『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
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閲覧 森 篤史 : 剛体球系における結晶成長の分子動力学シミュレーション:定常成長, 物理学会講演概要集, (巻), (号), 8, 1996年10月.
閲覧 森 篤史 : 完全配向剛体円柱棒状分子系におけるスメクティック相の層内秩序のモンテカルロ·シミュレーション, 日本物理学会講演概要集, (巻), (号), 778, 1996年10月.
閲覧 森 篤史 : 一次元キネティックイジングモデルにおけるクラスタサイズ分布, 日本物理学会講演概要集, (巻), (号), 724, 1996年10月.
閲覧 Yoichro Yamanaka, katsuto Tanahashi, Takeshi Mikayama, Naohisa Inoue and Atsushi Mori : Nucleation of Void Defects in CZ Silicon, Abstract Book The 1st Asian Conference in Crystal Growth and Crystal Technology, (巻), (号), 585-586, Sendai, Sep. 2000.
閲覧 森 篤史, 伊藤 智徳, 寒川 義裕, 纐纈 明伯 : InGaN薄膜における自然超格子構造, 日本結晶成長学会誌, Vol.30, No.3, 97, 2003年8月.
閲覧 Atsushi Mori, Shin-ichiro Yanagiya, Yoshihisa Suzuki, Tsutomu Sawada, Kensaku Ito and Tetsuo Inoue : Monte Carlo simulation of hard-sphere crystal under gravity, Book of Abstracts The 57th Divisional Meeting on Colloid and Surface Chemistry with the 2004 Japan-Australia International Symposium, (巻), (号), 500, 宇部市, Sep. 2004.
閲覧 Atsushi Mori : Monto Carlo Simulation Study of Phase Diagram of InGaN/GaN Alloy with Supperlattice Order (tentative title), Thirteenth International Workshop on The Physics of Semiconductor Devices, (巻), (号), (頁), New Delhi, Dec. 2005.
閲覧 Atsushi Mori, Yoshihisa Suzuki and Shin-ichiro Yanagiya : Succession of stacking fault in hard-sphere crystal under gravity by Monte Carlo simulation, Fluid Phase Equilibria, Vol.257, No.2, 131-138, 2007.
閲覧 森 篤史, 高橋 弘紀, 山登 正文 : 配向相転移的観点に基づいた磁場中調製シリカゲルの構造異方性の解明, 東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料センター平成28年度年次報告, 138-139, 仙台, 2017年6月.
閲覧 森 篤史, 高橋 弘紀, 山登 正文 : 配向相転移的観点に基づいた磁場中調製シリカゲルの構造異方性の解明, 東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料センター平成28年度年次報告, 137-138, 仙台, 2017年6月.
閲覧 Takashi Sugimoto, Atsushi Mori and Tetsuo Inoue : Effect of overheating treatment on the stability of KCl aqueous solutions, Journal of Crystal Growth, Vol.292, (号), 108-110, (年月日).

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