BROWSER ログイン... ログイン(リスト)... 証明書ログイン... データ ⇒新規情報を作成... ⇒XML⇒XML[1]⇒cXML⇒cXML[1]⇒UTLF⇒TeX⇒LaTeX⇒HTML⇒CSV 【著作】 検索画面 ⇒詳細な定義 ⇒DTDの定義 ⇒XMLの定義 ⇒技術情報 ⇒(変更履歴) テーブル テーブルの一覧 【オープンキャンパス】 【会議録】 【学位名称】 【学位論文】 【学外支援】 【学生受入】 【学生派遣】 【画像】 【学会活動】 【キーワード】 【擬人】 【教育プログラム】 【教員派遣】 【協定】 【共同研究】 【研究】 【研究員受入】 【研究活動】 【研究指導】 【講師派遣】 【交流協定】 【個人】 【サークル助言】 【雑誌】 【社会活動】 【社会連携】 【集会】 【授業概要】 【授業テーマ】 【賞】 【相談】 【組織】 【建物】 【担当授業】 【著作】 【都市】 【土地】 【特許・実用新案】 【ドメイン】 【ネットワーク】 【非常勤講師】 【プロジェクト】 【報道】 【ホスト】 【メッセージ】 【役歴】 【予算名】 【予算名2】 【留学生受入】 【履歴】 ------------ 【開催種別】 【学位】 【学位論文属性】 【画像種別】 【肩書】 【肩書属性】 【学究種別】 【カテゴリ】 【協定種別】 【共同研究種別】 【共同研究種別3】 【国分類】 【研究分野】 【言語】 【コース】 【講義期間】 【講義形態】 【講義年次】 【講師派遣種別】 【国家】 【支援種別】 【集会種別】 【授業概要種別】 【授業担当役割】 【招待】 【所有形態】 【審査】 【性別】 【相談結果】 【相談種別】 【組織属性】 【建物構造】 【建物用途】 【地域分類】 【地共区分】 【著作属性】 【土地用途】 【特許・実用新案属性】 【都道府県】 【プロジェクト種別】 【他】 【名称】 【役割】 【履修種別】 【履修範囲】 【履歴属性】 貴方の... ヘルプ ⇒利用の手引き ⇒よくある質問とその回答集 ⇒索引 ⇒EDB登録情報の検査結果 ⇒EDB技術メモ ⇒関連文書

  (見出し語句検索:)

抽出条件

OWN=	西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])

登録情報の数

有効な情報: 46件 + 無効な情報: 1件 = 全ての情報: 47件

全ての有効な情報 (46件)

  (見出し語句検索:)

出力 XMLXML[1]cXMLcXML[1]UTLFTeXLaTeXHTMLCSV

条件追加

[種別](著作の種別)による分類 : 学術レター(ショートペーパー)…(4) 学術論文(審査論文)…(7) 国際会議…(9) 国内講演発表…(26)

[言語](著作の言語)による分類 : 英語…(11) 日本語…(26) (未定義)…(9)

[カテゴリ](著作のカテゴリ)による分類 : 研究…(19) (未定義)…(27)

[共著種別](共著の種別)による分類 : 単独著作(徳島大学内の単一の研究グループ(研究室等)内の研究 (単著も含む))…(2) 学内共著(徳島大学内研究者との共同研究 (学外研究者を含まない))…(1) (未定義)…(43)

[学究種別](著作の学究種別)による分類 : 学士課程学生による研究報告…(1) 修士課程学生による研究報告…(5) (未定義)…(40)

[組織](著作の帰属する組織)による分類 : 徳島大学 …(16) 応用物理学会 …(1) 徳島大学 …(16) 山口大学 …(1) (未定義) …(18)

[年月日](発行年月日)による分類 ○ 年による分類 : 1999年…(6) 2000年…(2) 2002年…(1) 2005年…(2) 2006年…(9) 2010年…(4) 2012年…(2) 2013年…(5) 2014年…(2) 2015年…(2) 2016年…(3) 2018年…(6) 2019年…(2) ○ 年度による分類 : 1999年度…(7) 2000年度…(1) 2002年度…(1) 2005年度…(6) 2006年度…(5) 2009年度…(1) 2010年度…(3) 2012年度…(4) 2013年度…(4) 2014年度…(1) 2015年度…(2) 2016年度…(3) 2017年度…(2) 2018年度…(4) 2019年度…(2)

