishi, Atsushi M Ito, Yasuo Minami, Motoyoshi Baba, Tetsuya Kawachi, Mitsuru Yamagiwa and Tohru Suemoto : Observation of Weakly Excited Ablation Dynamics with Femtosecond Laser by using Time-Resolved Soft X-ray Imaging Technique, 14th International Conference for X-Ray Lasers 2014, Colorado, May 2014..[組織] ...
閲覧 Takuro Tomita, Masaharu Nishikino, Noboru Hasegawa, Yasuo Minami, Ryota Takei, Motoyoshi Baba, Takashi Eyama, Shodai Takayoshi, Takeshi Kaihori, Toshimasa Morita, Yusuke Hirano, Tetsuya Kawachi, Mitsuru Yamagiwa and Tohru Suemoto : Time-resolved soft x-ray imaging of femtosecond laser ablation processes on metals, Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.9, No.2, 137-142, 2014..[組織] ...
閲覧 Motoyoshi Baba, Masaharu Nishikino, Noboru Hasegawa, Takuro Tomita, Yasuo Minami, Ryota Takei, Mitsuru Yamagiwa, Tetsuya Kawachi and Tohru Suemoto : Submicron scale image observation with a grazing incidence reflection-type single-shot soft X-ray microscope, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.53, 080302-1-080302-4, 2014..[組織] ...
閲覧 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールに伴う変化, 2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 講演予稿集, (巻), (号), 62, 2014年7月..[組織] ...
閲覧 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 : fsレーザ照射によるSiC中へのひずみ導入と低温アニールに伴うNi拡散, 日本金属学会中国四国支部第54回講演大会 講演概要集, (巻), (号), 6, 2014年8月..[組織] ...
閲覧 江山 剛史, 柿本 直也, 富田 卓朗, 長谷川 登, 錦野 将元, 南 康夫, 馬場 基芳, 大西 直文, 伊藤 篤史, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : タングステンにおけるフェムト秒レーザーアブレーション過程の軟X線プローブ光を用いた観測, 日本物理学会秋季大会, Vol.69, No.2, 673, 2014年9月..[組織] ...
閲覧 出来 真斗, 牧野 高紘, 富田 卓朗, 児島 一聡, 大島 武 : イオン照射を行った4H-SiC MOSFETにおける絶縁破壊電界, 第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, Vol.75, 15-226, 2014年9月..[組織] ...
閲覧 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC 界面へのフェムト秒レーザ照射と低温アニールによるNi 拡散の促進, 第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, Vol.75, 03-224, 2014年9月..[組織] ...
閲覧 近藤 健太, 柳田 栄造, 板東 洋太, 出来 真斗, 岡田 達也, 富田 卓朗 : フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC 界面反応の物性解析, 第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, Vol.75, 03-225, 2014年9月..[組織] ...
閲覧 柳田 栄造, 近藤 健太, 板東 洋太, 出来 真斗, 牧野 高紘, 大島 武, 直井 美貴, 富田 卓朗 : SiC のフェムト秒レーザー改質部における電気伝導機構, 第75 回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集, Vol.75, 03-226, 2014年9月..[組織] ...
閲覧 柿本 直也, 江山 剛史, 富田 卓朗, 長谷川 登, 錦野 将元, 南 康夫, 馬場 基芳, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : 軟X 線シャドウグラフを用いた金における フェムト秒レーザーアブレーション過程のフルエンス依存性, 第75 回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集, Vol.75, 03-227, 2014年9月..[組織] ...
閲覧 森本 和樹, 植木 智之, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC界面へのfsレーザ照射によるひずみ導入と低温アニール, 日本金属学会2014年秋期講演大会, (巻), (号), 213, 2014年9月..[組織] ...
閲覧 M. B. Agranat, S. I. Ashitkov, Motoyoshi Baba, Takashi Eyama, Anatoly Faenov, Noboru Hasegawa, Daiki Hatomi, D. K. Ilnitsky, N. A. Inorgamov, Tetsuya Kawachi, V. A. Khokhlov, Yasuo Minami, Masaharu Nishikino, Naofumi Ohnishi, Pikuz Tatian, V. V. Shepelev, Tohru Suemoto, Shodai Takayoshi, Ryota Takei, Takuro Tomita, Mitsuru Yamagiwa, V. V. Zhakhovsky and Yu V. Petrov : Hydrodynamics driven by ultrashort laser pulse, 9th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications, 30, Matsue, Sep. 2014..[組織] ...
