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抽出条件

OWN=	西野 克志 ([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])

登録情報の数

有効な情報: 46件 + 無効な情報: 1件 = 全ての情報: 47件

全ての有効な情報 (46件)

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条件追加

[種別](著作の種別)による分類 : 学術レター(ショートペーパー)…(4) 学術論文(審査論文)…(7) 国際会議…(9) 国内講演発表…(26)

[言語](著作の言語)による分類 : 英語…(11) 日本語…(26) (未定義)…(9)

[カテゴリ](著作のカテゴリ)による分類 : 研究…(19) (未定義)…(27)

[共著種別](共著の種別)による分類 : 単独著作(徳島大学内の単一の研究グループ(研究室等)内の研究 (単著も含む))…(2) 学内共著(徳島大学内研究者との共同研究 (学外研究者を含まない))…(1) (未定義)…(43)

[学究種別](著作の学究種別)による分類 : 学士課程学生による研究報告…(1) 修士課程学生による研究報告…(5) (未定義)…(40)

[組織](著作の帰属する組織)による分類 : 徳島大学 …(16) 応用物理学会 …(1) 徳島大学 …(16) 山口大学 …(1) (未定義) …(18)

[年月日](発行年月日)による分類 ○ 年による分類 : 1999年…(6) 2000年…(2) 2002年…(1) 2005年…(2) 2006年…(9) 2010年…(4) 2012年…(2) 2013年…(5) 2014年…(2) 2015年…(2) 2016年…(3) 2018年…(6) 2019年…(2) ○ 年度による分類 : 1999年度…(7) 2000年度…(1) 2002年度…(1) 2005年度…(6) 2006年度…(5) 2009年度…(1) 2010年度…(3) 2012年度…(4) 2013年度…(4) 2014年度…(1) 2015年度…(2) 2016年度…(3) 2017年度…(2) 2018年度…(4) 2019年度…(2)

