『徳島大学 教育・研究者情報データベース (EDB)』---[学外] /
ID: Pass:
  (見出し語句検索:)

登録情報

抽出条件

OWN=閲覧 西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])

登録情報の数

有効な情報: 46件 + 無効な情報: 1件 = 全ての情報: 47件

全ての有効な情報 (46件)
  (見出し語句検索:)

条件追加

[種別](著作の種別)による分類 :
[言語](著作の言語)による分類 :
[カテゴリ](著作のカテゴリ)による分類 :
[共著種別](共著の種別)による分類 :
[学究種別](著作の学究種別)による分類 :
[組織](著作の帰属する組織)による分類 :
閲覧 閲覧 徳島大学 …(16)
閲覧 閲覧 応用物理学会 …(1)
閲覧 閲覧 徳島大学 …(16)
閲覧 閲覧 山口大学 …(1)
閲覧 (未定義) …(18)
[年月日](発行年月日)による分類
○ 年による分類 :
○ 年度による分類 :

抽出結果のリスト

排列順: 項目表示:
閲覧 Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Surface morphology studies on sublimation grown bulk GaN by atomic force microscopy, Journal of Crystal Growth, Vol.200, No.3-4, 348-352, 1999. ...
閲覧 Durga Basak, Kenji Yamashita, Tomoya Sugahara, Qhalid Fareed, Daisuke Nakagawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Reactive ion etching of GaN and AlxGa1-xN using Cl2/CH4/Ar plasma, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.38, No.4B, 2646-2651, 1999. ...
閲覧 Maosheng Hao, Sourindra Mahanty, Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Infrared properties of bulk GaN, Applied Physics Letters, Vol.74, No.19, 2788-2790, 1999. ...
閲覧 Hong Xing Wang, Tao Wang, Mohamed Lachab, Yasuhiro Ishikawa, Maosheng Hao, Koichi Oyama, Katsushi Nishino, Shiro Sakai and Kikuo Tominaga : Growth of a GaN layer on a glass substrate by metal organic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.206, No.3, 241-244, 1999. ...
閲覧 Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Takeshi Inaoka, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Dependence of growth conditions on morphology in lateral epitaxial overgrowth of GaN by sublimation method, Journal of Crystal Growth, Vol.207, No.3, 174-178, 1999. ...
閲覧 Yoichi Yamada, Chiharu Sasaki, Satoshi Kurai, Tsunemasa Taguchi, Tomoya Sugahara, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Time-resolved spectroscopy of excitonic luminescence from GaN homoepitaxial layers, Journal of Applied Physics, Vol.86, No.12, 7186-7188, 1999. ...
閲覧 Mohamed Lachab, Masaaki Nozaki, Jie Wang, Yasuhiro Ishikawa, Qhalid Fareed, Tao Wang, Tatsunori Nishikawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Selective fabrication of InGaN nanostructures by the focused ion beam/metalorganic chemical vapor deposition process, Journal of Applied Physics, Vol.87, No.3, 1374-1378, 2000. ...
閲覧 Sung Hoon Chung, Mohamed Lachab, Tao Wang, Yves Lacroix, Durga Basak, Qhalid Fareed, Yoshihisa Kawakami, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Effect of Oxygen on the Activation of Mg Acceptor in GaN Epilayers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.39, No.8, 4749-4750, 2000. ...
閲覧 Katsushi Nishino, Daigo Kikuta and Shiro Sakai : Bulk GaN growth by direct synthesis method, Journal of Crystal Growth, Vol.237-239, No.0, 922-925, 2002. ...
閲覧 山本 真美子, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス法によるBP結晶成長, 電気関係学会四国支部連合大会, 151, 2005年9月. ...
閲覧 河道 修一, 住吉 和英, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価, 電気関係学会四国支部連合大会, 150, 2005年9月. ...
閲覧 山本 真美子, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス成長BP結晶上へのGaN成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.22, 346, 2006年3月. ...
閲覧 住吉 和英, 月原 政志, 沖本 聖, 河道 修一, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl0.17Ga0.83N MOCVD成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, 378, 2006年3月. ...
閲覧 河道 修一, 西野 克志, 住吉 和英, 月原 政志, 酒井 士郎 : 凹凸サファイア基板上に成長させたAlGaN薄膜の反転ドメイン, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, (号), 379, 2006年3月. ...
閲覧 池田 賢司, Choi Rak-Jun, 福本 哲也, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎, Lee Min Soo, 小池 正好 : AlInN-buffer層上のALEによるa面GaNの高品質化, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.26, 401, 2006年3月. ...
閲覧 S. Kawamichi, Katsushi Nishino, K. Sumiyoshi, M. Tsukihara and Shiro Sakai : Inversion domains in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006. ...
閲覧 Fawang Yan, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Growth and Characteristics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.45, No.27, L697-L700, 2006. ...
閲覧 西野 克志, 坂本 旭, 酒井 士郎 : 直接合成法によるr面サファイア上へのバルクa-GaN成長, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. ...
閲覧 西野 克志, 宮村 高史, 酒井 士郎 : TMA添加直接合成法によるバルクAlGaNの結晶成長, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月. ...