閲覧 Eizo Yanagita, Manato Deki, Yoshiki Naoi, Takahiro Makino, Takeshi Ohshima and Takuro Tomita : Shallow impurity levels in femtosecond laser modified areas on semi insulating 6H-SiC, 9th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications, 111, Matsue, Sep. 2014..[組織] ...
閲覧 Naoya Kakimoto, Takashi Eyama, Takuro Tomita, Noboru Hasegawa, Masaharu Nishikino, Yasuo Minami, Ryota Takei, Motoyoshi Baba, Takeshi Kaihori, Toshimasa Morita, Yusuke Hirano, Tetsuya Kawachi, Mitsuru Yamagiwa and Tohru Suemoto : Observation of femtosecond laser ablation process in nano-seconds region by soft x-ray shadow graph, 9th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications, 119, Matsue, Oct. 2014..[組織] ...
閲覧 中村 浩一 : 攪拌・混合技術とトラブル対策, --- 第4章 第15節 メカニカルミリングによる粉砕と構造変化がリチウムイオン電池材料に及ぼす影響 ---, 株式会社 技術情報協会, 東京, 2014年10月..[組織] ...
閲覧 Takuro Tomita : (invited) Single-shot soft x-ray imaging for the understanding of femtosecond-laser induced nano-periodic structure formation process, The 15th Symposium on Advanced Photon Research, Nov. 2014..[組織] ...
閲覧 出来 真斗, 近藤 健太, 柳田 栄造, 板東 洋太, 森本 和樹, 岡田 達也, 富田 卓朗 : フェムト秒レーザー支援アニールによるNi/SiC界面の低温シリサイド化, 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第1回講演会, 114, 2014年11月..[組織] ...
閲覧 Masaharu Nishikino, Noboru Hasegawa, Takuro Tomita, Takashi Eyama, Naoya Kakimoto, Naofumi Ohnishi, Atsushi M. Ito, Motoyoshi Baba, Yasuo Minami, Tetsuya Kawachi, Mitsuru Yamagiwa and Tohru Suemoto : Observation of Femtosecond Laser Ablation on Tungsten by using Soft X-ray Laser, Plasma Conference 2014, Niigata, Nov. 2014..[組織] ...
閲覧 Noboru Hasegawa, Takuro Tomita, Masaharu Nishikino, Takashi Eyama, Naoya Kakimoto, Naofumi Ohnishi, Atsushi M. Ito, Motoyoshi Baba, Yasuo Minami, Tetsuya Kawachi, Mitsuru Yamagiwa and Tohru Suemoto : A study of the femto-second laser ablation process in metals by using a soft x-ray laser probe, Plasma Conference 2014, Niigata, Nov. 2014..[組織] ...
閲覧 Tomoyuki Ueki, Kazuki Morimoto, Hiroki Yokota, Takuro Tomita and Tatsuya Okada : Application of femtosecond laser irradiation to low-temperature diffusion at the Ni/SiC interface, Applied Physics Express, Vol.8, No.2, 026503-1-026503-4, 2015..[組織] ...
閲覧 N. A. Inogamov, V. V. Zhakhovsky, Noboru Hasegawa, Masaharu Nishikino, Mitsuru Yamagiwa, Masahiko Ishino, M. B. Agranat, S. I. Ashitkov, A. Ya. Faenov, V. A. Khokhlov, D. K. Ilnitsky, Yu. V. Petrov, K. P. Migdal, T. A. Pikuz, Shodai Takayoshi, Takashi Eyama, Naoya Kakimoto, Takuro Tomita, Motoyoshi Baba, Yasuo Minami, Tohru Suemoto and Tetsuya Kawachi : Hydrodynamics driven by ultrashort laser pulse: simulations and the optical pump X ray probe experiment, Applied Physics. B, Lasers and Optics, Vol.119, 413-419, 2015..[組織] ...
