徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [日下 一也]/古谷 公平/喜久間 拓也/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/Effect of Plasma Protection Net on Crystal Orientation and Residual Stress in Sputtered Gallium Nitride Films/[Materials Science Research International]

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EID
94637
EOID
726792
Map
0
LastModified
2014年3月5日(水) 14:09:48
Operator
松井 栄里
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
  2. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. (英) Furutani Kouhei / (日) 古谷 公平 / (読) ふるたに こうへい
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《古谷 公平 () @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 1999年4月〜2001年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  3. (英) Kikuma Takuya / (日) 喜久間 拓也 / (読) きくま たくや
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
    適合する可能性のある以下の学生情報を発見しました
    《喜久間 拓也 () @ 工学研究科.博士前期課程 [大学院学生] 2000年4月〜2002年3月》
    《喜久間 拓也 () @ 工学部 [学部学生] 1996年4月〜2000年3月》
    この情報が学生所属組織の業績等に分類されるためには学籍番号の登録が必要です.テキスト記載の個人が上記に掲げた個人本人ならば,学籍番号の登録を行ってください.(編集画面では学籍番号が表示されます)
  4. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  5. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Effect of Plasma Protection Net on Crystal Orientation and Residual Stress in Sputtered Gallium Nitride Films

副題 任意
要約 任意

(英) X-ray diffraction was carried out in order to investigate crystal orientation and residual stress in gallium nitride (GaN) films deposited on a fused quartz substrate by radio frequency (RF) planar magnetron sputtering with a net to protect against plasma exposure. GaN films were deposited at constant gas pressure, constant input power, and various substrate temperatures. The following results were obtained: (1) GaN film of good crystal orientation can be deposited by RF sputtering; (2) in all films deposited at high substrate temperature, the c-axes of GaN crystals were oriented normal to the substrate surface; (3) crystal orientation was good in films deposited at high substrate temperature Ts > 573 K, but film deposited at Ts = 873 K peeled from the substrate; (4) good crystal orientation was attained in films deposited by sputtering with the fine mesh to protect against plasma exposure; (5) compressive residual stress was found in film deposited at low Ts below 573 K; (6) compressive residual stress was found in films deposited by RF sputtering with the plasma protection net.

(日) プラズマ露光を防止する網を有する高周波(RF)プレーナマグネトロンスパッタリング装置によって溶融石英基板上に堆積した窒化ガリウム(GaN)膜の結晶配向性および残留応力をX線回折により調べた.GaN膜は一定のガス圧,一定の供給電力,いろいろな基板温度で堆積させた.次の結果が得られた.(1)良質な結晶配向性のGaN膜は,RFスパッタリングによって堆積することができた.(2)高温で堆積したすべての膜において,GaN結晶のc軸は基板面法線方向に優先配向した.(3)573K以上の高基板温度で堆積した膜の結晶配向性は良かったが,873Kで堆積した膜は基板から剥離した.(4)プラズマ露光を防止する目の細かな網を有するスパッタリング装置により,良い結晶配向膜が形成できた.(5)573K以下の低TSで堆積した膜に圧縮残留応力が確認された.(6)プラズマ防止網を有するRFスパッタリング装置で堆積した膜に圧縮残留応力が確認された.

キーワード 推奨
  1. (英) Gallium nitride film
  2. (英) Radio frequency sputtering
  3. (英) Residual stress
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [キーワード] 残留応力 (residual stress)
  4. (英) Crystal orientation
  5. (英) Plasma protection net
  6. (英) X-ray diffraction
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [キーワード] X線回折 (X-ray diffraction)
発行所 推奨 日本材料学会
誌名 必須 Materials Science Research International([日本材料学会])
(pISSN: 1341-1683)
ISSN 任意 1341-1683
ISSN: 1341-1683 (pISSN: 1341-1683)
Title: Materials science research international
Supplier: 社団法人日本材料学会
Publisher: Chapman & Hall
 (Webcat Plus  (Scopus (Scopus information is found. [need login])
必須 8
必須 4
必須 187 192
都市 任意 京都(Kyoto/[日本国])
年月日 必須 2002年 12月 15日
URL 任意 http://www.jsms.jp/msri/msri_form.htm
DOI 任意 10.2472/jsms.51.12Appendix_187    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意 110002284000
WOS 任意
Scopus 任意 2-s2.0-0037004116
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意