抽出結果のリスト

排列順: 項目 ▲(EID)▼(EID)▲(MTime)▼(MTime)▲[種別] ▼[種別] ▲[言語] ▼[言語] ▲[招待] ▼[招待] ▲[審査] ▼[審査] ▲[カテゴリ] ▼[カテゴリ] ▲[共著種別] ▼[共著種別] ▲[学究種別] ▼[学究種別] ▲[組織] ▼[組織] ▲[著者] ▼[著者] ▲[題名] ▼[題名] ▲[副題] ▼[副題] ▲[要約] ▼[要約] ▲[キーワード] ▼[キーワード] ▲[発行所] ▼[発行所] ▲[誌名] ▼[誌名] ▲[巻] ▼[巻] ▲[号] ▼[号] ▲[頁] ▼[頁] ▲[都市] ▼[都市] ▲[年月日] ▼[年月日] ▲[URL] ▼[URL] ▲[DOI] ▼[DOI] ▲[PMID] ▼[PMID] ▲[NAID] ▼[NAID] ▲[WOS] ▼[WOS] ▲[Scopus] ▼[Scopus] ▲[被引用数] ▼[被引用数] ▲[指導教員] ▼[指導教員] ▲[備考] ▼[備考]			項目表示: 項目 (EID) (MTime) (Operator) (Owner) (被参照数) [種別] [言語] [招待] [審査] [カテゴリ] [共著種別] [学究種別] [組織] [著者] [題名] [副題] [要約] [キーワード] [発行所] [誌名] [巻] [号] [頁] [都市] [年月日] [URL] [DOI] [PMID] [NAID] [WOS] [Scopus] [被引用数] [指導教員] [備考]
	Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Surface morphology studies on sublimation grown bulk GaN by atomic force microscopy, Journal of Crystal Growth, Vol.200, No.3-4, 348-352, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Durga Basak, Kenji Yamashita, Tomoya Sugahara, Qhalid Fareed, Daisuke Nakagawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Reactive ion etching of GaN and AlxGa1-xN using Cl2/CH4/Ar plasma, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.38, No.4B, 2646-2651, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Maosheng Hao, Sourindra Mahanty, Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Infrared properties of bulk GaN, Applied Physics Letters, Vol.74, No.19, 2788-2790, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Hong Xing Wang, Tao Wang, Mohamed Lachab, Yasuhiro Ishikawa, Maosheng Hao, Koichi Oyama, Katsushi Nishino, Shiro Sakai and Kikuo Tominaga : Growth of a GaN layer on a glass substrate by metal organic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.206, No.3, 241-244, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Takeshi Inaoka, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Dependence of growth conditions on morphology in lateral epitaxial overgrowth of GaN by sublimation method, Journal of Crystal Growth, Vol.207, No.3, 174-178, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Yoichi Yamada, Chiharu Sasaki, Satoshi Kurai, Tsunemasa Taguchi, Tomoya Sugahara, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Time-resolved spectroscopy of excitonic luminescence from GaN homoepitaxial layers, Journal of Applied Physics, Vol.86, No.12, 7186-7188, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Mohamed Lachab, Masaaki Nozaki, Jie Wang, Yasuhiro Ishikawa, Qhalid Fareed, Tao Wang, Tatsunori Nishikawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Selective fabrication of InGaN nanostructures by the focused ion beam/metalorganic chemical vapor deposition process, Journal of Applied Physics, Vol.87, No.3, 1374-1378, 2000.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Sung Hoon Chung, Mohamed Lachab, Tao Wang, Yves Lacroix, Durga Basak, Qhalid Fareed, Yoshihisa Kawakami, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Effect of Oxygen on the Activation of Mg Acceptor in GaN Epilayers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.39, No.8, 4749-4750, 2000.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Katsushi Nishino, Daigo Kikuta and Shiro Sakai : Bulk GaN growth by direct synthesis method, Journal of Crystal Growth, Vol.237-239, No.0, 922-925, 2002.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	山本 真美子, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス法によるBP結晶成長, 電気関係学会四国支部連合大会, 151, 2005年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	河道 修一, 住吉 和英, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価, 電気関係学会四国支部連合大会, 150, 2005年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	山本 真美子, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス成長BP結晶上へのGaN成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.22, 346, 2006年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	住吉 和英, 月原 政志, 沖本 聖, 河道 修一, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl0.17Ga0.83N MOCVD成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, 378, 2006年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	河道 修一, 西野 克志, 住吉 和英, 月原 政志, 酒井 士郎 : 凹凸サファイア基板上に成長させたAlGaN薄膜の反転ドメイン, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, (号), 379, 2006年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	池田 賢司, Choi Rak-Jun, 福本 哲也, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎, Lee Min Soo, 小池 正好 : AlInN-buffer層上のALEによるa面GaNの高品質化, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.26, 401, 2006年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	S. Kawamichi, Katsushi Nishino, K. Sumiyoshi, M. Tsukihara and Shiro Sakai : Inversion domains in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Fawang Yan, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Growth and Characteristics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.45, No.27, L697-L700, 2006.