閲覧 井筒 類, 江山 剛史, 柿本 直也, 富田 卓朗, 長谷川 登, 錦野 将元, 南 康夫, 馬場 基芳, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : フェムト秒レーザーアブレーションにおけるタングステン剥離薄膜形状の局所強度依存性, 第62 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集, Vol.62, 04-078, 2015年3月..[組織] ...
閲覧 柿本 直也, 江山 剛史, 井筒 類, 富田 卓朗, 長谷川 登, 錦野 将元, 南 康夫, 馬場 基芳, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : 軟X線シャドウグラフを用いたフェムト秒レーザー照射によるタングステンの剥離薄膜形状の観測, 日本物理学会第70回年次大会(2015年)概要集, Vol.70, 1506, 2015年3月..[組織] ...
閲覧 江山 剛史, 柿本 直也, 井筒 類, 富田 卓朗, 長谷川 登, 錦野 将元, 南 康夫, 馬場 基芳, 河内 哲哉, 山極 満, 末元 徹 : 金属のフェムト秒レーザーアブレーション過程における剥離形状と照射強度分布の相関, 日本物理学会第70回年次大会(2015年)概要集, Vol.70, 2616, 2015年3月..[組織] ...
閲覧 Manato Deki, Takahiro Makino, Kazutoshi Kojima, Takuro Tomita and Takeshi Ohshima : Instability of Critical Electric Field in Gate Oxide Film of Heavy Ion Irradiated SiC MOSFETs, Materials Science Forum, Vol.821-823, 673-676, 2015..[組織] ...
閲覧 滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみを応用した低温拡散, 日本金属学会中国四国支部第55回講演大会講演概要集, (巻), (号), 52, 2015年8月..[組織] ...
閲覧 滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 : フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, (巻), (号), 13p-2F-10, 2015年9月..[組織] ...
閲覧 柿本 直也, 井筒 類, 富田 卓朗 : タングステンにおけるアブレーション過程のフルエンス依存性, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, Vol.76, 13p-2F-1, 2015年9月..[組織] ...
閲覧 滝谷 悠介, 近藤 健太, 植木 智之, 田中 康弘, 富田 卓朗, 岡田 達也 : Ni/SiC界面におけるフェムト秒レーザ照射誘起ひずみ及び低温アニールによるNiシリサイド形成, 日本金属学会2015年秋期講演大会(第157回)概要集, 80, 2015年9月..[組織] ...
閲覧 富田 卓朗 : (invited)フェムト秒レーザー照射による SiC 上へのオーミック電極作製の可能性, 中四国支部 第54回材質制御研究会 -材料と光科学の接点-, 2015年9月..[組織] ...
閲覧 滝谷 悠介, 近藤 健太, 直井 美貴, 富田 卓朗, 岡田 達也 : レーザー支援アニールによるNi/SiC界面でのニッケルシリサイド形成及び炭素拡散, 公益社団法人 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第2回講演会, Vol.2, 148, 2015年11月..[組織] ...
閲覧 Yusuke Takidani, Kazuki Morimoto, Kenta Kondo, Tomoyuki Ueki, Takuro Tomita, Yasuhiro Tanaka and Tatsuya Okada : Low-Temperature Diffusion at Ni/SiC Interface with the Aid of Femtosecond Laser-Induced Strain, Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.10, No.3, 314-319, 2015..[組織] ...
閲覧 Naoya Kakimoto, Takashi Eyama, Rui Izutsu and Takuro Tomita : The Shape of The Exfoliated Surface during Femtosecond Laser Ablation, Journal of Laser Micro/Nanoengineering, Vol.11, No.1, 91-94, 2016..[組織] ...
閲覧 中村 浩一 : 次世代電池用電極材料の高エネルギー密度,高出力化, --- 第2章 第5節 リチウム過剰系LixV2O5とLi2MnO3における局所構造とリチウムイオン拡散挙動 ---, 株式会社 技術情報協会, 東京, 2017年11月..[組織] ...

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