『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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PERM=閲覧 応用物理学会

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抽出結果のリスト

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閲覧 菊田 大悟, 敖 金平, 大野 泰夫 : AlGaN/GaN SiOx MOS-HFETの相互コンダクタンス周波数分散, 第64回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2003年9月..[組織]+[発行所] ...
閲覧 Daigo Kikuta, Ryohei Takaki, Junya Matsuda, Masaya Okada, Xin Wei, Jin-Ping Ao and Yasuo Ohno : Gate Leakage Reduction Mechanism of AlGaN/GaN MIS-HFETs, 2004 International Conference on Solid State Devices and Materials, (巻), (号), (頁), Tokyo, Sep. 2004..[組織]+[発行所] ...
閲覧 Takeshi Yasui and Tsutomu Araki : Dependence of terahertz electric field on electric bias and modulation frequency in pulsed terahertz emission from electrically-modulated photoconductive antenna detected with free-space electro-optic sampling, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.44, No.4A, 1777-1780, 2005..[組織]+[発行所] ...
閲覧 荒木 勉, 安井 武史 : フェムト秒レーザーを利用した高機能生体計測, 応用物理学会誌, Vol.74, No.6, 731-735, 2005年6月..[組織]+[発行所] ...
閲覧 永松 謙太郎, 岡留 由真, 古川 寛子, 土屋 陽祐, 浅井 利浩, 三島 俊介, 本塩 彰, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇 : サファイアR面基板上ナイトライドLEDの特性, 第66回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2005年9月..[組織]+[発行所] ...
閲覧 三島 俊介, 永松 謙太郎, 本塩 彰, 三宅 泰人, 浅井 利浩, 飯田 一喜, 川島 毅, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇 : 顕微ラマン分光法によるNitride-LEDの動作時におけるGaN層の温度分布解析, 第66回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2005年9月..[組織]+[発行所] ...
閲覧 河道 修一, 西野 克志, 住吉 和英, 月原 政志, 酒井 士郎 : 凹凸サファイア基板上に成長させたAlGaN薄膜の反転ドメイン, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, (号), 379, 2006年3月..[組織] ...
閲覧 柳谷 伸一郎, 宮本 純太, 森 篤史, 井上 哲夫 : 無機結晶基板上に成長する有機結晶膜のグラフォエピタキシー, 2006年度春季第53回応用物理学関係連合講演会予稿集, (巻), No.3, 1278, 2006年3月..[組織] ...
閲覧 Nobutomo Nakamura, Hirotsugu Ogi, Hiroki Nitta, Hiroshi Tanei, Makoto Fujii, Takeshi Yasui and Masahiko Hirao : Study of elastic anisotropy of Cu thin films by resonant-ultrasound spectroscopy coupled with laser-doppler interferometry and pump-probe photoacoustics, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.45, No.5B, 4580-4584, 2006..[組織]+[発行所] ...
閲覧 大野 泰夫, 山岡 優哉, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平 : ゲートストレスバイアスによるAlGaN/GaN MIS HFETの電流コラプス評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[組織]+[発行所] ...
閲覧 野久 保宏幸, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 大野 泰夫 : GaN MISダイオードによる絶縁膜界面評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[組織]+[発行所] ...
閲覧 澤田 剛一, 新海 聡子, 敖 金平, 岡田 政也, 胡 成余, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : n‐GaNへの高温処理ZrN電極ショットキー特性, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[組織]+[発行所] ...
閲覧 胡 成余, 岡田 政也, 敖 金平, 大野 泰夫 : Ni処理を用いたドライエッチp‐GaNへの低抵抗オーミック形成, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[組織]+[発行所] ...
閲覧 敖 金平, 澤田 剛一, 新海 聡子, 岡田 政也, 胡 成余, 廣瀬 和之, 河合 弘治, 大野 泰夫 : TiNゲートAlGaN/GaN HFETの特性評価, 第68回応用物理学会学術講演会, 2007年9月..[組織]+[発行所] ...
閲覧 Hu Cheng-Yu, Jin-Ping Ao, Okada M., Sugimoto M., Uesugi T., Kachi T. and Yasuo Ohno : Low Resistance Ohmic Contact Formation to Dry-Etched p-GaN, The 34th International Symposium on Compound Semiconductors, Kyoto, Oct. 2007..[組織]+[発行所] ...
閲覧 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 大野 泰夫 : p-基板層付きAlGaN/GaN HFETのVt-Vsub特性, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[組織]+[発行所] ...
閲覧 高橋 健介, 伊藤 秀起, 原内 貴司, 岡田 政也, 胡 成余, 敖 金平, 河合 弘治, 篠原 真毅, 丹羽 直幹, 大野 泰夫, 井川 裕介 : GaNを用いたマイクロ波整流用ショットキーバリアダイオード, 第55回応用物理学関係連合講演会, 2008年3月..[組織]+[発行所] ...

過去3日以内に登録・変更された情報

閲覧 三島 俊介, 永松 謙太郎, 本塩 彰, 三宅 泰人, 浅井 利浩, 飯田 一喜, 川島 毅, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇 : 顕微ラマン分光法によるNitride-LEDの動作時におけるGaN層の温度分布解析, 第66回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2005年9月.---(Modified by 大家 隆弘 at 2019年8月21日(水) 20:47:13) ...
閲覧 永松 謙太郎, 岡留 由真, 古川 寛子, 土屋 陽祐, 浅井 利浩, 三島 俊介, 本塩 彰, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇 : サファイアR面基板上ナイトライドLEDの特性, 第66回応用物理学会学術講演会, (巻), (号), (頁), 2005年9月.---(Modified by 大家 隆弘 at 2019年8月21日(水) 20:47:12) ...

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