徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: Liu Yu-Huai/Li Hong-Dong/[敖 金平]/Lee Young-Bae/Wang Tao/[酒井 士郎]/Influence of undoped GaN layer thickness to the performance of AlGaN/GaN-based ultraviolet light-emitting diodes/[Journal of Crystal Growth]

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EID
97182
EOID
876284
Map
0
LastModified
2017年11月28日(火) 17:49:46
Operator
大家 隆弘
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
敖 金平
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. (英) Liu Yu-Huai
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Li Hong-Dong
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 敖 金平([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.電気電子系.物性デバイス分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.電気電子システムコース.物性デバイス講座])
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  4. (英) Lee Young-Bae
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. (英) Wang Tao
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  6. 酒井 士郎
    役割 任意

    (日) 情報の提供,ウエハの提供.

    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Influence of undoped GaN layer thickness to the performance of AlGaN/GaN-based ultraviolet light-emitting diodes

副題 任意
要約 任意

(日) GaN の転位が厚さに依存すること,および厚さが0.5 um のときは0であることを見出した.とくにAlGaN の層が3次元の山の上に立っているときには,AlGaN 中の歪がゼロであることをみいだしている.

キーワード 推奨
  1. (英) defecte
  2. (英) transmission electron microscopy
  3. (英) superlattice
  4. (英) nitride
  5. (英) light emitting diode
発行所 推奨 Elsevier(->組織[Elsevier Science])
誌名 必須 Journal of Crystal Growth([Elsevier])
(pISSN: 0022-0248)
ISSN 任意 0022-0248
ISSN: 0022-0248 (pISSN: 0022-0248)
Title: Journal of crystal growth
Title(ISO): J Cryst Growth
Publisher: Elsevier BV
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 268
必須 1-2
必須 30 34
都市 任意 アムステルダム(Amsterdam/[オランダ王国])
年月日 必須 2004年 7月 15日
URL 任意
DOI 任意 10.1016/j.jcrysgro.2004.04.103    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意 000222714700006
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意