徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

徳島大学ウェブサイトへのリンク

著作: [英 崇夫]/[富永 喜久雄]/Fujiwara Haruo/Residual Stress in Al and AlN Thin Films Deposited by Sputtering/Residual Stress Science and Technology

ヘルプを読む

「著作」(著作(著書,論文,レター,国際会議など))は,研究業績にかかる著作(著書,論文,レター,国際会議など)を登録するテーブルです. (この情報が属するテーブルの詳細な定義を見る)

  • 項目名の部分にマウスカーソルを置いて少し待つと,項目の簡単な説明がツールチップ表示されます.

この情報をEDB閲覧画面で開く

EID
85924
EOID
707141
Map
0
LastModified
2013年8月26日(月) 15:50:58
Operator
三木 ちひろ
Avail
TRUE
Censor
0
Owner
[学科長]/[徳島大学.工学部.電気電子工学科]
Read
継承
Write
継承
Delete
継承
種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.電気電子工学科.物性デバイス講座
  2. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
著者 必須
  1. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. (英) Fujiwara Haruo
    役割 任意
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Residual Stress in Al and AlN Thin Films Deposited by Sputtering

副題 任意
要約 任意

(日) スパッタリング法によりガラス基板上に形成したAl膜およびAlN膜の残留応力をX線により調べた.Al膜はランダム方位の結晶で構成され通常のsin2ψ法の適用が可能であり,膜厚によらずほぼ 150∼200MPaの引張残留応力であった.一方,AlN膜は〈00.1〉軸が基板上に垂直配向していたため,新しい応力解析法を提案して残留応力を解析した.その結果,AlN膜には-1.5∼-2 GPaの大きい圧縮残留応力の存在を認めた.

キーワード 推奨
発行所 推奨
誌名 必須 (英) Residual Stress Science and Technology
ISSN 任意
必須 1
必須 ---
必須 728 734
都市 任意
年月日 必須 1992年 0月 初日
URL 任意
DOI 任意
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意