抽出結果のリスト

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	Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Surface morphology studies on sublimation grown bulk GaN by atomic force microscopy, Journal of Crystal Growth, Vol.200, No.3-4, 348-352, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Durga Basak, Kenji Yamashita, Tomoya Sugahara, Qhalid Fareed, Daisuke Nakagawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Reactive ion etching of GaN and AlxGa1-xN using Cl2/CH4/Ar plasma, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.38, No.4B, 2646-2651, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Maosheng Hao, Sourindra Mahanty, Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Infrared properties of bulk GaN, Applied Physics Letters, Vol.74, No.19, 2788-2790, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Hong Xing Wang, Tao Wang, Mohamed Lachab, Yasuhiro Ishikawa, Maosheng Hao, Koichi Oyama, Katsushi Nishino, Shiro Sakai and Kikuo Tominaga : Growth of a GaN layer on a glass substrate by metal organic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, Vol.206, No.3, 241-244, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Qhalid Fareed, Satoru Tottori, Takeshi Inaoka, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Dependence of growth conditions on morphology in lateral epitaxial overgrowth of GaN by sublimation method, Journal of Crystal Growth, Vol.207, No.3, 174-178, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Yoichi Yamada, Chiharu Sasaki, Satoshi Kurai, Tsunemasa Taguchi, Tomoya Sugahara, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Time-resolved spectroscopy of excitonic luminescence from GaN homoepitaxial layers, Journal of Applied Physics, Vol.86, No.12, 7186-7188, 1999.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Mohamed Lachab, Masaaki Nozaki, Jie Wang, Yasuhiro Ishikawa, Qhalid Fareed, Tao Wang, Tatsunori Nishikawa, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Selective fabrication of InGaN nanostructures by the focused ion beam/metalorganic chemical vapor deposition process, Journal of Applied Physics, Vol.87, No.3, 1374-1378, 2000.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Sung Hoon Chung, Mohamed Lachab, Tao Wang, Yves Lacroix, Durga Basak, Qhalid Fareed, Yoshihisa Kawakami, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Effect of Oxygen on the Activation of Mg Acceptor in GaN Epilayers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes), Vol.39, No.8, 4749-4750, 2000.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Katsushi Nishino, Daigo Kikuta and Shiro Sakai : Bulk GaN growth by direct synthesis method, Journal of Crystal Growth, Vol.237-239, No.0, 922-925, 2002.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	山本 真美子, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス法によるBP結晶成長, 電気関係学会四国支部連合大会, 151, 2005年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	河道 修一, 住吉 和英, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 加工サファイア上に成長したAl0.07Ga0.93N薄膜の透過型電子顕微鏡による評価, 電気関係学会四国支部連合大会, 150, 2005年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	山本 真美子, 月原 政志, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : フラックス成長BP結晶上へのGaN成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.22, 346, 2006年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	住吉 和英, 月原 政志, 沖本 聖, 河道 修一, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎 : 低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl0.17Ga0.83N MOCVD成長, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, 378, 2006年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	河道 修一, 西野 克志, 住吉 和英, 月原 政志, 酒井 士郎 : 凹凸サファイア基板上に成長させたAlGaN薄膜の反転ドメイン, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.25, (号), 379, 2006年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	池田 賢司, Choi Rak-Jun, 福本 哲也, 西野 克志, 直井 美貴, 酒井 士郎, Lee Min Soo, 小池 正好 : AlInN-buffer層上のALEによるa面GaNの高品質化, 第53回応用物理学会学術振興会講演予稿集, Vol.26, 401, 2006年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	S. Kawamichi, Katsushi Nishino, K. Sumiyoshi, M. Tsukihara and Shiro Sakai : Inversion domains in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate, 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, Miyazaki, May 2006.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Fawang Yan, Katsushi Nishino and Shiro Sakai : Growth and Characteristics of GaN Film on Thin AlN/(0001) Sapphire Template Layer via Direct Reaction of Gallium and Ammonia, Japanese Journal of Applied Physics, Part 2 (Letters), Vol.45, No.27, L697-L700, 2006.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西野 克志, 坂本 旭, 酒井 士郎 : 直接合成法によるr面サファイア上へのバルクa-GaN成長, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西野 克志, 宮村 高史, 酒井 士郎 : TMA添加直接合成法によるバルクAlGaNの結晶成長, 第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Katsushi Nishino, A. Sakamoto and Shiro Sakai : Growth of Thick a-plane GaN on r-plane Sapphire by Direct Synthesis Method, International Workshop on Nitride Semiconductors 2006, Kyoto, Oct. 2006.