閲覧 Katsushi Nishino, A. Sakamoto and Shiro Sakai : Growth of Thick a-plane GaN on r-plane Sapphire by Direct Synthesis Method, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006. ...
閲覧 西野 克志, 澤井 佑介, 成行 祐児, 野田 丈嗣, 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚 : ナノ加工GaN基板上再成長層のTEM観察, 第57回応用物理学関係連合講演会, 19a-TB2, 2010年3月. ...
閲覧 西野 克志 : 直接合成法によるa面GaNの結晶成長, LED総合フォーラム, P20, 2010年4月. ...
閲覧 Katsushi Nishino, Yuusuke Sawai, Yuji Nariyuki, Takeshi Noda, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : TEM Observation of Re-Grown GaN on Nano-Patterned GaN Template, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, FrP77, Takamatsu, June 2010. ...
閲覧 加藤 保洋, 中内 潤, 西野 克志, 月原 政志, 酒井 士郎 : 昇華法によるバルクAlNの成長, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-3, 2010年9月. ...
閲覧 林 浩太郎, 中内 潤, 西野 克志, 月原 政志 : AlSiN層を用いた昇華法成長AlNの剥離, 第73回応用物理学会学術講演会, 12a-PB4-4, 2012年9月. ...
閲覧 Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, International Workshop on Nitride Semiconductors, Sapporo, Oct. 2012. ...
閲覧 YUICHI HIWASA, SHOTA IWAMOTO, KOTARO HAYASHI, Katsushi Nishino and MASASHI TSUKIHARA : Self-separation of sublimation-grown AlN on rough SiC substrate, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials, (都市), Jan. 2013. ...
閲覧 西野 克志, 日和佐 悠一, 岩元 翔太, 林 浩太郎, 月原 政志 : 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlN成長, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年3月. ...
閲覧 Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, 08JA07-1-08-JA07-2, 2013. ...
閲覧 小渕 圭一朗, 林 浩太郎, 西野 克志 : 昇華法によるAlN成長における初期過程の検討, 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, FR17, 2013年6月. ...
閲覧 日和佐 悠一, 林 浩太郎, 西野 克志 : 荒れた6H-SiC基板へ昇華法により成長したAlNの剥離機構, 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, (巻), (号), FR18, 2013年6月. ...
閲覧 Mitsuaki Suda, Katsushi Nishino, Satoshi Kurai and Yoichi Yamada : CL measurement of AlGaN grown on the off-oriented AlN substrate, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (都市), March 2014. ...
閲覧 高吉 翔大, 西野 克志 : 昇華法におけるAlN結晶成長速度の向上に関する検討, 2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), (頁), 2014年7月. ...
閲覧 山元 佑基, 西野 克志 : 昇華法AlN結晶成長におけるTaマスクの効果, 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), Ca-1, 2015年8月. ...
閲覧 鈴木 雄大, 西野 克志 : MOCVD法AlGaN成長における昇華法AlN基板処理方法の検討, 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), Da-6, 2015年8月. ...
閲覧 橋本 竜治, 鈴木 雄大, 西野 克志 : 昇華法AlN基板上へのMOCVD法によるAlGaN結晶の成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 86, 2016年7月. ...
閲覧 梨子木 清人, 西野 克志 : 6H-SiC基板上へのAlNバルク結晶成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, (巻), (号), 87, 2016年7月. ...
閲覧 多喜川 直也, 西野 克志 : 剥離AlNを種結晶として用いた昇華法AlN成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, (巻), (号), 88, 2016年7月. ...
閲覧 Ryo Hiramura and Katsushi Nishino : Crystal Growth of Gallium Oxide by Direct Synthesis Method, 4th International Forum on Advanced Technologies, (巻), (号), (頁), Tokushima, March 2018. ...
閲覧 Takaya Shimada and Katsushi Nishino : Characterization of dislocations in sublimation-grown AlN crystals, 4th International Forum on Advanced Technologies, (巻), (号), (頁), Tokushima, March 2018. ...
閲覧 枝澤 光希, 浦西 将, 富田 卓朗, 西野 克志 : AlN結晶のアニール処理による機械的ダメージの回復評価, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PA4-1, 2018年9月. ...
閲覧 市村 佑太, 西野 克志 : 直接合成法によるβ-Ga2O3の結晶成長, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PB8-18, 2018年9月. ...
閲覧 内藤 友紀, 西野 克志 : 真空蒸着法による p 型 Si 基板上への BaSi2 膜作製の検討, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-12, 2018年9月. ...
閲覧 瀬尾 翔輝, 西野 克志 : AlN 結晶成長における基板表面酸化膜除去の効果, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-13, 2018年9月. ...
閲覧 Yuki Naito, Souma Nishio and Katsushi Nishino : Vacuum Evaporation of BaSi2 Thin Films on Textured Si (100) Substrates, The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2019, Miyazaki, July 2019. ...
閲覧 西尾 聡馬, 内藤 友紀, 西野 克志 : 蒸着中の原料状態がBaSi2薄膜の品質に与える影響, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, (巻), (号), 21a-PA3-6, 2019年9月. ...

過去3日以内に登録・変更された情報

(なし)

無効な情報 (1件)

閲覧 S. Kawamichi, Katsushi Nishino, K. Sumiyoshi, M. Tsukihara and Shiro Sakai : Inversion domains in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.298, (号), 297-299, 2007.

本データベースでは情報の登録,保守作業の分散を主たる目的の一つとしております.したがって,上記にリストアップされている情報の保守は個々の情報の当事者に委ねられます.

ある情報を保守する義務があるかないかは,その情報に対して権限を持っているかどうかで判断してください.もちろん情報の所有者が主に管理しなくてはならないことになりますが,権限を持っている利用者が連帯してその情報の保守を行なう義務を負っていると考えてください.

貴方がどの情報について権限を持っているかは,貴方自身の情報を閲覧してください.

Number of session users = 0, LA = 0.30, Max(EID) = 364736, Max(EOID) = 976762.