徳島大学 教育・研究者情報データベース(EDB)

Education and Research Database (EDB), Tokushima University

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著作: [日下 一也]/[英 崇夫]/[富永 喜久雄]/Measurement of crystal orientation and residual stress in GaN film deposited by RF sputtering with powder target/[Vacuum]

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EID
83762
EOID
880698
Map
0
LastModified
2017年12月22日(金) 11:20:44
Operator
大家 隆弘
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TRUE
Censor
0
Owner
日下 一也
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種別 必須 学術論文(審査論文)
言語 必須 英語
招待 推奨
審査 推奨 Peer Review
カテゴリ 推奨 研究
共著種別 推奨
学究種別 推奨
組織 推奨
  1. 徳島大学.工学部.機械工学科.生産システム講座
  2. 電気電子工学専攻(〜2011年3月31日)
著者 必須
  1. 日下 一也([徳島大学.大学院社会産業理工学研究部.理工学域.機械科学系.生産工学分野]/[徳島大学.理工学部.理工学科.機械科学コース.生産工学講座])
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  2. 英 崇夫
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
  3. 富永 喜久雄
    役割 任意 共著
    貢献度 任意
    学籍番号 推奨
題名 必須

(英) Measurement of crystal orientation and residual stress in GaN film deposited by RF sputtering with powder target

副題 任意
要約 任意

(英) Crystal orientation and residual stress in GaN films deposited by radio frequency sputtering with gallium nitride powder target are investigated by X-ray diffraction as functions of nitrogen concentration (CN2) in the atmosphere gas consisting of argon and nitrogen. In addition, the film surfaces are observed by atomic force microscopy. The following results are obtained: (1) GaN films deposited by sputtering with the powder target attained good crystal orientation, with the c-axis oriented normal to the substrate surface; (2) film thickness decreased with increasing nitrogen concentration (CN2); (3) the film deposited at CN2=20% had the largest crystal grain size, and the film deposited at CN2=0% had the smallest; (4) the film deposited at CN2=20% had the best c-axis orientation, and that deposited at CN2=0% had the poorest; (5) tensile residual stress occurred in films deposited at CN2≦20%, and compressive residual stress over -1 GPa occurred in films deposited at CN2≧50%.

(日) 窒化ガリウム粉末ターゲットを用いた高周波スパッタリングによって堆積したGaN膜の結晶配向性と残留応力をX線回折によりアルゴンと窒素から成る雰囲気ガス中の窒素濃度(CN2)の関数として調べた.それに加えて,原子間力顕微鏡により膜表面を観察した.次の結果が得られた.(1)粉末ターゲットを用いたスパッタリングにより堆積したGaN膜は,c軸が基板面法線方向に配向した良い結晶配向性を有した.(2)膜厚は窒素濃度(CN2)の増加とともに減少した.(3) CN2=20%で堆積した膜の結晶粒サイズは最大となり,CN2=0%で堆積したものは最小となった.(4) CN2=20%で堆積した膜は最も良いc軸配向性を有し,CN2=0%で堆積したものは最も悪くなった.(5) CN2≦20%で堆積した膜には引張残留応力が発生し,CN2≧50%で堆積した膜には-1GPa以上の圧縮残留応力が発生した.

キーワード 推奨
  1. (英) Gallium nitride
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [キーワード] 窒化ガリウム (gallium nitride)
  2. (英) RF sputtering
  3. (英) Powder target
  4. (英) Crystal orientation
  5. (英) Residual stress
    データベース中に適合する可能性のある以下の情報を発見しました
    [キーワード] 残留応力 (residual stress)
発行所 推奨 (英) Elsevier Ltd.
誌名 必須 Vacuum([Elsevier Science])
(pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
ISSN 任意 0042-207X
ISSN: 0042-207X (pISSN: 0042-207X, eISSN: 1879-2715)
Title: Vacuum
Title(ISO): Vacuum
Publisher: Elsevier Ltd.
 (NLM Catalog  (Scopus  (CrossRef (Scopus information is found. [need login])
必須 74
必須 3-4
必須 613 618
都市 任意
年月日 必須 2004年 6月 7日
URL 任意 http://www.sciencedirect.com/science?_ob=ArticleURL&_udi=B6TW4-4C835PB-1&_user=106892&_handle=B-WA-A-A-ZE-MsSAYZW-UUA-AUECWBYYEV-AUEWYAEZEV-CDADZAZVE-ZE-U&_fmt=full&_coverDate=06%2F07%2F2004&_rdoc=44&_orig=browse&_srch=%23toc%235552%232004%23999259996%23501786!&_cdi=5552&view=c&_acct=C000008258&_version=1&_urlVersion=0&_userid=106892&md5=351f3664885402ff5e56d64188b58304
DOI 任意 10.1016/j.vacuum.2004.01.034    (→Scopusで検索)
PMID 任意
NAID 任意
WOS 任意
Scopus 任意
評価値 任意
被引用数 任意
指導教員 推奨
備考 任意