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西野 克志, 澤井 佑介, 成行 祐児, 野田 丈嗣, 直井 美貴, 酒井 士郎, 深野 敦之, 田中 覚 : ナノ加工GaN基板上再成長層のTEM観察, 第57回応用物理学関係連合講演会, 19a-TB2, 2010年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西野 克志 : 直接合成法によるa面GaNの結晶成長, LED総合フォーラム, P20, 2010年4月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Katsushi Nishino, Yuusuke Sawai, Yuji Nariyuki, Takeshi Noda, Yoshiki Naoi, Shiro Sakai, Atsuyuki Fukano and Satoru Tanaka : TEM Observation of Re-Grown GaN on Nano-Patterned GaN Template, The 37th International Symposium on Compound Semiconductors, FrP77, Takamatsu, June 2010.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	加藤 保洋, 中内 潤, 西野 克志, 月原 政志, 酒井 士郎 : 昇華法によるバルクAlNの成長, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-3, 2010年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	林 浩太郎, 中内 潤, 西野 克志, 月原 政志 : AlSiN層を用いた昇華法成長AlNの剥離, 第73回応用物理学会学術講演会, 12a-PB4-4, 2012年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, International Workshop on Nitride Semiconductors, Sapporo, Oct. 2012.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	YUICHI HIWASA, SHOTA IWAMOTO, KOTARO HAYASHI, Katsushi Nishino and MASASHI TSUKIHARA : Self-separation of sublimation-grown AlN on rough SiC substrate, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials, (都市), Jan. 2013.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西野 克志, 日和佐 悠一, 岩元 翔太, 林 浩太郎, 月原 政志 : 昇華法による荒れたSiC基板上へのAlN成長, 第60回応用物理学会春季学術講演会, 2013年3月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Katsushi Nishino, Jun Nakauchi, Kotaro Hayashi and Masashi Tsukihara : Self-Separation of Sublimation-Grown AlN with AlSiN Buffer Layer, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.52, 08JA07-1-08-JA07-2, 2013.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	小渕 圭一朗, 林 浩太郎, 西野 克志 : 昇華法によるAlN成長における初期過程の検討, 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, FR17, 2013年6月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	日和佐 悠一, 林 浩太郎, 西野 克志 : 荒れた6H-SiC基板へ昇華法により成長したAlNの剥離機構, 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会, (巻), (号), FR18, 2013年6月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Mitsuaki Suda, Katsushi Nishino, Satoshi Kurai and Yoichi Yamada : CL measurement of AlGaN grown on the off-oriented AlN substrate, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, (都市), March 2014.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	高吉 翔大, 西野 克志 : 昇華法におけるAlN結晶成長速度の向上に関する検討, 2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), (頁), 2014年7月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	山元 佑基, 西野 克志 : 昇華法AlN結晶成長におけるTaマスクの効果, 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), Ca-1, 2015年8月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	鈴木 雄大, 西野 克志 : MOCVD法AlGaN成長における昇華法AlN基板処理方法の検討, 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会, (巻), (号), Da-6, 2015年8月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	橋本 竜治, 鈴木 雄大, 西野 克志 : 昇華法AlN基板上へのMOCVD法によるAlGaN結晶の成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, 86, 2016年7月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	梨子木 清人, 西野 克志 : 6H-SiC基板上へのAlNバルク結晶成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, (巻), (号), 87, 2016年7月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	多喜川 直也, 西野 克志 : 剥離AlNを種結晶として用いた昇華法AlN成長, 2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会, (巻), (号), 88, 2016年7月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Ryo Hiramura and Katsushi Nishino : Crystal Growth of Gallium Oxide by Direct Synthesis Method, 4th International Forum on Advanced Technologies, (巻), (号), (頁), Tokushima, March 2018.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Takaya Shimada and Katsushi Nishino : Characterization of dislocations in sublimation-grown AlN crystals, 4th International Forum on Advanced Technologies, (巻), (号), (頁), Tokushima, March 2018.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	枝澤 光希, 浦西 将, 富田 卓朗, 西野 克志 : AlN結晶のアニール処理による機械的ダメージの回復評価, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PA4-1, 2018年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	市村 佑太, 西野 克志 : 直接合成法によるβ-Ga2O3の結晶成長, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-PB8-18, 2018年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	内藤 友紀, 西野 克志 : 真空蒸着法による p 型 Si 基板上への BaSi2 膜作製の検討, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-12, 2018年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	瀬尾 翔輝, 西野 克志 : AlN 結晶成長における基板表面酸化膜除去の効果, 電気関係学会四国支部連合大会講演論文集, 11-13, 2018年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	Yuki Naito, Souma Nishio and Katsushi Nishino : Vacuum Evaporation of BaSi2 Thin Films on Textured Si (100) Substrates, The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2019, Miyazaki, July 2019.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...
	西尾 聡馬, 内藤 友紀, 西野 克志 : 蒸着中の原料状態がBaSi2薄膜の品質に与える影響, 第80回応用物理学会秋季学術講演会, (巻), (号), 21a-PA3-6, 2019年9月.	閲覧操作 (編集) → EdbAssistance→ EdbClient→ 閲覧画面(旧)...

（なし）

S. Kawamichi, Katsushi Nishino, K. Sumiyoshi, M. Tsukihara and Shiro Sakai : Inversion domains in AlGaN films grown on patterned sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, Vol.298, (号), 297-299, 2007.

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