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西野 克志, 坂本 旭, 酒井 士郎 : 直接合成法によるr面サファイア上へのバルクa-GaN成長, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西野 克志, 宮村 高史, 酒井 士郎 : TMA添加直接合成法によるバルクAlGaNの結晶成長, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Katsushi Nishino, A. Sakamoto and Shiro Sakai : Growth of Thick a-plane GaN on r-plane Sapphire by Direct Synthesis Method, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西野 克志, 澤井 佑介, 成行 祐児, 野田 丈嗣, 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚 : ナノ加工GaN基板上再成長層のTEM観察, 第57回応用物理学関係連合講演会, 19a-TB2, 2010年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西野 克志 : 直接合成法によるa面GaNの結晶成長, LED総合フォーラム, P20, 2010年4月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Katsushi Nishino, Yuusuke Sawai, Yuji Nariyuki, Takeshi Noda, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : TEM Observation of Re-Grown GaN on Nano-Patterned GaN Template, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, FrP77, Takamatsu, June 2010.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	加藤 保洋, 中内 潤, 西野 克志, 月原 政志, 酒井 士郎 : 昇華法によるバルクAlNの成長, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-3, 2010年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	林 浩太郎, 中内 潤, 西野 克志, 月原 政志 : AlSiN層を用いた昇華法成長AlNの剥離, 第73回応用物理学会学術講演会, 12a-PB4-4, 2012年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, International Workshop on Nitride Semiconductors, Sapporo, Oct. 2012.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	YUICHI HIWASA, SHOTA IWAMOTO, KOTARO HAYASHI, Katsushi Nishino and MASASHI TSUKIHARA : Self-separation of sublimation-grown AlN on rough SiC substrate, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials, (都市), Jan. 2013.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西野 克志, 日和佐 悠一, 岩元 翔太, 林 浩太郎, 月原 政志 : 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlN成長, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, 08JA07-1-08-JA07-2, 2013.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	小渕 圭一朗, 林 浩太郎, 西野 克志 : 昇華法によるAlN成長における初期過程の検討, 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, FR17, 2013年6月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	日和佐 悠一, 林 浩太郎, 西野 克志 : 荒れた6H-SiC基板へ昇華法により成長したAlNの剥離機構, 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, (巻), (号), FR18, 2013年6月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Mitsuaki Suda, Katsushi Nishino, Satoshi Kurai and Yoichi Yamada : CL measurement of AlGaN grown on the off-oriented AlN substrate, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (都市), March 2014.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	高吉 翔大, 西野 克志 : 昇華法におけるAlN結晶成長速度の向上に関する検討, 2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), (頁), 2014年7月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	山元 佑基, 西野 克志 : 昇華法AlN結晶成長におけるTaマスクの効果, 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), Ca-1, 2015年8月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	鈴木 雄大, 西野 克志 : MOCVD法AlGaN成長における昇華法AlN基板処理方法の検討, 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), Da-6, 2015年8月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	橋本 竜治, 鈴木 雄大, 西野 克志 : 昇華法AlN基板上へのMOCVD法によるAlGaN結晶の成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 86, 2016年7月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	梨子木 清人, 西野 克志 : 6H-SiC基板上へのAlNバルク結晶成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, (巻), (号), 87, 2016年7月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	多喜川 直也, 西野 克志 : 剥離AlNを種結晶として用いた昇華法AlN成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, (巻), (号), 88, 2016年7月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Ryo Hiramura and Katsushi Nishino : Crystal Growth of Gallium Oxide by Direct Synthesis Method, 4th International Forum on Advanced Technologies, (巻), (号), (頁), Tokushima, March 2018.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Takaya Shimada and Katsushi Nishino : Characterization of dislocations in sublimation-grown AlN crystals, 4th International Forum on Advanced Technologies, (巻), (号), (頁), Tokushima, March 2018.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	枝澤 光希, 浦西 将, 富田 卓朗, 西野 克志 : AlN結晶のアニール処理による機械的ダメージの回復評価, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PA4-1, 2018年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	市村 佑太, 西野 克志 : 直接合成法によるβ-Ga2O3の結晶成長, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PB8-18, 2018年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	内藤 友紀, 西野 克志 : 真空蒸着法による p 型 Si 基板上への BaSi2 膜作製の検討, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-12, 2018年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	瀬尾 翔輝, 西野 克志 : AlN 結晶成長における基板表面酸化膜除去の効果, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-13, 2018年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Yuki Naito, Souma Nishio and Katsushi Nishino : Vacuum Evaporation of BaSi2 Thin Films on Textured Si (100) Substrates, The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2019, Miyazaki, July 2019.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西尾 聡馬, 内藤 友紀, 西野 克志 : 蒸着中の原料状態がBaSi2薄膜の品質に与える影響, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, (巻), (号), 21a-PA3-6, 2019年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...

（なし）

S. Kawamichi, Katsushi Nishino, K. Sumiyoshi, M. Tsukihara and Shiro Sakai : Inversion domains in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.298, (号), 297-299, 2007.

Number of session users = 0, LA = 0.30, Max(EID) = 364736, Max(EOID) = 976762.